1.一种通过过渡层结构降低封装应力的mems惯性器件，其特征在于，所述的mems惯性器件包含：封装管壳、位于封装管壳内的芯片、以及设于所述封装管壳的底板与所述的芯片之间的过渡层；所述的过渡层包含若干片层，所述的片层包含：贴片胶层和应力缓冲层；所述的应力缓冲层的材质与所述的封装管壳或所述的芯片的材质相同。
2.根据权利要求1所述的通过过渡层结构降低封装应力的mems惯性器件，其特征在于，所述的贴片胶层设于所述的应力缓冲层的上表面和下表面。
3.根据权利要求1所述的通过过渡层结构降低封装应力的mems惯性器件，其特征在于，所述的应力缓冲层包括硅片。
4.根据权利要求3所述的通过过渡层结构降低封装应力的mems惯性器件，其特征在于，所述的硅片与所述的芯片通过键合的方式连接。
5.根据权利要求4所述的通过过渡层结构降低封装应力的mems惯性器件，其特征在于，所述的硅片的四个角与所述的芯片通过键合的方式连接。
6.根据权利要求3所述的通过过渡层结构降低封装应力的mems惯性器件，其特征在于，所述的应力缓冲层还包括陶瓷片。
7.根据权利要求6所述的通过过渡层结构降低封装应力的mems惯性器件，其特征在于，所述的应力缓冲层的形状与芯片底部截面的形状一致。
8.根据权利要求7所述的通过过渡层结构降低封装应力的mems惯性器件，其特征在于，所述的贴片胶层包含：第一贴片胶层、第二贴片胶层、第三贴片胶层；所述的过渡层包括：自所述封装管壳的底板至所述芯片方向依次设置的第一贴片胶层、硅片、第二贴片胶层、陶瓷片、第三贴片胶层。
9.根据权利要求1所述的通过过渡层结构降低封装应力的mems惯性器件，其特征在于，所述的贴片胶层由贴胶加热固化得到。
10.根据权利要求9所述的通过过渡层结构降低封装应力的mems惯性器件，其特征在于，所述的贴胶为改性硅胶或银浆。