一种传感器芯片的封装方法和封装结构与流程

本发明涉及芯片封装的，尤其涉及一种传感器芯片的封装方法和封装结构。

背景技术：

1、目前芯片的封装技术是将传感器芯片贴附在基板表面完成封装。但是采用贴片技术在基板上封装的方法，会因传感器芯片和基板的厚度均有对应的要求，进而导致封装后的产品尺寸厚度过大的问题。

2、所以芯片的封装在厚度上和尺寸上均做到轻薄和小巧，仍是现在的主流问题。

技术实现思路

1、本发明提供了一种传感器芯片的封装方法和封装结构，以解决传感器芯片封装后的结构整体厚度大大降低，提升适配客户的需求范围。

2、根据本发明的一方面，提供了一种传感器芯片的封装方法，包括：

3、提供基板，所述基板包括相对设置的第一表面和第二表面；

4、在所述第一表面制备凹槽结构和第一连接结构，所述凹槽结构贯穿部分所述基板；

5、在所述凹槽结构内至少贴附传感器芯片，所述传感器芯片包括芯片衬底以及位于所述芯片衬底一侧的传感结构和连接电极；所述连接电极和所述第一连接结构电连接；

6、在所述基板的第一表面一侧对所述基板和所述传感器芯片进行封装制备封装层；

7、在所述基板的第二表面一侧对所述基板和所述芯片衬底进行减薄，减薄后的所述芯片衬底的厚度d满足25μm≤d＜150μm。

8、根据本发明的另一方面，提供了一种传感器芯片的封装结构，采用第一方面任一项所述的封装方法制备得到，所述封装结构包括：

9、基板减薄结构，所述基板减薄结构包括开口且所述基板减薄结构表面设置有第一连接结构；所述开口贯穿所述基板减薄结构；

10、传感器芯片，位于所述开口内；所述传感器芯片包括芯片衬底、位于所述芯片衬底一侧的传感结构和连接电极；所述连接电极与所述第一连接结构电连接；所述芯片衬底的厚度d满足25μm≤d＜150μm；

11、透光盖板，位于所述传感器芯片一侧，且所述透光盖板与所述传感结构交叠；

12、封装结构，覆盖所述基板减薄结构且至少围绕所述传感器芯片。

13、本发明实施例的传感器芯片的封装方法，包括：首先提供基板；进一步的在第一表面制备凹槽结构和第一连接结构；再在凹槽结构内至少贴附传感器芯片；再在基板的第一表面一侧对基板和传感器芯片进行封装制备封装层；最后再在基板的第二表面一侧对基板和芯片衬底进行减薄，并且减薄后的芯片衬底的厚度d满足25μm≤d＜150μm。通过上述的封装方法，可以同时将基板和传感器芯片进一步减薄，使得传感器芯片在封装后的整体结构厚度大大降低，适配客户的需求范围更加广泛。

14、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

技术特征：

1.一种传感器芯片的封装方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述第一表面制备凹槽结构和第一连接结构之前，还包括：

3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，在所述基板的第二表面一侧对所述基板和所述传感器芯片进行减薄之后，还包括：

4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述凹槽内至少贴附传感器芯片，包括：

5.根据权利要求4所述的封装方法，其特征在于，在所述凹槽内贴附传感器芯片和透光盖板的复合结构之前，还包括：

6.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述凹槽内至少贴附传感器芯片，包括：

7.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，在所述凹槽内贴附传感器芯片之前，还包括：

8.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述基板的第一表面一侧对所述基板和所述传感器芯片进行封装，包括：

9.一种传感器芯片的封装结构，采用权利要求1-8任一项所述的封装方法制备得到，其特征在于，所述封装结构包括：

10.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括贯穿所述基板减薄结构的导通孔以及位于所述导通孔内的导通结构；

技术总结
本发明公开了一种传感器芯片的封装方法和封装结构，该传感器芯片的封装方法，包括：提供基板，基板包括相对设置的第一表面和第二表面；在第一表面制备凹槽结构和第一连接结构，凹槽结构贯穿部分基板；在凹槽结构内至少贴附传感器芯片，传感器芯片包括芯片衬底以及位于芯片衬底一侧的传感结构和连接电极；连接电极和第一连接结构电连接；在基板的第一表面一侧对基板和传感器芯片进行封装制备封装层；在基板的第二表面一侧对基板和芯片衬底进行减薄，减薄后的芯片衬底的厚度d满足25μm≤d＜150μm。采用本发明提供的封装方法，可以同时将基板和传感器芯片进一步减薄，使得封装后的结构厚度大大降低，适配客户的需求范围更加广泛。

技术研发人员：吕军,席建超,陈小龙
受保护的技术使用者：苏州科阳半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13