一种半导体晶圆的制作方法

本技术涉及半导体，特别涉及一种半导体晶圆。

背景技术：

1、晶圆级键合技术是将两片晶圆互相结合，并使得表面原子相互反应，两个晶圆以一定强度结合在一起。晶圆级键合有多种方法，如热压键合、阳极键合、共晶键合等。其中，共晶键合以其键合温度低、键合强度高的特点在晶圆级键合领域得到广泛的应用。

2、共晶键合是利用共晶材料熔融温度较低的特点，将其作为中间介质层，在较低的温度下，通过加热使共晶材料熔融并在加压下实现键合，该技术能够有效降低键合面对平整度和清洁度的要求，有利于生产效率的提高。

3、键合后的半导体晶圆一般还需进行减薄、匀胶、光刻、显影、刻蚀、清洗等工序，在上述工序中，键合后的半导体晶圆容易碎裂，从而影响产品在线成品率，是必须要解决的工程技术问题。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本实用新型的目的在于提供一种半导体晶圆，以增加半导体晶圆的机械强度。

2、本实用新型提供一种半导体晶圆，包括多个管芯，每个管芯包括：

3、密封腔体；

4、功能单元，位于所述密封腔体内；

5、电极结构，位于所述密封腔体外并且通过布线与所述功能单元连接；以及

6、开口，暴露出所述电极结构；

7、在第一方向以及与所述第一方向垂直的第二方向上，所述多个管芯均呈直线阵列排布，在所述第一方向上，所述电极结构位于所述管芯的一侧，所述管芯有电极结构的一侧与相邻的管芯有电极结构的一侧相对，所述管芯没有电极结构的一侧与相邻的管芯没有电极结构的一侧相对。

8、优选地，在所述第二方向上，相邻的管芯的电极结构位于相应管芯的不同侧。

9、优选地，相对的所述电极结构经由同一个开口暴露出来。

10、优选地，在所述第一方向和所述第二方向上，相邻直线阵列中的开口交错排列。

11、优选地，所述半导体晶圆包括在第一方向上呈直线的划片道以及在第二方向上呈直线的划片道，在第一方向上，相邻划片道之间的间距相同，且在第二方向上，相邻划片道之间的间距相同。

12、优选地，在第二方向上，所述划片道将两个相邻的电极结构分开。

13、优选地，所述半导体晶圆包括：

14、器件晶圆，所述器件晶圆包括所述功能单元以及与所述功能单元连接的所述电极结构；

15、盖帽晶圆，与所述器件晶圆键合在一起，形成所述密封腔体；

16、所述盖帽晶圆上具有所述开口，所述电极结构经由所述开口暴露出来。

17、优选地，所述半导体晶圆为加速度计或陀螺仪的晶圆，所述管芯为加速度计或陀螺仪的管芯。

18、本实用新型提供的半导体晶圆，在第一方向以及与所述第一方向垂直的第二方向上，多个管芯呈直线阵列排布，在第一方向上，电极结构位于所述管芯的一侧，管芯有电极结构的一侧与相邻的管芯有电极结构的一侧相对，管芯没有电极结构的一侧与相邻的管芯没有电极结构的一侧相对，且相对的电极结构由同一个开口暴露出来，使得电极结构以及暴露电极结构的开口交错排列，减少了开口的数量，同时使得开口之间的间距增大，进而增加半导体晶圆的机械强度。

19、进一步地，相邻直线阵列中的开口交错排列，将开口分散排列于半导体晶圆上，避免了开口的集中排列造成的半导体晶圆的局部区域机械强度过低。

技术特征：

1.一种半导体晶圆，其特征在于，包括多个管芯，每个管芯包括：

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于，在所述第二方向上，相邻的管芯的电极结构位于相应管芯的不同侧。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于，相对的所述电极结构经由同一个开口暴露出来。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于，在所述第一方向和所述第二方向上，相邻直线阵列中的开口交错排列。

5.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于，所述半导体晶圆包括在第一方向上呈直线的划片道以及在第二方向上呈直线的划片道，在第一方向上，相邻划片道之间的间距相同，且在第二方向上，相邻划片道之间的间距相同。

6.根据权利要求5所述的半导体晶圆，其特征在于，在第二方向上，所述划片道将两个相邻的电极结构分开。

7.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于，所述半导体晶圆包括：

8.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于，所述半导体晶圆为加速度计或陀螺仪的晶圆，所述管芯为加速度计或陀螺仪的管芯。

技术总结
公开了一种半导体晶圆，包括多个管芯，每个管芯包括：密封腔体；功能单元，位于密封腔体内；电极结构，位于密封腔体外并且通过布线与功能单元连接；以及开口，暴露出电极结构；在第一方向以及与第一方向垂直的第二方向上，多个管芯均呈直线阵列排布，在第一方向上，电极结构位于管芯的一侧，管芯有电极结构的一侧与相邻的管芯有电极结构的一侧相对，管芯没有电极结构的一侧与相邻的管芯没有电极结构的一侧相对。本申请的半导体晶圆在第一方向以及与第一方向垂直的第二方向上，使得电极结构以及暴露电极结构的开口交错排列，进而增加半导体晶圆的机械强度。

技术研发人员：季锋,夏姚忠,贾涛源,邹光祎
受保护的技术使用者：杭州士兰集成电路有限公司
技术研发日：20230214
技术公布日：2024/1/14