一种芯片封装结构的制作方法

本技术涉及芯片封装，特别涉及一种芯片封装结构。

背景技术：

1、键合技术是mems工艺加工的一项重要技术，其中，金属共晶键合是一种常用的方式，具体是高温下两种特定金属熔化后会发生熔融反应，形成合金，合金以液体的状态反应，待降温后冷却固化。高温共晶状态下，液相的合金存在外溢的风险，可能会超出键合区域流到芯片内部的功能区，使mems器件结构受损，导致产品的良率降低。

技术实现思路

1、本实用新型旨在至少解决现有技术中金属键合过程易发生液体溢流导致mems产品良率降低的问题，提供一种芯片封装结构。

2、本实用新型的目的采用以下技术方案实现：

3、根据本实用新型的一方面，提供一种芯片封装结构，包括相对设置的衬底基板和mems芯片；其中，所述mems芯片靠近所述衬底基板的表面设置有第一金属体；

4、所述衬底基板靠近所述mems芯片的表面设置有用于键合的键合区域和用于切割的切割道区域，其中，所述切割道区域环绕所述键合区域设置，在所述键合区域上设置有第二金属体，所述第一金属体与所述第二金属体相键合；

5、在所述衬底基板上设置有引流结构，所述引流结构跨接于所述键合区域和所述切割道区域，且所述引流结构为金属材质，以将所述键合区域内多余的金属液体导出。

6、进一步地，所述引流结构的一端与所述第二金属体连通，另一端通向所述切割道区域。

7、进一步地，所述引流结构呈一字型。

8、进一步地，所述引流结构呈弧形。

9、进一步地，所述引流结构包括第一分支与第二分支，所述第一分支与所述第二分支呈l型，所述第一分支与所述第二金属体连通，所述第二分支通向所述切割道区域。

10、进一步地，所述引流结构包括跨接于所述键合区域和所述切割道区域的引流带，该引流带与所述第二金属体一体成型，且与所述第二金属体同层设置。

11、进一步地，所述mems芯片为惯性传感器芯片。

12、进一步地，所述引流结构的数量至少为1个。

13、本申请实施例提供的芯片封装结构，在衬底基板上设置有引流结构，该引流结构跨接于键合区域和切割道区域，且引流结构为金属材质，通过金属的引流作用将键合区域内多余的金属液体引流至切割道区域，从而克服了金属键合过程中熔融金属溢流到芯片内部功能区的风险，提升了键合质量，并提高了mems芯片良率。

技术特征：

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括相对设置的衬底基板和mems芯片；其中，所述mems芯片靠近所述衬底基板的表面设置有第一金属体；

2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述引流结构的一端与所述第二金属体连通，另一端通向所述切割道区域。

3.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述引流结构呈一字型。

4.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述引流结构呈弧形。

5.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述引流结构包括第一分支与第二分支，所述第一分支与所述第二分支呈l型，所述第一分支与所述第二金属体连通，所述第二分支通向所述切割道区域。

6.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述引流结构包括跨接于所述键合区域和所述切割道区域的引流带，该引流带与所述第二金属体一体成型，且与所述第二金属体同层设置。

7.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述mems芯片为惯性传感器芯片。

8.如权利要求1至7任一所述的芯片封装结构，其特征在于，所述引流结构的数量至少为1个。

技术总结
本技术提供了一种芯片封装结构，包括相对设置的衬底基板和MEMS芯片；其中，MEMS芯片靠近衬底基板的表面设置有第一金属体；衬底基板靠近MEMS芯片的表面设置有用于键合的键合区域和用于切割的切割道区域，其中，切割道区域环绕键合区域设置，在键合区域上设置有第二金属体，第一金属体与第二金属体相键合；在衬底基板上设置有引流结构，引流结构跨接于键合区域和切割道区域，且所述引流结构为金属材质，以将键合区域内多余的金属液体导出。本技术提供的芯片封装结构通过引流结构将键合区域内多余的金属液体引流至切割道区域，从而克服了金属键合过程中熔融金属溢流到芯片内部功能区的风险，提升了键合质量，并提高了MEMS芯片良率。

技术研发人员：朱启发,毛应林,庄瑞芬,李诺伦
受保护的技术使用者：苏州敏芯微电子技术股份有限公司
技术研发日：20231226
技术公布日：2024/12/17