本申请是有关半导体领域,详细来说,是有关于一种制造集成电路装置的方法。
背景技术:
1、传统包括微机电系统结果的集成电路装置的体积较大,导致芯片与基板之间的信号传输路径较远,因此信号传递的性能。因此,需要设计一种集成电路装置的结构能够包括微机电结构系统和芯片的同时,还能缩短芯片与基板之间的信号传输路径。
技术实现思路
1、有鉴于此,本申请的目的之一在于提供一种制造集成电路装置的方法来解决上述问题。
2、依据本申请的一实施例,提供一种制造集成电路装置的方法。所述集成电路装置包括位于不同高度的第一基板部和第二基板部,所述第一基板部和所述第二基板部之间形成容纳区,所述容纳区用于放置芯片和微机电系统结构,所述芯片电性连接至所述第一基板部,所述第二基板部包括与所述微机电系统结构相连的通孔。所述方法包括:提供第一层板,其包括第一内层、第一金属层和中间膜层,所述第一金属层形成在所述第一内层的第一侧,所述中间膜层贴合于所述第一内层的与所述第一侧相对的第二侧;图案化所述第一层板以形成包括所述容纳区的第一图案化层板;提供第二层板,其包括第二内层、第二金属层及第三金属层,所述第二金属层及所述第三金属层分别形成在所述第二内层的第一侧及第二侧;图案化所述第二层板以形成包括所述通孔的第二图案化层板;在所述第一图案化层板和所述第二图案化层板冲孔以分别形成第一定位孔和第二定位孔;将所述第一定位孔及所述第二定位孔匹配对准后将所述第二图案化层板和所述第一图案化层板压合,使得所述第二图案化层板的所述第二金属层通过所述中间膜层贴合于所述第一图案化层板以形成组合板。
3、依据本申请的一实施例,所述方法还包括:图案化所述组合板以形成所述第一基板部和所述第二基板部。
4、依据本申请的一实施例,图案化所述组合板以形成所述第一基板部和所述第二基板部包括:在所述组合板的表面形成导电层;填充所述容纳区和所述通孔;以及图案化所述第一金属层及所述第三金属层。
5、依据本申请的一实施例,填充所述容纳区和所述通孔包括:以第一光阻填入所述容纳区和所述通孔;对所述第一光阻进行曝光和显影;以及对所述第一光阻进行平坦化作业。
6、依据本申请的一实施例,图案化所述第一金属层及所述第三金属层包括:在所述第一光阻上涂布第二光阻;对所述第二光阻进行曝光和显影;对所述第一金属层及所述第三金属层进行刻蚀;以及去除所述第二光阻。
7、依据本申请的一实施例,图案化所述组合板以形成所述第一基板部和所述第二基板部还包括:以第一焊料掩膜填入所述容纳区和所述通孔;对所述第一焊料掩膜进行烘烤;将第二焊料掩膜印刷在所述第一焊料掩膜上;对所述第二焊料掩膜进行曝光和显影以在所述第一金属层和所述第三金属层形成部分焊料掩膜。
8、依据本申请的一实施例,提供所述第一层板包括:将形成于所述第一内层两侧的金属层薄化;对所述第一内层进行钻孔形成对位孔;将所述第一内层一侧的所述金属层去除,另一侧的所述金属层形成所述第一金属层;以及将所述中间膜层贴合于所述第一内层。
9、依据本申请的一实施例,提供所述第二层板包括:将形成于所述第二内层两侧的金属层薄化;对所述第二内层进行钻孔形成对位孔;以及图案化所述第二内层两侧的所述金属层以形成第二金属层及第三金属层。
10、依据本申请的一实施例,所述方法还包括:在所述组合板的表面镀上鎳鈀金层。
11、通过本申请提出的流程步骤制备集成电路装置,具有组装方便并有效提升良率的优点,并且成本较低适合大规模生产。通过本申请提出的流程步骤制备的集成电路装置有效地降低整体高度,缩小装置体积。另外,缩短芯片与其他部件之间的信号传输距离,避免过长的信号传输路径影响性能。
1.一种制造集成电路装置的方法,所述集成电路装置包括位于不同高度的第一基板部和第二基板部,所述第一基板部和所述第二基板部之间形成容纳区,所述容纳区用于放置芯片和微机电系统结构,所述芯片电性连接至所述第一基板部,所述第二基板部包括与所述微机电系统结构相连的通孔,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,图案化所述组合板以形成所述第一基板部和所述第二基板部包括:
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,填充所述容纳区和所述通孔包括:
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,图案化所述第一金属层及所述第三金属层包括:
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,图案化所述组合板以形成所述第一基板部和所述第二基板部还包括:
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,提供所述第一层板包括:
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,提供所述第二层板包括:
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括: