封装结构的制作方法

本申请涉及微机电系统，具体涉及一种封装结构。

背景技术：

1、微机电系统(micro-electro-mechanical system，mems)，也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等，指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置。微机电系统是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件或系统。

2、其中，微机电系统是微电路和微机械按功能要求在芯片上的集成，尺寸通常在毫米或微米级。一般而言，电路部分往往设计于ic芯片上，微机械于mems芯片上设计，ic芯片与mems芯片耦合。

3、谐振频率是mems芯片的重要性能参数，谐振频率的稳定与否对封装结构的性能至关重要，但现有的封装结构在封装过程中会产生封装应力，封装应力会对mems芯片施加一个额外的外界应力，导致mems芯片频率输出的偏移，影响封装结构的性能。

技术实现思路

1、鉴于此，本申请提供一种封装结构，以降低封装应力对mems芯片频率偏移的影响。

2、本申请提供一种封装结构，包括堆叠设置的mems芯片以及ic芯片，所述mems芯片与所述ic芯片之间设置有胶层，所述胶层的杨氏模量小于或等于1260mpa，所述胶层的热膨胀系数小于或等于102ppm/k。

3、在一些实施例中，所述胶层为第一贴片胶，所述第一贴片胶的杨氏模量为460mpa-1260mpa，所述第一贴片胶的热膨胀系数为42ppm/k-102ppm/k。

4、在一些实施例中，所述胶层为底部填充胶，所述底部填充胶的杨氏模量为11.5mpa-31.5mpa，所述底部填充胶的热膨胀系数为30ppm/k-90ppm/k。

5、在一些实施例中，所述封装结构还包括至少两个间隔设置的第一焊球，所述第一焊球以及所述底部填充胶设置于所述mems芯片与所述ic芯片之间。

6、在一些实施例中，所述封装结构还包括引线框架，所述ic芯片设置于所述引线框架上，所述mems芯片设置于所述ic芯片远离所述引线框架的一面。

7、在一些实施例中，所述ic芯片与所述引线框架之间通过第二贴片胶粘接，所述第二贴片胶的杨氏模量为4.58gpa-12.58gpa，所述第二贴片胶的热膨胀系数为9ppm/k-49ppm/k。

8、在一些实施例中，所述封装结构还包括引线框架，所述ic芯片设置于所述引线框架上，所述mems芯片设置于所述ic芯片靠近所述引线框架的一面，所述引线框架间隔设置于所述mems芯片的侧面。

9、在一些实施例中，所述封装结构还包括至少两个间隔设置的第二焊球，所述第二焊球设置于所述mems芯片与所述ic芯片之间，且所述第二焊球位于所述第一焊球的外侧。

10、在一些实施例中，所述封装结构还包括封装体，所述封装体覆盖所述mems芯片以及所述ic芯片。

11、在一些实施例中，所述封装体的杨氏模量为15.5gpa-35.5gpa，所述封装体的热膨胀系数为4ppm/k～12ppm/k。

12、本申请提供一种封装结构，包括堆叠设置的mems芯片以及ic芯片，mems芯片与ic芯片之间设置有胶层，胶层的杨氏模量小于或等于1260mpa，胶层的热膨胀系数小于或等于102ppm/k，以降低封装应力对mems芯片频率偏移的影响。

技术特征：

1.一种封装结构，其特征在于，包括堆叠设置的mems芯片以及ic芯片，所述mems芯片与所述ic芯片之间设置有胶层，所述胶层的杨氏模量小于或等于1260mpa，所述胶层的热膨胀系数小于或等于102ppm/k。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述胶层为第一贴片胶，所述第一贴片胶的杨氏模量为460mpa-1260mpa，所述第一贴片胶的热膨胀系数为42ppm/k-102ppm/k。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述胶层为底部填充胶，所述底部填充胶的杨氏模量为11.5mpa-31.5mpa，所述底部填充胶的热膨胀系数为30ppm/k-90ppm/k。

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括至少两个间隔设置的第一焊球，所述第一焊球以及所述底部填充胶设置于所述mems芯片与所述ic芯片之间。

5.根据权利要求2或4所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括引线框架，所述ic芯片设置于所述引线框架上，所述mems芯片设置于所述ic芯片远离所述引线框架的一面。

6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述ic芯片与所述引线框架之间通过第二贴片胶粘接，所述第二贴片胶的杨氏模量为4.58gpa-12.58gpa，所述第二贴片胶的热膨胀系数为9ppm/k-49ppm/k。

7.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括引线框架，所述ic芯片设置于所述引线框架上，所述mems芯片设置于所述ic芯片靠近所述引线框架的一面，所述引线框架间隔设置于所述mems芯片的侧面。

8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括至少两个间隔设置的第二焊球，所述第二焊球设置于所述mems芯片与所述ic芯片之间，且所述第二焊球位于所述第一焊球的外侧。

9.根据权利要求2或4所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括封装体，所述封装体覆盖所述mems芯片以及所述ic芯片。

10.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述封装体的杨氏模量为15.5gpa-35.5gpa，所述封装体的热膨胀系数为4ppm/k～12ppm/k。

技术总结
本申请提供一种封装结构，包括堆叠设置的MEMS芯片以及IC芯片，MEMS芯片与IC芯片之间设置有胶层，胶层的杨氏模量小于或等于1260Mpa，胶层的热膨胀系数小于或等于102ppm/K，以降低封装应力对MEMS芯片频率偏移的影响。

技术研发人员：朱怀远,周莎莉,舒赟翌
受保护的技术使用者：麦斯塔微电子（深圳）有限公司
技术研发日：20240227
技术公布日：2024/9/2