一种基于6sigma工具提高不可溶性阳极VCP镀铜均匀性的方法与流程

本发明涉及一种基于6sigma工具提高不可溶性阳极vcp镀铜均匀性的方法。

背景技术：

1、pcb不可溶性阳极vcp工序作为精细线路制作前的制程工序，铜厚均匀性直接影响精细线路制程的良率。对于75μm及以下线宽/线距铜厚极差超出8μm则会给线路蚀刻带来局部蚀刻不净及线幼并存的风险。对于镀铜厚度20μm的板，铜厚极差希望低于5μm，但是现有技术中极差大于5μm的比率高达46.39％，其中更有至少10％的极差是大于8μm。

2、所述极差如图1所示，使用cmi 700铜厚测量仪，在生产板上取9个按九宫格分布的测试点，一个是中心点，其他8个分别与邻近的板边相距d＝5mm。测量铜厚数据后最大值减去最小值即为铜厚极差。

技术实现思路

1、本发明目的在于提供一种基于6sigma工具提高不可溶性阳极vcp镀铜均匀性的方法，以解决上述现有技术存在的问题。

2、本发明中所述一种基于6sigma工具提高不可溶性阳极vcp镀铜均匀性的方法，包括以下步骤：

3、s1.针对镀铜板厚的极差y，基于6sigma工具设置拟合回归模型；

4、s2.将变化影响极差y的因子xn作为所述拟合回归模型的连续预测变量，其中n为因子x的序号；

5、s3.设定极差y的目标值，找出贡献率最大的因子xn；

6、s4.对因子xn进行维度分析得到doe的若干因子cm及每个因子cm的极值水平，其中m为因子c的序号；

7、s5.分析检验得到doe的各因子cm最优结果；

8、s6.利用所述最优结果调整生产线的对应参数再进行镀铜处理。

9、所述基于6sigma工具是minitab软件程序。

10、所述变化影响极差y的因子xn包括：板厚、电流密度、硫酸铜浓度、硫酸浓度、氯离子浓度、浮架高度参数、生产板长边尺寸。

11、所述因子xn为浮架高度参数。

12、所述因子cm为铜缸对应的序号，极值水平中的最低水平为生产板底部伸入浮架底部的最低值；极值水平中的最高水平为生产板底部与浮架上端持平时的零值。

13、随因子c的序号m增加而逐步调整对应的高水平及低水平。

14、序号为m的因子c对应高水平调整为：(最高水平-m)；序号为m的因子c对应低水平调整为：(最低水平+m-1)。

15、本发明中所述一种基于6sigma工具提高不可溶性阳极vcp镀铜均匀性的方法，其优点在于，通过6sigma工具找出对铜厚极差影响最大的因子，在通过doe逐步分析出该因子中各维变化带来的铜厚结果，最终得到能最优调整镀铜均匀性的参数结果。使得铜厚极差能维持在目标值5μm以下，因铜厚极差引起的次品率基本降为零。

技术特征：

1.一种基于6sigma工具提高不可溶性阳极vcp镀铜均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述一种基于6sigma工具提高不可溶性阳极vcp镀铜均匀性的方法，其特征在于，所述基于6sigma工具是minitab软件程序。

3.根据权利要求1所述一种基于6sigma工具提高不可溶性阳极vcp镀铜均匀性的方法，其特征在于，所述变化影响极差y的因子xn包括：板厚、电流密度、硫酸铜浓度、硫酸浓度、氯离子浓度、浮架高度参数、生产板长边尺寸。

4.根据权利要求3所述一种基于6sigma工具提高不可溶性阳极vcp镀铜均匀性的方法，其特征在于，所述因子xn为浮架高度参数。

5.根据权利要求4所述一种基于6sigma工具提高不可溶性阳极vcp镀铜均匀性的方法，其特征在于，所述因子cm为铜缸对应的序号，极值水平中的最低水平为生产板底部伸入浮架底部的最低值；极值水平中的最高水平为生产板底部与浮架上端持平时的零值。

6.根据权利要求5所述一种基于6sigma工具提高不可溶性阳极vcp镀铜均匀性的方法，其特征在于，随因子c的序号m增加而逐步调整对应的高水平及低水平。

7.根据权利要求6所述一种基于6sigma工具提高不可溶性阳极vcp镀铜均匀性的方法，其特征在于，序号为m的因子c对应高水平调整为：(最高水平-m)；序号为m的因子c对应低水平调整为：(最低水平+m-1)。

技术总结
本发明公开了一种基于6sigma工具提高不可溶性阳极VCP镀铜均匀性的方法，涉及PCB生产工艺，针对现有技术中镀铜极差大的问题提出本方案。以不可溶性阳极垂直连续电镀线镀铜均匀性作为研究对象。通过流程分析，前期数据回归分析，找到关键影响因素。根据线体特点设计关键因子DOE因子实验。在模型分析中巧妙地运用项的逐步法，保留每个因子的一次项，合理删减部分贡献度不高的二次或多次项，能得出更有效的模型，且可以做到更精确的预测变量。使得在最终优化参数录入设备跟进测试板及生产板实际镀铜后极差能满足预期目标。

技术研发人员：巫中山,黄李海,许伟廉,韩志伟,徐缓,李志鹏,郭茂桂
受保护的技术使用者：博敏电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13