一种铜箔及其制备方法与流程

本发明涉及电解铜箔，特别涉及一种铜箔及其制备方法。

背景技术：

1、随着电子电路行业的迅速发展，元器件的片式化和集成化应用日益广泛，电子产品将持续向集成化、小型化、轻量化等方向发展，使得应用于轻量化和小规模化终端的hdi(高密度互连)线路板应用越来越广泛。hdi线路板中的铜箔是一种厚度≤15μm的超薄铜箔，现有的超薄铜箔不可避免的具有孔隙，使得hdi线路板的性能表现不佳。

技术实现思路

1、本发明提供一种铜箔，该铜箔的厚度≤15μm，并且几乎不存在孔隙，在应用于hdi线路板时，可以提高hdi线路板的综合性能。

2、本发明提供一种铜箔的制备方法，用于制备上述的铜箔，该制备方法工艺简单，适用于广泛推广应用。

3、本发明提供一种铜箔，其中，所述铜箔的厚度≤15μm，所述铜箔沿厚度方向贯穿的通孔的数量≤4个/万m2。

4、如上所述的铜箔，其中，所述通孔的截面最大直径大于20μm。

5、本发明提供一种如上所述的铜箔的制备方法，其中，包括：

6、使用电解液对铜箔基材进行电镀处理得到所述铜箔；

7、所述电解液包括硫酸铜以及添加剂，所述添加剂包括交联聚酰胺水溶液。

8、如上所述的制备方法，其中，所述交联聚酰胺水溶液中，交联聚酰胺的质量百分含量为10-30％；和/或，

9、所述交联聚酰胺水溶液的ph为5-6。

10、如上所述的制备方法，其中，所述添加剂还包括第一添加剂，所述第一添加剂选自明胶和/或胶原蛋白。

11、如上所述的制备方法，其中，明胶的分子量为30000-200000da；和/或，

12、胶原蛋白的分子量为2000-10000da。

13、如上所述的制备方法，其中，所述添加剂还包括润湿剂，所述润湿剂选自高分子纤维素以及聚醚类化合物。

14、如上所述的制备方法，其中，所述润湿剂中，高分子纤维素与聚醚类化合物的质量比为(3-7)：(3-7)。

15、如上所述的制备方法，其中，所述高分子纤维素选自羟乙基纤维素、羟丙基纤维素以及羟丙基甲基纤维素中的至少一种；和/或，

16、所述聚醚类化合物选自聚乙二醇、脂肪醇聚氧乙烯醚、聚氧乙烯以及聚氧丙烯的共聚物中的至少两种。

17、如上所述的制备方法，其中，所述电解液中，铜离子含量为60-100g/l，硫酸含量为40-100g/l，氯离子的含量为15-35ppm；和/或，

18、所述电解液中，所述交联聚酰胺水溶液的含量为0.02-0.25ppm；和/或，

19、所述电解液中，所述第一添加剂的含量为10-20ppm；和/或，

20、所述电解液中，润湿剂的含量为5-10ppm；和/或，

21、所述电镀处理中，温度为40-60℃，电流密度为2000-8000a/m2。

22、本发明提供一种铜箔，铜箔的厚度≤15μm，铜箔沿厚度方向贯穿的通孔的数量≤4个/万m2。本发明的铜箔几乎不存在孔隙，在应用于hdi线路板时，hdi线路板不容易发生透胶以及断路的问题，提高hdi线路板的应用场景。

23、本发明提供一种铜箔的制备方法，用于制备上述的铜箔，该制备方法操作简单，适用于广泛推广应用。

技术特征：

1.一种铜箔，其特征在于，所述铜箔的厚度≤15μm，所述铜箔沿厚度方向贯穿的通孔的数量≤4个/万m2。

2.根据权利要求1所述的铜箔，其特征在于，所述通孔的截面最大直径大于20μm。

3.一种权利要求1或2所述的铜箔的制备方法，其特征在于，包括：

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述交联聚酰胺水溶液中，交联聚酰胺的质量百分含量为10-30％；和/或，

5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，所述添加剂还包括第一添加剂，所述第一添加剂选自明胶和/或胶原蛋白。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，明胶的分子量为30000-200000da；和/或，

7.根据权利要求5-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述添加剂还包括润湿剂，所述润湿剂选自高分子纤维素以及聚醚类化合物。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述润湿剂中，高分子纤维素与聚醚类化合物的质量比为(3-7)：(3-7)。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述高分子纤维素选自羟乙基纤维素、羟丙基纤维素以及羟丙基甲基纤维素中的至少一种；和/或，

10.根据权利要求7-9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述电解液中，铜离子含量为60-100g/l，硫酸含量为40-100g/l，氯离子的含量为15-35ppm；和/或，

技术总结
本发明提供了一种铜箔及其制备方法。铜箔的厚度≤15μm，所述铜箔沿厚度方向贯穿的通孔的数量≤4个/万m<supgt;2</supgt;。本发明的铜箔几乎不存在通孔，在应用于HDI线路板时，可以提高HDI线路板的综合性能。

技术研发人员：闫瑞刚,朱小琴,钱明华,李帅,周建华,王卫,顾凯越,王文斐,张裕,张群梅,金星,顾亮
受保护的技术使用者：江东电子材料有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15