本技术涉及二极管生产,具体的说是一种瞬态抑制二极管用电镀设备。
背景技术:
1、瞬态抑制二极管(tvs)是一种用来保护敏感半导体的器件,使敏感半导体免遭瞬态电压浪涌破坏的一种固态半导体器件,它具有箝位系数小、体积小、响应快、漏电流小和可靠性高等优点。而瞬态抑制二极管生产工艺中的电镀工艺很大程度上影响着瞬态抑制二极管表层的稳定性。
2、目前,瞬态抑制二极管用电镀设备电镀过程中电镀液无法精确添加,而导致电镀废液量的显著增加,进而增加了电镀废液回收处理的成本。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于:为了解决瞬态抑制二极管电镀过程中电镀液无法精确添加而导致的电镀废液量和回收处理成本的显著增加的问题,而提供一种瞬态抑制二极管用电镀设备。
2、为了实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:一种瞬态抑制二极管用电镀设备,包括电镀装置、二极管放置架,电镀装置包括电镀池体,电镀池体一侧设置电镀液储存箱,电镀液储存箱底端引出连接管,连接管相对的另一端连接在提升泵的进口端上,提升泵的出口端连接输送管,输送管通过固定件固定在电镀池体上,电镀池体一侧设置电源箱,电源箱的顶部引出电线,电线一端连接阳极固定结构,阳极固定结构上设置阳极物质,阳极固定结构伸入电镀池体内的电镀液中,二极管放置在二极管放置架上。
3、作为上述技术方案的进一步描述:
4、电镀液储存箱上端设置配套的带把盖板,电镀液储存箱内放置新电缓液。
5、作为上述技术方案的进一步描述:
6、提升泵和连接管放置在提升泵箱内,输送管上下贯穿提升泵箱,并从提升泵箱的上端进入外界环境。
7、作为上述技术方案的进一步描述:
8、输送管从提升泵箱内延伸至电镀池体上端,并沿着电镀池体的上端走向进行分布。
9、作为上述技术方案的进一步描述:
10、输送管上设置多个喷头。
11、作为上述技术方案的进一步描述:
12、电源箱上设置挡板,挡板设置安装板,安装板通过紧固件固定在电镀池体上。
13、作为上述技术方案的进一步描述:
14、电线贯穿挡板,贯穿处设置密封垫。
15、作为上述技术方案的进一步描述:
16、二极管放置架的底部设置二极管放置区,二极管放置区的底部设置多个通孔,二极管放置架的侧面设置加强筋。
17、综上所述,由于采用了上述技术方案,本实用新型相较于现有技术具备以下有益效果:
18、1、设置电镀液储存箱,电镀液通过提升泵泵入输送管,电镀液输送管从提升泵箱内延伸至电镀池体上端,并沿着电镀池体的上端走向进行分布,并从输送管上的喷头投入电镀池,使得电镀液能够实时且用量精确地更换,并均匀地投入电镀池内,减少了电镀液转移的时间损耗。
19、2、二极管放置架的底部设置二极管放置区,便于二极管的放置和转移,二极管放置区的底部设置多个通孔,使得电镀过程中产生的悬浮固体杂质滤出,避免固体杂质堆积而污染芯片。
1.一种瞬态抑制二极管用电镀设备,其特征在于,包括电镀装置(1)、二极管放置架(2),所述电镀装置(1)包括电镀池体(3),所述电镀池体(3)一侧设置电镀液储存箱(4),所述电镀液储存箱(4)底端引出连接管(7),所述连接管(7)相对的另一端连接在提升泵(8)的进口端上,所述提升泵(8)的出口端连接输送管(9),所述输送管(9)通过固定件(11)固定在所述电镀池体(3)上,所述电镀池体(3)一侧设置电源箱(13),所述电源箱(13)顶部引出电线(14),所述电线(14)一端连接阳极固定结构(17),所述阳极固定结构(17)上设置阳极物质(18),所述阳极固定结构(17)伸入所述电镀池体(3)内的电镀液(19)中,二极管放置在二极管放置架(2)上。
2.根据权利要求1所述的一种瞬态抑制二极管用电镀设备,其特征在于,所述电镀液储存箱(4)上端设置配套的带把盖板(5),所述电镀液储存箱(4)内放置新电镀液(6)。
3.根据权利要求1所述的一种瞬态抑制二极管用电镀设备,其特征在于,所述提升泵(8)和连接管(7)放置在提升泵箱(10)内,所述输送管(9)上下贯穿所述提升泵箱(10),并从所述提升泵箱(10)上端进入外界环境。
4.根据权利要求3所述的一种瞬态抑制二极管用电镀设备,其特征在于,所述输送管(9)从所述提升泵箱(10)内延伸至所述电镀池体(3)上端,并沿着所述电镀池体(3)上端走向进行分布。
5.根据权利要求4所述的一种瞬态抑制二极管用电镀设备,其特征在于,所述输送管(9)上设置多个喷头(12)。
6.根据权利要求1所述的一种瞬态抑制二极管用电镀设备,其特征在于,所述电源箱(13)上设置挡板(15),所述挡板(15)设置安装板(16),所述安装板(16)通过紧固件固定在所述电镀池体(3)上。
7.根据权利要求6所述的一种瞬态抑制二极管用电镀设备,其特征在于,所述电线(14)贯穿所述挡板(15),贯穿处设置密封垫。
8.根据权利要求1所述的一种瞬态抑制二极管用电镀设备,其特征在于,所述二极管放置架(2)的底部设置二极管放置区(20),所述二极管放置区(20)的底部设置多个通孔(21),所述二极管放置架(2)的侧面设置加强筋(22)。