一种用于半导体器件生产的金属电镀装置的制作方法

本技术涉及半导体制造相关，具体为一种用于半导体器件生产的金属电镀装置。

背景技术：

1、目前在半导体器件制造过程中，电镀是一种常用的在基板上沉积金属薄膜的方法。

2、尤其是，在先进封装技术中，通常采用电镀在基板上形成铜柱、焊点等实现芯片基板互连，电镀具有工艺简单、成本低、易于批量生产等优点。在晶圆级封装的批量生产中，晶圆电镀是芯片制造中的一个重要工艺步骤；而现有的电镀设备在进行电镀金属效果比较差，片内金属沉积厚度均匀性差。

技术实现思路

1、为解决现有技术存在现有的电镀设备在进行电镀金属效果比较差，片内金属沉积厚度均匀性差的缺陷，本实用新型提供一种用于半导体器件生产的金属电镀装置。

2、为了解决上述技术问题，本实用新型提供了如下的技术方案：

3、本实用新型一种用于半导体器件生产的金属电镀装置，包括电镀槽以及用于对晶圆进行承载的载具；所述电镀槽内设有对载具上的晶圆进行上表面以及下表面的喷流管，且所电镀槽内部的设置有安装座，所述喷流管的两端经轴承与安装座转动连接，且所述喷流管上设有多个喷流孔，且所述电镀槽内还设有对电镀液进行循环的循环泵，且所述循环泵的出液端经导管与喷流管的一端连接；电镀槽内设有驱动喷流管摆动的摆动机构。

4、作为本实用新型的一种优选技术方案，所述摆动机构包括设置在喷流管一端定位圆盘，以及设置在电镀槽上的且不没入到电镀液内的伸缩推杆，且所述伸缩推杆的伸缩端设有与定位圆盘之间铰接有连杆。

5、作为本实用新型的一种优选技术方案，所述循环泵的进液端设有过滤筒。

6、作为本实用新型的一种优选技术方案，所述过滤筒包括上端为开口的过滤壳体，且所述过滤壳体的底部设有与循环泵的进液端连接的连接管，且所述过滤壳体的内部设有过滤腔，且所述过滤腔内设有过滤网筒。

7、作为本实用新型的一种优选技术方案，所述过滤网筒内外端部设有向内凹进的收纳槽。

8、本实用新型的有益效果是：

9、该种用于半导体器件生产的金属电镀装置其中通过在电镀槽内设有对载具上的晶圆进行上表面以及下表面的喷流管，并且利用摆动机构来驱动喷流管摆动，从而将电镀液均匀的喷扫到晶圆的表面，从而使得晶圆片内金属沉积厚度均匀，并且喷流的电镀液对整个电镀槽的液体进行搅动的作用，确保电镀液浓度的一致，从而具有较好的电镀效果。其中驱动机构是设置在喷流管一端定位圆盘，以及设置在电镀槽上的且不没入到电镀液内的伸缩推杆，且所述伸缩推杆的伸缩端设有与定位圆盘之间铰接有连杆，这样在伸缩推杆伸缩的过程中，则通过连杆带动定位圆盘摆动，进而带动喷流管转动，从而实现喷流管的摆动，该结构具有结构简单和易于控制的特点。

技术特征：

1.一种用于半导体器件生产的金属电镀装置，包括电镀槽（1）以及用于对晶圆进行承载的载具（17）；其特征在于：所述电镀槽（1）内设有对载具上的晶圆进行上表面以及下表面的喷流管（2），且所电镀槽（1）内部的设置有安装座（3），所述喷流管（2）的两端经轴承与安装座（3）转动连接，且所述喷流管（2）上设有多个喷流孔（4），且所述电镀槽（1）内还设有对电镀液进行循环的循环泵（5），且所述循环泵（5）的出液端经导管（6）与喷流管（2）的一端连接；电镀槽（1）内设有驱动喷流管（2）摆动的摆动机构（7）。

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件生产的金属电镀装置，其特征在于，所述摆动机构（7）包括设置在喷流管（2）一端定位圆盘（8），以及设置在电镀槽（1）上的且不没入到电镀液内的伸缩推杆（9），且所述伸缩推杆（9）的伸缩端设有与定位圆盘（8）之间铰接有连杆（10）。

3.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件生产的金属电镀装置，其特征在于，所述循环泵（5）的进液端设有过滤筒（11）。

4.根据权利要求3所述的一种用于半导体器件生产的金属电镀装置，其特征在于，所述过滤筒（11）包括上端为开口的过滤壳体（12），且所述过滤壳体（12）的底部设有与循环泵（5）的进液端连接的连接管（13），且所述过滤壳体（12）的内部设有过滤腔（14），且所述过滤腔内设有过滤网筒（15）。

5.根据权利要求4所述的一种用于半导体器件生产的金属电镀装置，其特征在于，所述过滤网筒（15）内外端部设有向内凹进的收纳槽（16）。

技术总结
本技术公开了一种用于半导体器件生产的金属电镀装置，包括电镀槽以及用于对晶圆进行承载的载具；所述电镀槽内设有对载具上的晶圆进行上表面以及下表面的喷流管，且所电镀槽内部的设置有安装座，所述喷流管的两端经轴承与安装座转动连接，且所述喷流管上设有多个喷流孔，且所述电镀槽内还设有对电镀液进行循环的循环泵，且所述循环泵的出液端经导管与喷流管的一端连接；电镀槽内设有驱动喷流管摆动的摆动机构；本技术对载具上的晶圆进行上表面以及下表面的喷流管，并且利用摆动机构来驱动喷流管摆动，从而将电镀液均匀的喷扫到晶圆的表面，从而使得晶圆片内金属沉积厚度均匀。

技术研发人员：谢红,谢丁生,吕学飞,王韶华,晏建发,赵振浩,林伟旺
受保护的技术使用者：上海亚曼光电科技有限公司
技术研发日：20231107
技术公布日：2024/6/18