氮化硅结合碳化硅侧块砖的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电解炉配套使用的耐高温砖材料技术领域。
【背景技术】
[0002]以氮化娃为主要结合相的碳化娃制品。一般含碳化娃70%?75%,氮化娃18%?25%。具有良好抗腐蚀能力,1400°C抗折强度达50?55MPa,显气孔率15%。热膨胀系数(4.5?5.0) X10-2°C-1。采用高温烧成法制备。主要用于高炉风口、铝电解槽内衬等。
[0003]目前在电解铝行业使用的氮化硅结合碳化硅侧块砖主要有平板式和带防滑槽式,砖与砖的接触面均为平面,在使用过程中,容易造成渗液,缩短了氮化硅结合碳化硅侧块砖的寿命,并在砌筑过程中比较繁琐,一般情况均为一边处理一边砌。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型所要解决的技术问题,是针对上述存在的技术不足,提供一种可以快速安装、结构牢固的氮化硅结合碳化硅侧块砖,它的外观整齐,构造简单,提高了氮化硅结合碳化娃侧块砖的寿命。
[0005]本实用新型采用的技术方案是:提供一种氮化硅结合碳化硅侧块砖,包括砖本体,砖本体在厚度方向分为中间的定位层和定位层两侧的接触层;定位层与接触层的大小形状均相同;两个接触层在砖本体的厚度方向上对齐设置;定位层相对两个接触层偏心设置,形成左上方的L形凸起和右下方的L形凹槽。
[0006]进一步优化本技术方案,氮化硅结合碳化硅侧块砖的两个接触层的外表面为光滑面。
[0007]进一步优化本技术方案,氮化硅结合碳化硅侧块砖的L形凸起和L形凹槽的外表面均为光滑面。
[0008]本实用新型的有益效果是:1、砌筑时,砖本体之间通过L形凸起和L形凹槽上下左右均连接起来,结构稳固,并且铝液不易从间隙中渗出。2、接触层的外表面为光滑面,可以降低铝液挂壁,清洁方便。3、L形凸起和L形凹槽的外表面均为光滑面,可以减小砌筑时的空隙,降低铝液的渗透速度。
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型的使用状态示意图;
[0010]图2为图1的分解示意图。
[0011]图中,1、砖本体;2、接触层;3、定位层;4、L形凸起;5、L形凹槽。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细的说明。
[0013]图2所示,氮化硅结合碳化硅侧块砖,包括砖本体1,砖本体I在厚度方向分为中间的定位层3和定位层3两侧的接触层4 ;定位层3与接触层2的大小形状均相同;两个接触层2在砖本体I的厚度方向上对齐设置;定位层3相对两个接触层2偏心设置,形成左上方的L形凸起4和右下方的L形凹槽5 ;两个接触层2的外表面为光滑面;L形凸起4和L形凹槽5的外表面均为光滑面。
[0014]如图1所示,本实用新型在砌筑时,无论是上下一列一列的砌筑还是左右一行行的砌筑均可以,砖本体I的四周均通过L形凸起4和L形凹槽5扣接配合,既能保证平整,又能连接牢固,并且铝液不易从间隙中渗出。接触层2的外表面为光滑面,可以降低铝液挂壁,清洁方便。L形凸起4和L形凹槽5的外表面均为光滑面,可以减小砌筑时的空隙,降低铝液的渗透速度。
[0015]对于与电解槽边缘对接的砖本体I可以通过切削工具将边缘削平,只保留与内部的L形凸起4和L形凹槽5即可。
【主权项】
1.一种氮化娃结合碳化娃侧块砖,其特征在于:包括砖本体(1),砖本体(I)在厚度方向分为中间的定位层(3)和定位层(3)两侧的接触层(4);定位层(3)与接触层(2)的大小形状均相同;两个接触层(2)在砖本体(I)的厚度方向上对齐设置;定位层(3)相对两个接触层(2)偏心设置,形成左上方的L形凸起(4)和右下方的L形凹槽(5)。
2.根据权利要求1所述的氮化硅结合碳化硅侧块砖,其特征在于:两个接触层(2)的外表面为光滑面。
3.根据权利要求1所述的氮化硅结合碳化硅侧块砖,其特征在于:L形凸起(4)和L形凹槽(5)的外表面均为光滑面。
【专利摘要】本实用新型公开了一种氮化硅结合碳化硅侧块砖,涉及电解炉配套使用的耐高温砖材料技术领域。它包括砖本体,砖本体在厚度方向分为中间的定位层和定位层两侧的接触层;定位层与接触层的大小形状均相同;两个接触层在砖本体的厚度方向上对齐设置;定位层相对两个接触层偏心设置,形成左上方的L形凸起和右下方的L形凹槽。本实用新型的外观整齐,构造简单,提高了氮化硅结合碳化硅侧块砖的寿命。
【IPC分类】F27D1-04, C25C3-08
【公开号】CN204474770
【申请号】CN201520116041
【发明人】巴爱民, 巴爱国
【申请人】山东宇佳新材料有限公司
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2015年2月26日