半导体Maxis机台LED托盘异型密封圈的制作方法

半导体maxis机台led托盘异型密封圈
技术领域
1.本实用新型涉及半导体刻蚀设备领域，具体涉及半导体maxis机台led托盘异型密封圈。


背景技术：

2.在进口的maxis机型的刻蚀设备中，托盘的凹槽处是需要放置密封圈，再在密封圈上放置晶圆片，然后再在上面放置托盘盖板，整体组成一个完整的密封结构。
3.本实用新型的发明人发现，在使用过程中，由于外部气体会从托盘的气孔中流入，对晶圆表面产生物理化学机械反应，密封结构要对各种流入的气体起到耐受和长时间使用下依旧能保持良好弹性等作用；同时，maxis机台中的铝托盘在使用时会倒置，也需要避免密封件因倒置致使脱落；现有的密封结构存在安装困难，与铝托盘沟槽配合不佳，密封气体氦漏偏低等问题，同时，现有的密封结构也无法解决因表面粘晶圆片，密封结构倒置密封件掉落等问题。因此，开发半导体maxis机台led托盘异型密封圈是很有必要的。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于解决上述问题，提供半导体maxis机台led托盘异型密封圈，通过开设第一凹槽，降低了密封圈与晶圆片的接触面积，“v”字型结构，也可以极大程度上缓解密封圈与晶圆片发生粘连的情况；在长时间高频次更换晶圆的过程中，第二凹槽和第三凹槽的回弹力可以有效延长密封件寿命。
5.为实现上述目的，本实用新型采取了以下技术方案。
6.半导体maxis机台led托盘异型密封圈，包括本体，所述本体的一端设置有第一凹槽，所述本体的一侧设置有第二凹槽，所述本体的另一侧设置有第三凹槽，所述本体的一侧设置有第一凸台，所述本体的另一侧设置有第二凸台，所述第二凹槽和所述第三凹槽对立设置，所述第一凸台与所述第二凸台对立设置。
7.进一步，所述本体的一侧设置有第一斜坡，所述本体的另一侧设置有第二斜坡，所述第一斜坡与所述第二斜坡相对应设置。
8.进一步，所述第一斜坡靠近所述第一凸台设置，所述第二斜坡靠近所述第二凸台设置。
9.进一步，所述第一凹槽的角度为120-150度。
10.进一步，所述第二凹槽为倒三角状凹槽。
11.进一步，所述第三凹槽为倒三角状凹槽。
12.进一步，所述本体采用氟胶密封圈。
13.进一步，所述本体的表面涂覆有派瑞林涂层。
14.进一步，所述本体为圆环状，所述本体的一端设置有横截面平台。
15.进一步，所述本体采用喷砂工艺进行处理
16.本实用新型半导体maxis机台led托盘异型密封圈的积极效果是：
17.本实用新型通过开设第一凹槽，降低了密封圈与晶圆片的接触面积，“v”字型结构，也可以极大程度上缓解密封圈与晶圆片发生粘连的情况；在长时间高频次更换晶圆的过程中，第二凹槽和第三凹槽的回弹力可以有效延长密封件寿命，也避免本体在长时间受压缩后会变硬失去弹性；第一凸台和第二凸台可以有效保证在倒置的情况下，密封圈不会掉落；材料选择低压缩永久变形的氟胶材质，受压缩后恢复变形较好；同时第一斜坡和第二斜坡在受压缩后可以提供更多有效回弹，在工作过程中有极好的调节能力；本体的表面涂覆派瑞林涂层，保证在长期使用的过程中半导体刻蚀设备中的各种特殊气体和特殊液体不会对本体产生影响。
附图说明
18.图1是本实用新型实施例提供的示意图。
19.图2是本实用新型实施例提供的剖视图。
20.图中的标号分别为：
21.1、本体；2、第一凹槽；3、第二凹槽；4、第三凹槽；5、第一凸台；6、第二凸台；7、第一斜坡；8、第二斜坡。
具体实施方式
22.以下结合附图给出对本实用新型半导体maxis机台led托盘异型密封圈的具体实施方式，但是需要指出：所述具体实施方式并不用于限定本实用新型的具体实施。凡是采用本实用新型的相似结构及其相似变化均应列入本实用新型的保护范围。以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本实用新型可用以实施的特定实施例。实施例中所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本实用新型，而非用以限制本实用新型。
23.参见图1和图2。半导体maxis机台led托盘异型密封圈，包括本体1，所述本体1的一端设置有第一凹槽2，所述本体1的一侧设置有第二凹槽3，所述本体1的另一侧设置有第三凹槽4，所述本体1的一侧设置有第一凸台5，所述本体1的另一侧设置有第二凸台6，所述第二凹槽3和所述第三凹槽4对立设置，所述第一凸台5与所述第二凸台6对立设置。所述本体1的一侧设置有第一斜坡7，所述本体1的另一侧设置有第二斜坡8，所述第一斜坡7与所述第二斜坡8相对应设置。所述本体1为圆环状，所述本体1的一端设置有横截面平台，横截面平台的长度为30-35毫米，本实施例中，横截面平台的长度为33毫米。
24.图示2中，本体1上端的凹槽即为第一凹槽2，所述第一凹槽2的角度为120-150度，一种实施例中，第一凹槽2的角度为145度；一种实施例中，第一凹槽2的角度为120度，一种实施例中，第一凹槽2的角度为150度。根据本体1的承重、大小和各方面因素，并结合材料的疲劳强度来决定合适的角度。
25.所述第二凹槽3为倒三角状凹槽，即图示2中，本体1左侧的凹槽。所述第三凹槽4为倒三角状凹槽，即图示2中，本体1右侧的凹槽。第二凹槽3和第三凹槽4的底部设置有半径为0.3毫米的圆底。本实施例中，第二凹槽3和第三凹槽4的大小外形一致。第二凹槽3和第三凹槽4的宽度为0.9-1.3毫米，本实施例中，第二凹槽3和第三凹槽4的宽度为1.14毫米。第二凹槽3和第三凹槽4的深度为1-1.3毫米，本实施例中第二凹槽3和第三凹槽4的深度为1.16毫
米。
26.第一凸台5即图示2中左侧的凸台，第二凸台6即图示2中右侧的凸台。第一凸台5和第二凸台6的中心位置，距离底部的距离为0.4-0.6毫米，本实施例中，第一凸台5和第二凸台6距离底部的距离为0.53毫米，第一凸台5和第二凸台6的宽度根据实际情况而定。第一凸台5和第二凸台6的厚度为0.1-0.3毫米，本实施例中，第一凸台5和第二凸台6的厚度为0.22毫米。
27.第一斜坡7位于图示2中本体1的左下方，所述第一斜坡7靠近所述第一凸台5设置。第二斜坡8位于图示2中本体1的右下方，所述第二斜坡8靠近所述第二凸台6设置。具体实施时，也可以不设置第一斜坡和第二斜坡。
28.在另一种实施例中，在半导体刻蚀设备，应用于宝蓝色衬底铝托盘密封中，也会存在密封时效性偏低，不能满足长时间高频次更换晶圆片的氦漏达标等问题。本体1为“o”型圈，不设置第一凹槽2、第二凹槽3、第三凹槽4、第一凸台5、第二凸台6、第一斜坡7和第二斜坡8，本体1表面进行喷砂处理，喷砂处理后的本体1会减少与晶圆片的粘连现象；本体1采用氟胶密封圈，本体1的表面涂覆有派瑞林涂层，采用以上方式，也可以提高密封性以及降低更换晶圆片时出现粘片现象。
29.在另一种实施例中，本体1为“o”型圈，第一凹槽2为深度超过本体中心的凹槽，并在凹槽的外侧设置有圆弧倒角，不设置第二凹槽3、第三凹槽4、第一凸台5、第二凸台6、第一斜坡7和第二斜坡8，本体1的材料选择低压缩永久变形的硅胶材质，本体1的表面涂覆有派瑞林涂层。采用以上方式，也可以解决部分刻蚀设备气体密封氦检漏率偏高及晶圆片刻蚀良率不高的问题。
30.本实用新型通过开设第一凹槽2，降低了密封圈与晶圆片的接触面积，“v”字型结构，也可以极大程度上缓解密封圈与晶圆片发生粘连的情况；在长时间高频次更换晶圆的过程中，第二凹槽3和第三凹槽4的回弹力可以有效延长密封件寿命；第一凸台5和第二凸台6可以有效保证在倒置的情况下，密封圈不会掉落；材料选择低压缩永久变形的氟胶材质，受压缩后恢复变形较好；同时第一斜坡7和第二斜坡8在受压缩后可以提供更多有效回弹，在工作过程中有极好的调节能力；本体1的表面涂覆派瑞林涂层，保证在长期使用的过程中半导体刻蚀设备中的各种特殊气体和特殊液体不会对橡胶件表面产生影响。