一种三自由度主被动防微振基座的制作方法

本技术涉及隔振装置，具体是一种三自由度主被动防微振基座。

背景技术：

1、目前半导体行业飞速发展，半导体生产设备的精度要求越来越高，设备对微振动等环境的要求也越来越敏感，少许的微振动就会降低设备的产出良率，甚至使设备不能正常工作，因此对微振动的隔离变得越来越重要。

2、由外部环境振动及设备内部反作用力引起的微振动是制约超精密仪器测量精度与超精密加工装备制造精度的关键因素之一，高性能精密隔微振技术成为精密工程、超精密制造等领域的一项核心关键技术。为了系统在低频段获得更好的隔振效果，通常采用降低其固有频率的方法，从而避免在某些频率处发生共振。但是多是垂直方向单一自由度的隔振，隔振带窄，且系统定位精度不理想。如何能够在多自由隔振的同时，获得较高的定位精度，是一直需要解决的问题。

技术实现思路

1、实用新型的目的在于提供一种三自由度主被动防微振基座，以解决上述背景技术中存在的问题。

2、本实用新型的技术方案是这样实现的：

3、一种三自由度主被动防微振基座，包括顶板、减振装置和底座，所述减振装置底部通过支撑座与底座连接，所述减振装置顶部通过连接座与顶板底部连接，所述减振装置为三个，所述支撑座、连接座均呈正三角形分布，所述连接座、支撑座从上而下的投影连接线呈正六角星，所述减振装置包括外壳，所述外壳顶部垂直穿插一根推杆，所述推杆顶部连接有支撑块，所述推杆外侧、外壳顶部内侧与支撑块之间套装有预压弹簧，所述支撑块底部与外壳底部内侧之间安装有压电驱动器，所述推杆顶部安装有柔性铰链，所述柔性铰链顶部通过连接座与顶板底部连接，所述顶板底部安装有位置传感器和速度传感器，所述底座顶部还安装有控制器。

4、进一步地，所述顶板、底座均由不锈钢板制成尺寸相同的圆形结构。

5、进一步地，所述顶板顶部开设有安装孔。

6、进一步地，所述底座开设有穿线孔。

7、进一步地，所述控制器通过电缆与位置传感器、速度传感器、压电驱动器连接。

8、进一步地，所述外壳由不锈钢板制成圆柱形结构。

9、进一步地，所述支撑座与底座通过栓接固定。

10、进一步地，所述连接座与顶板通过栓接固定。

11、本实用新型的有益效果为：

12、本实用新型通过三个隔振装置，正六角星的投影布置，实现三个自由的防微振。本实用新型通过预压弹簧实现高频隔振，通过压电驱动器实现低频隔振，定位精确，通过主被动组合式隔振扩宽了隔振带，对0.5hz~200hz的振动干扰具有较好的隔振效果。

技术特征：

1.一种三自由度主被动防微振基座，包括顶板、减振装置和底座，其特征在于，所述减振装置底部通过支撑座与底座连接，所述减振装置顶部通过连接座与顶板底部连接，所述减振装置为三个，所述支撑座、连接座均呈正三角形分布，所述连接座、支撑座从上而下的投影连接线呈正六角星，所述减振装置包括外壳，所述外壳顶部垂直穿插一根推杆，所述推杆顶部连接有支撑块，所述推杆外侧、外壳顶部内侧与支撑块之间套装有预压弹簧，所述支撑块底部与外壳底部内侧之间安装有压电驱动器，所述推杆顶部安装有柔性铰链，所述柔性铰链顶部通过连接座与顶板底部连接，所述顶板底部安装有位置传感器和速度传感器，所述底座顶部还安装有控制器。

2.根据权利要求1所述的一种三自由度主被动防微振基座，其特征在于，所述顶板、底座均由不锈钢板制成尺寸相同的圆形结构。

3.根据权利要求1所述的一种三自由度主被动防微振基座，其特征在于，所述顶板顶部开设有安装孔。

4.根据权利要求1所述的一种三自由度主被动防微振基座，其特征在于，所述底座开设有穿线孔。

5.根据权利要求1所述的一种三自由度主被动防微振基座，其特征在于，所述控制器通过电缆与位置传感器、速度传感器、压电驱动器连接。

6.根据权利要求1所述的一种三自由度主被动防微振基座，其特征在于，所述外壳由不锈钢板制成圆柱形结构。

7.根据权利要求1所述的一种三自由度主被动防微振基座，其特征在于，所述支撑座与底座通过栓接固定。

8.根据权利要求1所述的一种三自由度主被动防微振基座，其特征在于，所述连接座与顶板通过栓接固定。

技术总结
本技术提供一种三自由度主被动防微振基座，包括顶板、减振装置和底座，所述减振装置底部通过支撑座与底座连接，所述减振装置顶部通过连接座与顶板底部连接，所述减振装置为三个，所述支撑座、连接座均呈正三角形分布，所述连接座、支撑座从上而下的投影连接线呈正六角星，所述减振装置包括外壳，所述外壳顶部垂直穿插一根推杆，所述推杆顶部连接有支撑块，所述推杆外侧、外壳顶部内侧与支撑块之间套装有预压弹簧，所述支撑块底部与外壳底部内侧之间安装有压电驱动器，所述推杆顶部安装有柔性铰链，所述柔性铰链顶部通过连接座与顶部底部连接。本技术定位精确，通过主被动组合式隔振扩宽了隔振带，对0.5Hz~200Hz的振动干扰具有较好的隔振效果。

技术研发人员：胡振军,于欣洋,李兴仁
受保护的技术使用者：大连地拓电子工程技术有限公司
技术研发日：20221227
技术公布日：2024/1/12