一种用于前驱体固体源的钢瓶的制作方法

本技术涉及电子化学品存储设备，尤其涉及一种用于前驱体固体源的钢瓶。

背景技术：

1、半导体前驱体是薄膜沉积工艺的核心制造材料，主要用于气相沉积(包括物理沉积pvd、化学气相沉积cvd及原子气相沉积ald)镀膜过程，以形成半导体制造要求的各种薄膜材料，也可用于半导体外延生长、蚀刻、离子注入掺杂以及清洗等。

2、前驱体以液态或固态存储，通过加热气化或升华应用于半导体工艺，前驱体材料种类多，按照材质分为硅基介电层和金属基，按照应用分为high k高介电常数和low k低介电常数，前驱体材料具有毒性、腐蚀性、易燃易爆等高危险性。

3、固体前驱体需要先蒸发，再由惰性气体带出，由于加热不均匀，惰性气体与前驱体混合不均匀可能造成良率下降，甚至造成停机，而前驱体存储设备内部构造不合理也会造成内部结焦或前驱体残留，造成材料的浪费，增加运营成本。

技术实现思路

1、本实用新型提供一种用于前驱体固体源的钢瓶，以克服上述技术问题。

2、为了实现上述目的，本实用新型的技术方案是：

3、一种用于前驱体固体源的钢瓶，包括上盖、前驱体源装载盘、螺旋通道、格栅、进气阀门和出气阀门；

4、所述前驱体源装载盘的上侧设有所述上盖，所述上盖和所述前驱体源装载盘的中心相对应，所述上盖的上侧设有所述进气阀门和所述出气阀门，所述出气阀门设于所述上盖的中心处，所述进气阀门设于靠近所述上盖的边缘处；

5、所述前驱体源装载盘内部设有所述螺旋通道，所述螺旋通道以所述前驱体源装载盘的中心为中心，向外依次形成多个圆环形载气通道，载气从所述进气阀门向下运动进入所述圆环形载气通道的进气口处，沿所述圆环形载气通道运动，从所述圆环形载气通道的出气口处向上运动经所述出气阀门排出；

6、所述圆环形载气通道的径向方向设有多个所述格栅，所述格栅的底部固定连接于所述前驱体源装载盘的底部，所述格栅的两端设于所述螺旋通道上。

7、进一步的，还包括密封圈，所述密封圈设于所述上盖和所述前驱体源装载盘之间。

8、进一步的，所述格栅上设有多个菱形格栅开孔。

9、进一步的，还包括螺旋出气结构，所述螺旋出气结构为圆锥体结构，所述螺旋出气结构设于所述前驱体源装载盘的底边中心处。

10、进一步的，还包括涡流进气结构，所述涡流进气结构设于所述圆环形载气通道的进气口处，所述涡流进气结构包括依次设置的弧形凸起部和弧形凹陷部。

11、有益效果：本实用新型公开的一种用于前驱体固体源的钢瓶，通过在前驱体源装载盘上设置螺旋通道，增加了对前驱体固体源的加热表面，有利于对固体前驱体进行均匀加热，惰性气体沿螺旋通道均匀流动，有利于惰性气体与前驱体混合均匀，通道内部加装了多个格栅，有利于增强气体的湍流流动性能，加强惰性气体与前驱体气体的混合均匀，本申请使固体前驱体的受热蒸发更加均匀，减小了前驱体存储设备内部的固体物质残留和结焦，本申请还能够使惰性气体和前驱体气体的混合更均匀，让前驱体固态源更稳定地产生气体，提高前驱体气体的产出质量，本申请结构简单，便于加工制造，价格便宜，维护费用少，降低成本。

技术特征：

1.一种用于前驱体固体源的钢瓶，其特征在于：包括上盖(1)、前驱体源装载盘(2)、螺旋通道(3)、格栅(4)、进气阀门(5)和出气阀门(6)；

2.根据权利要求1所述的一种用于前驱体固体源的钢瓶，其特征在于：还包括密封圈(7)，所述密封圈(7)设于所述上盖(1)和所述前驱体源装载盘(2)之间。

3.根据权利要求1所述的一种用于前驱体固体源的钢瓶，其特征在于：所述格栅(4)上设有多个菱形格栅开孔(41)。

4.根据权利要求1所述的一种用于前驱体固体源的钢瓶，其特征在于：还包括螺旋出气结构(9)，所述螺旋出气结构(9)为圆锥体结构，所述螺旋出气结构(9)设于所述前驱体源装载盘(2)的底边中心处。

5.根据权利要求1所述的一种用于前驱体固体源的钢瓶，其特征在于：还包括涡流进气结构(8)，所述涡流进气结构(8)设于所述圆环形载气通道(10)的进气口处，所述涡流进气结构(8)包括依次设置的弧形凸起部(81)和弧形凹陷部(82)。

技术总结
本技术公开了一种用于前驱体固体源的钢瓶，其包括上盖、前驱体源装载盘、螺旋通道、格栅、进气阀门和出气阀门，所述前驱体源装载盘的上侧设有所述上盖，所述上盖的上侧设有所述进气阀门和所述出气阀门，所述前驱体源装载盘内部设有所述螺旋通道，所述螺旋通道依次形成多个圆环形载气通道，载气从所述进气阀门进入所述圆环形载气通道的进气口处，沿所述圆环形载气通道运动，从所述圆环形载气通道的出气口处经所述出气阀门排出；所述圆环形载气通道的径向方向设有多个所述格栅；本申请有利于对固体前驱体进行均匀加热，减小了前驱体存储设备内部的固体物质残留和结焦，能够使惰性气体和前驱体气体的混合更均匀，提高前驱体气体的产出质量。

技术研发人员：曲胜伟,邓涛,王英伋,李鑫涛,华洋,任广言
受保护的技术使用者：大连恒坤新材料有限公司
技术研发日：20240229
技术公布日：2024/11/4