专利名称：电容式压力微传感元件及制造方法与信号读取方法
技术领域：
本发明涉及一种指纹辨识用压力微传感元件，尤其涉及一种与集成电路工艺相匹配的电容式压力微传感元件，及其制造方法与信号的数字式读取结构，以便将传感元件与读取处理电路集成化结合，完成系统化芯片制作的目的。
公知的指纹辨识方法，最古老者是利用手指按墨水，压印在纸上，再利用光学扫描输入计算机中与数据库中的指纹图形比对，其最大缺点为无法达到即时处理的目的，因此无法满足越来越多即时认证的需求，例如网络认证，电子商务，携带式电子产品保密，IC卡个人身分认证，保全系统等等。
于是几种可以作为即时指纹辨识的传感系统应运而生，包括属于光学方法的，参见美国专利编号4,053,228及4,340,300；电子式的即时指纹辨识系统有属于压电材料或电接触方法的，参见美国专利编号4,394,773、5,503,029、5,400,662、5,844,287；属于手指静电感应方法的，参见美国专利编号4,429,413。
其中，光学系统的价格较为昂贵，消耗功率高(光源消耗)且体积较大(受限光学零组件的尺寸及光学成像所需固定距离的安排)，使得其不适用于许多携带式电子产品如笔记型计算机及移动电话等。至于电子式的系统体积上有相当大的改善，然而仍有功率消耗大(电接触式的传感元件在二电极接触时会有电流流通)，不易与集成电路工艺结合(压电材料的制作不匹配于集成电路工艺)，以及易受灰尘及手指上的汗水影响(静电感应方法)，使得目前公知技术所制作的即时指纹辨识系统仍无法同时达到小与薄、制造容易、稳定度高、功率消耗低以及价格便宜等要求，以利其应用推广，作为最佳身分认证使用。
所以，本发明的一目的是提供一种电容式压力微传感元件，使接触至此微传感元件表面的手指纹路，可通过其内部电容的电压变化而快速地进行辨识。
本发明的另一目的是提供一种电容式压力微传感元件的制造方法，使此一微传感元件得以通过一集成电路工艺制作于单一芯片上。此一方法不但可简化一指纹辨识装置的工艺，更可以大幅地降低其制造成本。
本发明的又一目的是提供一种指纹辨识装置的信号读取方法，此方法利用一改良式动态随机存取存储器的信号读取结构，读取此指纹辨识装置内的电容式压力微传感元件阵列的信号，使每一微传感元件的信号得以正确地传递至每一位线上，不受位线寄生电容的影响。
根据本发明，该电容式压力微传感元件包含；一基板及制作于该基板上方的一平行板电容，与位于该平行板电容旁、用以读取该平行板电容信号的一信号读取电路。该平行板电容的结构至少包含一第一电极板、一第二电极板、介于第一电极板与第二电极板间的一空气间隙，以及位于第二电极板上方的中央部分的至少一凸块。该第一电极板位于该平行板电容的底部且固定于基板之上；而该第二电极板则为具有至少一只连接脚的一悬浮薄板，其中，该至少一只连接脚是用以支撑该悬浮薄板，其一端连接至悬浮薄板，另一端则固定于基板之上。该电容式压力微传感元件的表面还包含一高分子保护层，用以保护该压力微传感元件，并作为一手指接触面。
同时，制作于该电容式压力微传感元件的第二电极板上方的至少一凸块的较佳高度范围，应介于2微米至10微米之间。
根据本发明，该电容式压力微传感元件的制造方法为一次微米、n层铝金属集成电路工艺，该n值至少大于等于2。
该电容式压力微传感元件的制造方法至少包含下列步骤淀积一第n-2层金属间介电层；于第n-2层金属间介电层间制作多个介电层穿孔；淀积一钨金属膜，并完成深蚀刻步骤，以在第n-2层金属间介电层间构成多个金属栓塞柱；淀积第n-1层金属层，该第n-1层金属层是包含一层钛、一层铝合金及一层氮化钛；通过光致抗蚀剂于预定的位置上，去除部分面积的第n-1层金属层；淀积第n-1层金属间介电层；于第n-1层金属间介电层上方，淀积第n层金属层，此金属层是为一铝金属层；通过光致抗蚀剂于预定的位置上，去除部分面积的第n层金属层；淀积一层保护层；于保护层上方，通过光致抗蚀剂于预定的位置上定义出一保护层蚀刻窗；去除蚀刻窗内的该保护层、第n-1层金属间介电层及第n-1层金属层的氮化钛，以曝露出第n-1层金属层的铝合金表面；于第n-1层金属层的中央部分、保护层上方，制作至少一凸块；选择性地去除第n-1层金属层中的铝合金，留下底部的钛金属，以制作出一空气间隙，使其上方的第n-1层金属间介电层、第n层金属层及保护层，形成由至少一只连接脚支撑的一悬浮薄板结构，并与第n-1层金属层的钛金属形成一平行板电容；以及，在此元件表面上方，喷洒涂布一高分子保护层。
如上所述，根据本发明，此方法还包含下列步骤在淀积第n-1层金属层之前，利用反应式离子蚀刻，深蚀刻该第n-2层金属间介电层至一深度，以暴露出多个金属栓塞柱于第n-2层金属间介电层表面，其中，深蚀刻的深度应至少大于0.1微米。
根据本发明，该指纹辨识装置的信号读取方法是利用一惯用动态随机存取存储器(DRAM)的电路结构，读取该装置所包含的电容式压力微传感元阵列的信号，该方法至少包含下列步骤配置一惯用动态随机存取存储器(DRAM)的电路结构，包含一组位线、一组字线、一组地址解码器；将该电容式压力微传感元件阵列的每一平行板电容及每一位线分别连接上一电流源；配置一金属氧化半导体开关(MOS Switch)于每一平行板电容与每一位线之间；再利用该开关将每一平行板电容的电压传递至其所连接的位线上。
根据本发明，该指纹辨识装置的另一信号读取方法则是利用一改良式动态随机存取存储器(DRAM)的电路结构，读取该装置所包含的电容式压力微传感元件阵列的信号，此方法至少包含下列步骤配置一惯用动态随机存取存储器(DRAM)的电路结构，包含一组位线、一组字线、一组地址解码器；将此电容式压力微传感元件阵列的每一平行板电容及每一位线分别连接上一电流源；配置一P型金属氧化物半导体源极跟随器(PMOS Source Follower)于每一平行板电容与每一位线之间；再利用该P型金属氧化物半导体源极跟随器将每一平行板电容的电压传递至其所连接的位线上，以避免每一位线的寄生电容的干扰。
关于本发明的目的、特性及优点，在参考下列内容及
之后，将可更清楚明了。
图1为本发明的一实施例的电容式压力微传感元件阵列的立体结构图；图2为本发明的电容式压力微传感元件内部的平行板电容与信号读取电路的配置图；图3为图1的电容式压力微传感元件阵列与手指接触时的剖面图；图4A至4C为图1所示的电容式压力微传感元件阵列沿图1的线B-B的剖面制造程序图；图5为本发明另一实施例的电容式压力微传感元件的改良工艺示意图；图6为一惯用的动态随机存取存储器的读取结构图；图7为本发明的电容式压力微传感元件阵列的详细结构图；图8为本发明的指纹辨识装置的改良式信号读取结构图。
图9为本发明的指纹辨识装置的改良式信号读取结构的输入电压与时间的关系图。
参见图1，其为本发明实施例的指纹辨识装置部分的立体结构图。该指纹辨识装置包含多个压力微传感元件10制作于一硅基板200上方，以阵列方法排列，每个压力微传感元件10的间距(pitch)为Y。每一压力微传感元件10的结构主要为一平行板电容20，包含底部的第一电极板(图中未示)以及上方的第二电极板；而第二电极板为一悬浮的薄板结构201，由二只连接脚202支撑；连接脚202的第一端202a与固定基板连接，第二端202b与悬浮薄板201连接；一空气间隙(图中未示)，形成于第一及第二电极板中间；一凸块203，位于悬浮薄板201的中央部分；一高分子保护层，覆盖于整个元件的最表面(图中未示)；在每个压力微传感元件10中，对应于每一平行板电容20的信号读取电路30，制作于每一平行板电容20旁。参见图2，图中所示为一平行板电容20与其信号读取电路30于一压力微传感元件10内部的配置情形。图中所绘制的电路509及510分别代表用以读取信号的一字线及一位线。此压力微传感元件的信号读取方法稍后再加以说明。
参见图3，就图1所示的指纹辨识装置的操作原理作一详细的说明。图3所显示为图1的电容式压力微传感元件阵列与手指接触时的剖面图。其中，压力微传感元件10的平行板电容20是由第一电极板410及第二电极板420组成，两个电极板中间为一空气间隙400。
当手指70接触此压力微传感元件阵列时，仅有部分传感元件与指纹凸点40接触(部分传感元件则是覆盖于指纹凹点50，60下)，并感受到来自手指的压力，此一压力造成传感元件的悬浮薄板产生一位移量d(位移量大小视所承受的压力而定)，进而改变二平行板间的电容值，经由电路读取，即可反应出在此一阵列中，受指纹凸点40接触而产生变化的压力微传感元件10，进而建构出指纹凸点40的形状分布。公知的指纹辨识即是判别指纹凸点在平面上的形状分布，而任两个指纹凸点的间距约略200～800微米，因此压力微传感元件的间距Y必须小于指纹凸点的间距。同时，指纹辨别主要部分的面积约为1cm×1cm，因此若Y等于若80微米，则必须制作128×128个传感元件才能满足要求。
参见图4A至4C，其为图1所示的压力微传感元件阵列沿图1的线B-B的剖面制造程序图。为了简化起见，在此图中仅绘制单一个压力微传感元件10的平行板电容20，用以说明本实施例的压力微传感元件10的主要结构及其制造方法。
(1)如图4A所示，为一利用商用次微米(sub-micron)、n层铝金属硅集成电路工艺(特别是互补型金属氧化物半导体CMOS工艺，而且n值至少大于2)完成的压力微传感元件10半成品。由于集成电路工艺为一公知技术，对于其详细工艺说明在此即不赘述，仅说明平行板电容压力为传感元件的结构及材料属性如下首先，淀积一第n-2层金属间介电层303；于第n-2层金属间介电层303间制作多个介电层穿孔；淀积一钨金属膜，并完成深蚀刻步骤，以在第n-2层金属间介电层间构成多个金属栓塞柱310；再于其表面淀积一第n-1层金属层304，此金属层的结构通常为钛304a/铝合金304b/氮化钛(图中未示)的三明治结构，其中，此第n-1层金属层304是通过其下方第n-2层金属间介电层303中的多个金属拴塞柱310与其下方的导体连线层(图中未示)(为金属层或多晶硅层)连接。利用显影及蚀刻技术去除部分面积的第n-1层金属层304，以留下预定面积的第n-1层金属层304。接着，再于整体表面上覆盖一第n-1层金属间介电层305。之后，再于第n-1层金属间介电层305之上淀积第n层金属层306。该第n层金属层306为一铝金属层。利用显影及蚀刻技术去除部分面积的第n层金属层306；在整体表面上制作一保护层307，再以显影及蚀刻技术同时去除部分保护层307、部分第n-1层金属间介电层305及部分第n-1层金属层304的氮化钛，以曝露出铝合金金属层304b的蚀刻窗口307a。再于保护层307中央上方，以一光致抗蚀剂或金属材料制作一高起的凸块308。该凸块308的较佳高度范围为2微米至10微米之间。
(2)如图4B所示，将完成图4A工艺的芯片置入铝蚀刻溶液中，蚀刻溶液将通过蚀刻窗口307a去除预先定义的铝合金金属层304b而形成一空气间隙400。所采用的铝蚀刻溶液为磷酸、硝酸以及醋酸的混合，在适当的比例调配及温度之下，可以快速去除铝材料(＞1微米/分)。同时，却对于钛304a有极佳的选择性，因此可以完成去铝304b留钛304a的选择性蚀刻技术。而钛304a即是作为平行板电容20的第一金属层，其与第n-2层金属间介电层303及多个金属栓塞柱310构成平行板电容20的第一电极板410。而第n层金属层即为此平行板电容20的第二金属层，其与第n-1层金属间介电层305及保护层307将构成此平行板电容20的第二电极板420，此第二电极板420在经过铝蚀刻之后，将成为由两只连接脚202支撑的一悬浮薄板结构。
(3)如图4C所示，为了更进一步保护压力微传感元件，例如防止灰尘，最后利用喷洒旋布方法在元件的最表面制作一高分子保护层309，例如聚乙烯胺(polyimide)，以形成一封闭腔体的压力微传感元件。
由以上的说明，应注意到，图4A至图4B的制造程序，及所选用的所有材料及制作方法，是完全相匹配于现今的各种商用集成电路工艺的，而图4C的制造程序，却可以不需要任何光刻工艺，以简化工艺，这是本发明最重要的精神-建立无芯片厂(fabless)的生产方法(仅需建立简单的微机电后段工艺)，类似IC设计公司的理念，以利大幅降低成本，增加竞争力。同时，集成化的工艺，更容易结合读取及处理电路于同一芯片上，完成系统化芯片制作。
图5显示本发明的另一实施例的工艺改良示意图。图5所示结构的制造过程与图4A至4C几乎相同的，对于其制作流程在此不赘述，差别仅为在前述工艺的淀积第n-1层金属层304前多一道步骤利用反应式离子蚀刻，深蚀刻第n-2层金属间介电层303至一深度，使多个金属栓塞柱310凸出于第n-2层金属间介电层303表面，其中，深蚀刻的深度应至少大于0.1微米。此举对于后续空气间隙400的形成过程中，有助于防止悬浮薄板201与底部的第一电极板410因液体表面张力而吸附在一起。
以上所述为本发明的电容式压力微传感元件的结构及其制造方法，以下就本发明的电容式压力微传感元件的信号读取方法做一详细的说明。
在本发明中，该指纹辨识装置是由多个电容式压力微传感元件排列成的阵列构成。此一结构与一般惯用的动态随机存取存储器装置中(DRAM)的存储电容排列方法相符，因此，惯用动态随机存取存储器装置中(DRAM)的存储电容读取电路是可以应用于本发明的，此为本发明的一特点，通过DRAM的数字式读出结构(公知技术所有的指纹辨识装置皆为模拟式的读出结构)，可以免除硬件中模拟/数字的转换，以及辨识软件中二元化(binary)的处理。
首先，就惯用的存储器读取结构作一简单的说明。
参见图6，图中所示为传统的存储器读取结构，其中包含存储电容阵列500、数据读写控制501、计时器502、行前置解码器503、闭锁预防504、列解码器505、行解码器506、读取放大器508，以及可提升灵敏度的参考元507(dummy cell)，整个DRAM的读取灵敏度由存储电容阵列500、参考元507及读取放大器508所限制。
图7所示为本发明的电容式压力微传感元件阵列的详细结构图，其中，为了避免邻近传感元件间的干扰，设置一组奇偶字线509a，509b，使其各自交错打开传感元件地址。
而由该指纹辨识装置的信号读取方法，乃是利用一惯用动态随机存取存储器(DRAM)的电路结构，读取此装置所包含的电容式压力微传感元阵列的信号，此方法至少包含下列步骤配置一惯用动态随机存取存储器(DRAM)的电路结构，包含一组位线、一组字线、一组地址解码器；及将此电容式压力微传感元阵列的每一平行板电容及每一位线分别连接上一电流源；以及配置一金属氧化物半导体开关(MOS Switch)于每一平行板电容与每一位线之间；再利用此开关将每一平行板电容的电压传递至其所连接的位线上。
由于位线510(bit-line)本身对硅基板会形成寄生电容，因此位线510越长、传感元件越多，此寄生电容越大，而使得传感元件读取至位线的电压信号大为降低。因此，本发明亦将针对此一问题，提出另一种改良式的信号读取方法。
参见图8及图9，图8所示为本发明的指纹辨识装置的另一改良式信号读取结构，而图9则为此改良式信号读取结构的输入电压与时间的关系图。该新型结构乃是用以解决位线510的寄生电容与电容式压力微传感元件10的电容比例过大，而使得电容式压力微传感元件10读取至位线510的电压信号大为降低的问题。
新结构将每一条位线BL 510及每一个电容式压力微传感元件10的平行板电容20分别接上电流源及P型金属氧化物半导体源极跟随器511，使得平行板电容的第一电极板410上的电压正确地传递到位线上而不受位线寄生电容的影响。
由图8及图9可知，当此一电容式微传感元件在非读取状态下，字线509与脉冲字线512(pulse word line)上的输入电压将为0V，使连接至平行板电容20的P型金属氧化物半导体(PMOS)513将维持在开启的状态，因此第一电极板的接点514与硅基板200同时连接至Vdd，使两者间电容205两端无电位差，故不充电，仅使平行板电容20的第一电极板与第二电极板间的电容204充电；而在读取状态时，字线509与脉冲字线512上的输入电压将为5V，使PMOS 513关闭，切断第一电极板的Vdd电流源，也使反转器520由高电位切换为低电位，则硅基板200为接地状态，相连接于接地的平行板电容第二电极板420。因此，电容204与205的电荷将于第一电极板与硅基板间进行重新分配，之后，再将其电压经由第一电极板的接点514传递至P型金属氧化物半导体源极跟随器511，由于该PMOS源极跟随器的放大率接近于1，位于该源极跟随器511内的P型金属氧化物半导体516的栅极端点517与源极端点518的电压近乎相等，所以，由量测位线BL 510经由端点518流向该源极跟随器511的电压变化，即可获知端点517，亦即第一电极板的电压值。因此，该电容式微传感元件的信号将可正确地传递至位线BL 510上，而不受其寄生电容的干扰。
图9所示为此改良式信号读取结构的输入电压与时间的关系图，电容式微传感元件的读取或非读取状态由字线509与脉冲字线512上的输入电压控制，量测端点518的电压值，即可获知端点517所表示的第一电极板电压值。当电容式微传感元件在非读取的状态下，即对第一电极板与第二电极板间的电容204充电时，字线509与脉冲字线512上的输入电压将为0V，端点517电压值同第一电极板的接点514为Vdd；由非读取状态切换至读取状态前，脉冲字线512须提早切换输入电压至5V，使PMOS 513传输稳定的信号给第一电极板接点514以提早切断Vdd，再切换字线509上的输入电压至5V；读取状态下，电容204的读出信号有两种模式(1)指纹凸点使电容204受压，Cmp为极大值，则端点517的第一电极板电压值为极大值；(2)指纹凹点使电容204不受压时，Cmp为极小值，则端点517的第一电极板电压值为极小值；参考(dummy)电压值为其平均值。读取状态下所量测的端点518的电压变化与端点517的电压变化一致。由比较构成此一指纹辨识装置的每一个电容式压力微传感元件的电压变化，即可得一指纹图像。
在较佳实施例的详细说明中所提出的具体实施例仅用以方便说明本发明的技术内容，而非将本发明狭义地限制于上述实施例，在不超出本发明的精神与权利要求范围的情况下，所作的种种变化实施，仍属于本发明的范围。
权利要求
1.一种电容式压力微传感元件，用于指纹辨识，包含一基板；一平行板电容，制作在该基板上方，用以感应指纹凹凸面所施加的压力，该平行板电容的结构至少包含一第一电极板，位于该平行板电容的底部，且固定在该基板之上；一第二电极板，位于该平行板电容的上部，为具有至少一只连接脚的一悬浮薄板，其中，该至少一只连接脚是用以支撑该悬浮薄板，其一端连接至该悬浮薄板，另一端则固定于该基板上；一空气间隙，位于该第一电极板与该第二电极板之间；及至少一凸块，位于该第二电极板上方的中央部分；一信号读取电路，位于该平行板电容旁，用以读取及输出该平行板电容所传递的信号；以及一高分子保护层，用以保护此压力微传感元件，并作为一手指接触面。
2.如权利要求1的电容式压力微传感元件，其中，该第一电极板至少包含一第一金属层，该第二电极板至少包含一第二金属层。
3.如权利要求2的电容式压力微传感元件，其中，该第一电极板还包含一第一金属间介电层，是介于该基板与该第一金属层之间；及多个金属栓塞柱，是制作在该第一金属间介电层之间；以及该第二电极板还包含一第二金属间介电层，是位于该第二金属层下方；及一保护层，是位于该第二金属层上方。
4.如权利要求3的电容式压力微传感元件，其中，该多个金属栓塞柱，是凸出于该第一金属间介电层表面，用以在该第一金属间介电层与该第一金属层间形成多个金属凸块。
5.如权利要求1、2、3或4的电容式压力微传感元件，其中该第二电极板上方的该至少一凸块的高度范围为2微米至10微米之间。
6.一种电容式压力微传感元件的制造方法，该制造方法为一次微米n层铝金属集成电路工艺，包含下列步骤淀积一第n-2层金属间介电层；在该第n-2层金属间介电层间制作多个介电层穿孔；淀积一钨金属膜，并完成深蚀刻步骤，以在该第n-2层金属间介电层间构成多个金属栓塞柱；淀积第n-1层金属层，该第n-1层金属层包含一层钛、一层铝合金及一层氮化钛；通过光致抗蚀剂在预定的位置上，去除部分面积的该第n-1层金属层；淀积第n-1层金属间介电层；在该第n-1层金属间介电层上方，淀积第n层金属层，此金属层为一铝金属层；通过光致抗蚀剂在预定的位置上，去除部分面积的该第n层金属层；淀积一层保护层；在该保护层上方，通过光致抗蚀剂在预定的位置上定义出一保护层蚀刻窗；去除该蚀刻窗内的该保护层、该第n-1层金属间介电层及该第n-1层金属层的氮化钛，以露出该第n-1层金属层的铝合金表面；在该第n-1层金属层的中央部分、该保护层上方，制作至少一凸块；选择性地去除该第n-1层金属层中的该铝合金，留下底部的该钛金属，以制作出一空气间隙，使其上方的该第n-1层金属间介电层、该第n层金属层及该保护层，形成由至少一只连接脚支撑的一悬浮薄板结构，并与该第n-1层金属层的钛金属形成一平行板电容；以及在此元件表面上方，喷洒涂布一高分子保护层。
7.如权利要求6的电容式压力微传感元件的制造方法，其中，该方法还包含以下步骤在淀积第n-1层金属层前，利用反应式离子蚀刻，深蚀刻该第n-2层金属间介电层至一深度，以暴露出多个金属栓塞柱。
8.如权利要求6或7的电容式压力微传感元件的制造方法，其中，该n值至少大于2。
9.如权利要求6或7的电容式压力微传感元件的制造方法，其中，该凸块是为一光致抗蚀剂或金属材料。
10.如权利要求6或7的电容式压力微传感元件的制造方法，其中，去除该铝合金的选择性蚀刻液为磷酸、硝酸及醋酸的混合酸液。
11.如权利要求6或7的电容式压力微传感元件的制造方法，其中，该高分子保护层的材料是为聚乙烯胺。
12.如权利要求7的电容式压力微传感元件的制造方法，其中，利用反应式离子蚀刻深蚀刻该第n-2层金属间介电层的该深度至少大于0.1微米。
13.一种指纹辨识装置的信号读取方法，此方法是利用一惯用动态随机存取存储器(DRAM)的电路结构读取该装置所包含的电容式压力微传感元阵列的信号，此方法包括配置一惯用动态随机存取存储器(DRAM)的电路结构，包含一组位线、一组字线、一组地址解码器；将该电容式压力微传感元阵列的每一平行板电容及每一位线分别连接上一电流源；配置一P型金属氧化物半导体开关在每一平行板电容与每一位线之间；再利用该P型金属氧化物半导体开关将每一平行板电容的电压传递至其所连接的位线上。
14.一种指纹辨识装置的信号读取方法，此方法是利用一惯用动态随机存取存储器(DRAM)的电路结构读取该装置所包含的一电容式压力微传感元阵列的信号，该方法包括配置一惯用动态随机存取存储器(DRAM)的电路结构，包含一组位线、一组字线、一组地址解码器；将该电容式压力微传感元阵列的每一平行板电容及每一位线分别连接上一电流源；配置一P型金属氧化物半导体源极跟随器于每一平行板电容与每一位线之间；再利用该P型金属氧化物半导体源极跟随器将每一平行板电容的电压传递至其所连接的位线上，以避免每一位线的寄生电容的干扰。
全文摘要
电容式压力微传感元件及制造方法与信号读取方法。该元件结构为平行板电容,包含第一电极板及第二电极板。第一电极板在平行电容底部固定于基板上,第二电极板在平行板电容上部,有至少一只脚的悬浮薄板结构。该元件还包含信号读取电路,在每一平行板电容旁,利用改良式动态随机存取存储器信号读取结构,读取每一平行板电容的信号,而每一平行板电容及其信号读取电路通过集成电路工艺制作在同一芯片上。
文档编号G01D5/24GK1388360SQ0111905
公开日2003年1月1日 申请日期2001年5月25日 优先权日2001年5月25日
发明者周正三, 鄒庆福, 蔡明霖, 郑元伟, 邱俊诚, 林炜挺 申请人:周正三, 邱俊诚