专利名称：传感器敏感芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种传感器敏感芯片。
现有的传感器芯片灵敏强度不够高，并由于有钨质量块的存在，本身的稳定性和可靠度不够理想。
本实用新型的目的是提供一种灵敏度高又稳定、可靠的传感器敏感芯片。
本实用新型的目的是这样实现的在一块芯片的一面上对称腐蚀出两个凹槽，每个凹槽内有把力转变为电阻的装置；在芯片上有一道“[]”形的增敏槽，两个缺口部分的两端分别和两个凹槽连接，增敏槽为腐蚀穿透而形成；芯片的另一面上结构相同。
由于本实用新型采用凹槽，增强了芯片的灵敏度，并可利用本身的质量代替钨质量块，达到了稳定、可靠的效果。
以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
图1是本实用新型的平面结构示意图；图2是本实用新型A-A剖面示意图。
如图1、图2所示，本实用新型是在一块芯片1的一面上对称腐蚀出两个凹槽2，每个凹槽2内有把力转变为电阻的装置3，此装置可以制作成敏感电阻，也可以是应变片。在芯片1上有一道“[]”形的增敏槽4，两个缺口部分的两端分别和两个凹槽2连接，增敏槽4为腐蚀穿透而形成，根据芯片所选择的材料不同，增敏槽孔可以是“‖”形的，也可以是“><”形的，在芯片上其它应力小的部分可制作补偿电路或信号处理电路，芯片上两面结构一致。本传感器芯片可以用于制作成压阻式、电容式和其它形式的力学量敏感元件并用之封装成相应的力学量传感器。
权利要求1.一种传感器敏感芯片，其特征在于在一块芯片(1)的一面上对称腐蚀出两个凹槽(2)，每个凹槽(2)内有把力转变为电阻的装置(3)；在芯片(1)上有一道“[]”形的增敏槽(4)，两个缺口部分的两端分别和两个凹槽(2)连接，增敏槽(4)为腐蚀穿透而形成；芯片(1)的另一面上结构相同。
专利摘要传感器敏感芯片。它是在一块芯片1的一面上对称腐蚀出两个凹槽2,每个凹槽2内有把力转变为电阻的装置3,在芯片1上有一道“ ”形的增敏槽4,两个缺口部分的两端分别和两个凹槽2连接,增敏槽4为腐蚀穿透而形成;在芯片1上其它应力小的部分可制作补偿电路或信号处理电路;芯片1的另一面结构相同。本传感器芯片可以用于制作成压阻式、电容式和其它形式的力学量敏感元件并用之封装成相应的力学量传感器。
文档编号G01L1/04GK2514326SQ01249378
公开日2002年10月2日 申请日期2001年7月27日 优先权日2001年7月27日
发明者唐世洪, 张克梅 申请人:唐世洪, 张克梅