专利名称：像素测量方法
技术领域：
本发明有关于一种像素测量方法，且特别是有关于一种测量显示器中的未敷上发光元件的像素的像素测量方法。
背景技术：
人类最早能看到的动态影像为记录片型式的电影。之后，阴极射线管(Cathode Ray Tube，简称CRT)的发明，成功地衍生出商业化的电视机，并成为每个家庭必备的家电用品。随着科技的发展，CRT的应用又扩展到计算机产业中的桌上型监视器，而使得CRT风光将近数十年之久。但是CRT所制作成的各类型显示器都面临到辐射线的问题，并且因为内部电子枪的结构，而使得显示器体积庞大并占空间，所以不利于薄形及轻量化。
由于上述的问题，而使得研究人员着手开发所谓的平板显示器(FlatPanel Display)。这个领域包含液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)、场发射显示器(Field Emission Display，简称FED)、真空萤光显示器(Vacuum Fluorescent Display，简称VFD)、有机发光二极管(Organic LightEmitting Diode，简称OLED)、以及等离子显示器面板(Plasma Display Panel，简称PDP)。
其中，有机发光二极管又称为有机电激发光显示器(OrganicElectroluminescence Display)，其为自发光性的元件，且为点矩阵式显示器。因为OLED的特性为直流低电压驱动、高亮度、高效率、高对比度、以及轻、薄，并且其发光色泽由红(Red，简称R)、绿(Green，简称G)、以及蓝(Blue，简称B)三原色至白色的自由度高，因此OLED被喻为下一世代的新型平板的发展重点。OLED技术除了兼具LCD的轻薄与高清晰度，以及LED的有源发光、响应速度快与省电冷光源等优点外，还有视角广、色彩对比效果好及成本低等多优点。因此，OLED可广泛应用于移动电话、数字相机、个人数位助理(PDA)乃至于更大面积的显示器。
从驱动方式的观点来看，OLED可分为无源矩阵(Passive Matrix)驱动方式及有源矩阵(Active Matrix)驱动方式两大种类。无源矩阵式OLED的优点在于结构非常简单且不需要使用薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)驱动，因而成本较低，但其缺点为不适用于高清晰度画质的应用，而且在朝向大尺寸面板发展时，会产生耗电量增加、元件寿命降低、以及显示性能不佳等的问题。而有源矩阵式OLED的优点除了可应用在大尺寸的有源矩阵驱动方式的需求外，其视角广、高亮度、以及响应速度快的特性也是不可忽视的，但是其成本会比无源矩阵式OLED略高。
接下来请参照图1，其表示在公知的OLED显示器中的未敷上OLED的一像素的电路示意图。由图1可知，在未敷上OLED(102)之前，像素10包括扫瞄线104、数据线106、切换晶体管108、驱动晶体管110、以及电容112。
由于驱动晶体管110的源极为开路，所以在测量像素10时，不能从驱动晶体管110的漏极测量到流经驱动晶体管110的电荷、电压或电流。如此一来，像素10必须等到敷上OLED(102)后，才能测量到像素10中的全部元件。因此，公知的像素测量方法不能在未敷上OLED(102)之前，测量到与OLED(102)连接的电子元件。
发明内容
有鉴于此，本发明提出一种像素测量方法。该像素测量方法是在未敷上发光元件的像素中，在连接于发光元件的一极的电子元件的开路端，与增加的共用线(或者是显示器中原有的扫瞄线或数据线)之间形成电容。然后，经由电容的充放电，即可测量到与发光元件连接的电子元件，因此本发明可测量到像素中的全部元件。
为达成上述及其他目的，本发明提出一种像素测量方法。该像素测量方法适用于测量显示器中的未敷上发光元件的像素。该显示器包括数条扫瞄线及数条数据线。该像素包括一电子元件。该电子元件的开路端连接到发光元件的一极。在该像素测量方法中，首先会在该像素中增加一共用线。接着形成一电容，该电容具有第一端及第二端，其中第一端连接到该开路端及该极，而第二端连接到该共用线。接着，当该电子元件导通时会对该电容进行充电，当该像素关断后，该电容会经由该电子元件而放电到该电子元件的测量端，之后，由测量该测量端即可得知流经该电子元件的电荷、电压或电流。
在本发明的优选实施例中，该电容以铟锡氧化物(ITO)覆盖该共用线而形成。
在本发明的优选实施例中，该共用线以金属形成。
在本发明的优选实施例中，该电子元件系驱动晶体管。
在本发明的优选实施例中，发光元件系有机发光二极管。
在本发明的优选实施例中，该显示器系有机电激发光显示器。
本发明还提出一种像素测量方法。该像素测量方法适用于测量显示器中的未敷上发光元件的像素。该显示器包括数条扫瞄线及数条数据线。该像素包括一电子元件。该电子元件的开路端连接到发光元件的一极。在该像素测量方法中，首先会形成一电容，该电容具有第一端及第二端，其中第一端连接到该开路端及该极，而第二端连接到这些扫瞄线中的一扫瞄线。接着，当该电子元件导通时会对该电容进行充电。接下来，在该像素关断后，该电容会经由该电子元件而放电到该电子元件的测量端。之后，由测量该测量端即可得知流经该电子元件的电荷、电压或电流。
本发明另外还提出一种像素测量方法。该像素测量方法适用于测量显示器中的未敷上发光元件的像素。该显示器包括数条扫瞄线及数条数据线。该像素包括一电子元件，该电子元件的开路端连接到发光元件的一极。在该像素测量方法中，首先会形成一电容，该电容具有第一端及第二端，其中第一端连接到该开路端及该极，而第二端连接到这些数据线中的一数据线。接着，当该电子元件导通时会对该电容进行充电。当该像素关断后，该电容会经由该电子元件而放电到该电子元件的测量端。之后，由测量该测量端即可得知流经该电子元件的电荷、电压或电流。
综上所述，该像素测量方法是在未敷上发光元件的像素中，在连接于发光元件的一极的电子元件的开路端，与增加的共用线(或者是显示器中原有的扫瞄线或数据线)之间形成电容。然后，经由电容的充放电，即可测量到与发光元件连接的电子元件，因此本发明可测量到像素中的全部元件。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点，能更加明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图，做详细说明如下
图1表示公知的OLED显示器中的未敷上OLED之前的一像素的电路示意图；
图2表示根据本发明一优选实施例的显示器中的未敷上发光元件的一像素的电路示意图。
图3表示根据本发明另一优选实施例的显示器中的未敷上发光元件的一像素的电路示意图；以及图4表示根据本发明又一优选实施例的显示器中的未敷上发光元件的一像素的电路示意图。
附图标号说明10、20、30、40像素102OLED202发光元件104、204、302扫瞄线106、206、402数据线108，208切换晶体管110，210驱动晶体管112、212、214电容216共用线具体实施方式
本发明的像素测量方法适用于测量显示器(例如是有机电激发光显示器)中的未敷上发光元件(例如是OLED)的像素，其中，该显示器包括数条扫瞄线及数条数据线。请参照图2，其表示根据本发明一优选实施例的显示器中的未敷上发光元件的一像素的电路示意图。由图2可知，在未敷上发光元件(202)之前，像素20包括扫瞄线204、数据线206、切换晶体管208、驱动晶体管210、电容212、电容214、以及共用线216。该驱动晶体管210的源极系处于开路状态。
在该像素测量方法中，首先会在像素20中增加共用线216，该共用线216可例如以金属形成，接着形成电容214，其中电容214的一端连接到驱动晶体管210的源极及发光元件的一极(例如是正极)，而电容214的另一端连接到共用线216。电容214可例如以铟锡氧化物(ITO)覆盖共用线214而形成。接着，当扫瞄线204所提供的电压使切换晶体管208导通，并且数据线206提供的电压大于驱动晶体管210的起始电压，而使驱动晶体管210导通时，会对电容214进行充电。当像素20关断后，电容214会经由驱动晶体管210而放电到驱动晶体管210的漏极(即测量端)。之后，由测量驱动晶体管210的漏极即可得知流经驱动晶体管210的电荷、电压或电流。
接下来请参照图3，其表示根据本发明另一优选实施例的显示器中的未敷上发光元件的一像素的电路示意图。由图3与图2的比较可知，像素30与像素20几乎相同，所以仅就两者的差异之处做说明。两者的差异之处仅在于图3不增加共用线，而是将电容214的另一端耦接至显示器中的扫瞄线302。在该优选实施例中，虽然电容214的另一端连接到显示器中的扫瞄线302，但是也可耦接到扫瞄线204或其他的扫瞄线。
接下来请参照图4，其表示根据本发明又一优选实施例的显示器中的未敷上发光元件的一像素的电路示意图。由图4与图2的比较可知，像素40与像素20几乎相同，所以仅就两者的差异之处做说明。两者的差异之处仅在于图4不增加共用线，而是将电容214的另一端耦接至显示器中的数据线402。在该优选实施例中，虽然电容214的另一端连接到显示器中的数据线402，但是也可耦接到数据线206或其他的数据线。
由上述可知，本发明的特征是将连接于未敷上的发光元件的一极的电子元件的开路端连接至电容的一端，而电容的另一端可连接至增加的一条共用线，或者是任一条扫瞄线或任一条数据线。再者，由于可在电子元件的测量端测量到电子元件的电荷、电压或电流，因此可将显示器中的每一像素所量到的测量值与整个面板的测量平均值做比较，而能知道每一像素中的元件的效能。
综上所述，该像素测量方法是在未敷上发光元件的像素中，在连接于发光元件的一极的电子元件的开路端，与增加的共用线(或者是显示器中原有的扫瞄线或数据线)之间形成电容。然后，经由电容的充放电即可测量到与发光元件连接的电子元件，因此本发明可测量到像素中的全部元件。
虽然本发明已以优选实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可进行各种更动与修改，因此本发明的保护范围以所提出的权利要求所限定的范围为准。
权利要求
1.一种像素测量方法，该像素测量方法适用于测量一显示器中的未敷上一发光元件的一像素，该显示器包括多条扫瞄线及多条数据线，该像素包括一电子元件，该电子元件的一开路端连接到该发光元件的一极，该像素测量方法包括下列步骤在该像素中，增加一共用线；形成一电容，该电容具有一第一端及一第二端，其中该第一端连接到该开路端及该极，而该第二端连接到该共用线；当该电子元件导通时，对该电容进行充电；在该像素关断后，该电容会经由该电子元件而放电到该电子元件的一测量端；以及测量该测量端。
2.如权利要求1所述的像素测量方法，其中该电容以一铟锡氧化物覆盖该共用线而形成。
3.如权利要求1所述的像素测量方法，其中该共用线以一金属形成。
4.如权利要求1所述的像素测量方法，其中该电子元件系一驱动晶体管。
5.如权利要求1所述的像素测量方法，其中该发光元件系一有机发光二极管。
6.一种像素测量方法，该像素测量方法适用于测量一显示器中的未敷上一发光元件的一像素，该显示器包括多条扫瞄线及多条数据线，该像素包括一电子元件，该电子元件的一开路端连接到该发光元件的一极，该像素测量方法包括下列步骤形成一电容，该电容具有一第一端及一第二端，其中该第一端连接到该开路端及该极，而该第二端连接到该些扫瞄线中的一扫瞄线；当该电子元件导通时，对该电容进行充电；在该像素关断后，该电容会经由该电子元件而放电到该电子元件的一测量端；以及测量该测量端。
7.如权利要求6所述的像素测量方法，其中该电容以一铟锡氧化物覆盖该扫瞄线而形成。
8.如权利要求6所述的像素测量方法，其中该电子元件系一驱动晶体管。
9.如权利要求6所述的像素测量方法，其中该发光元件系一有机发光二极管。
10.一种像素测量方法，该像素测量方法适用于测量该显示器中的未敷上一发光元件的一像素，该显示器包括多条扫瞄线及多条数据线，该像素包括一电子元件，该电子元件的一开路端连接到该发光元件的一极，该像素测量方法包括下列步骤形成一电容，该电容具有一第一端及一第二端，其中该第一端连接到该开路端及该极，而该第二端连接到该些数据线中的一数据线；当该电子元件导通时，对该电容进行充电；在该像素关断后，该电容会经由该电子元件而放电到该电子元件的一测量端；以及测量该测量端。
11.如权利要求10所述的像素测量方法，其中该电容以一铟锡氧化物覆盖该扫瞄线而形成。
12.如权利要求10所述的像素测量方法，其中该电子元件系一驱动晶体管。
13.如权利要求10所述的像素测量方法，其中该发光元件系一有机发光二极管。
全文摘要
一种像素测量方法。该像素测量方法适用于测量显示器中的未敷上发光元件的像素。该像素测量方法是在未敷上发光元件的像素中，在连接于发光元件的一极的电子元件的开路端，与增加的共用线(或者是显示器中原有的扫瞄线或数据线)之间形成电容。然后，经由电容的充放电，即可测量到与发光元件连接的电子元件，因此本发明可测量到像素中的全部元件。
文档编号G01R31/28GK1548970SQ0313066
公开日2004年11月24日 申请日期2003年5月7日 优先权日2003年5月7日
发明者蔡善宏, 孙铭贤, 石安 申请人:统宝光电股份有限公司