专利名称：探测片及其再生方法
技术领域：
本发明涉及一种探测片及其再生方法。
背景技术：
以往，公知有如下结构的探测片并列配置的多个探针从基板突出，其前端与检测体的电极接触。在专利文献1所记载的探测片中，因为细微的探针从基板突出，故在检体的电极上不施加大力，使探测片过激励，能够可靠地导通多个探针和多个电极。
但是，在探针的前端附着不能去除的杂质，或探针的前端发生破损、磨耗时，由于不能仅替换探针，故必须整体替换探测片。
专利文献1特开平08-015318号公报发明内容本发明的目的在于使产生了缺陷的探测片的再生成为可能。
本发明第一方面是一种探测片的再生方法，探测片包括基板；探测导体，其配置在所述基板上延伸至基板端部并具有与检测体的电极接触的接触部。其再生方法包括检测工序，其使所述接触部与检测体的电极接触，进行检测体的检查；去除工序，其将所述探测导体的前端与所述基板一同去除。
本发明的另一方面提供一种探测片，其包括基板；探测导体，其配置在所述基板上延伸至基板端部，具有与检测体的电极接触并进行检查的接触部。
通过去除磨损、破损、被污染而不能正常工作的探测导体的前端，形成新的前端，能够使检测片再生。
图1(A)、图1(B)、图1(C)是检测片的平面图、正面图、侧面图；
图2(A)、图2(B)、图2(C)是表示对使用了检测片的检测体进行检查的平面图、正面图、侧面图；图3(A)、图3(B)、图3(C)、图3(D)是表示检测片的缺陷例的示意侧面图；图4(A)、图4(B)、图4(C)、图4(D)是表示检测片再生的侧面图；图5(A)、图5(B)是表示探测导体6的前端8的去除方法之一例的侧面图；图6(A)、图6(B)、图6(C)是表示检测片再生的侧面图；图7(A)、图7(B)是表示其他方式的检测组合及其使用方式的侧面图；图8(A)、图8(B)、图8(C)是表示图7(A)、图7(B)所示的检测组合再生的侧面图；图9(A)、图9(B)是表示其他方式的检测组合及其使用方式的侧面图；图10(A)、图10(B)、图10(C)、图10(D)是表示图9(A)、图9(B)所示的检测组合再生的侧面图；图11(A)、图11(B)是表示其他方式的检测片的平面图；图12(A)、图12(B)是表示其他方式的检测片的平面图；图13(A)、图13(B)是表示其他方式的检测片的平面图；图14(A)、图14(B)、图14(C)是表示其他方式的检测片的平面图、正面图、侧面图；图15(A)、图15(B)是表示图14所示的检测片的使用方式和发生缺陷的方式之一例的侧面图、正面图；图16(A)、图16(B)、图16(C)、图16(D)是表示图15(A)、图15(B)所示的检测组合再生的正面图、侧面图；图17(A)、图17(B)、图17(C)是表示其他方式的检测片的平面图、正面图、侧面图；图18(A)、图18(B)、图18(C)是表示其他方式的检测片的平面图、正面图、侧面图；图19(A)、图19(B)、图19(C)、图19(D)是表示在基板上发生有缺陷的检测片再生的侧面图；图20(A)、图20(B)、图20(C)是表示检测片再生中切除的其他方式的侧面图；图21(A)、图21(B)、图21(C)是表示检测片再生中切除的其他方式的侧面图；图22(A)、图22(B)是表示检测片再生中切除的其他方式的侧面图；图23(A)、图23(B)是表示检测片再生中切除的其他方式的侧面图；图24(A)、图24(B)是表示检测片再生中磨削的其他方式的侧面图；图25是表示检测片的其他方式的平面图；图26(A)、图26(B)是表示图25所示的检测片的使用例的平面图、侧面图；图27(A)、图27(B)是表示图25所示的检测片再生的平面图、侧面图；图28是表示检测片的其他方式的平面图；图29(A)、图29(B)是表示图28所示的检测片的使用方式的平面图、侧面图；图30(A)、图30(B)是表示图29(A)、图29(B)所示的检测单元再生的平面图、侧面图。
具体实施例方式
下面参照
本发明的实施例。在各图中相同的符号表示相同的结构要素。
图1(A)、图1(B)、图1(C)表示作为再生对象的检测片的平面图、正面图、侧面图；图2(A)、图2(B)、图2(C)表示在检测体上配置检测片，进行检查的状态的平面图、正面图、侧面图。
检测片1用于检测液晶屏等检测体的电气特性。检测片1具有可挠性的基板2及形成在其表面上并延伸至基板端部的探测导体6。在该结构中构成接触部，其使并列地延伸至基板端部的多个配线状探测导体的端部与检测体的电极电接触。多个配线相对于基板端部大致垂直地配置。在基板端部与配线都形成一定宽度的缺口时，能够形成与形成缺口前相同的探测导体端部。
基板2由陶瓷、玻璃陶瓷、玻璃、硅、具有绝缘膜的金属板、聚酰亚胺等高分子膜等的无机物或有机物等构成。作为陶瓷，理想的是例如氧化锆、氧化铝、莫来石、氮化铝、氮化硅、添加氧化铝的氧化锆、MACOR(SiO2、MgO、Al2O3、K2O)等。基板2的厚度理想的是大于或等于10μm和小于或等于300μm。作为具有绝缘膜的金属板使用由高分子绝缘膜覆盖不锈钢、硬钢、铍铜、黄铜等金属板的表面的部件。
作为探测导体6的材料，理想的是镍、镍-铁合金、镍-钴合金。探测导体6的厚度理想的是0.5μm～300μm。探测导体6具有对应于检测体80的电极90的间距而配置的部分。
如图2(B)所示，在检测时将探测片1翻过来的状态下，使前端8向下倾斜，配置在检测体80的上方，并使探测导体6的前端8与检测体80的电极90接触。探测导体6的前端8延伸至基板2的前端面102，不从前端面102突出。另外，100以上的部件编号表示1之后的数字表示部件的端面。例如，102是基板2的端面。
探测导体6通过镀敷等薄膜制造工序形成在基板2的表面上。例如，在基板2的整个表面上形成镀敷基础层。仅使对应于要形成的探测导体6部分的镀敷基础层露出，并由抗蚀剂覆盖其之外的部分，在已露出的镀敷基础层的表面实施金属镀敷。最后，除去被镀敷的导电膜以外部分的抗蚀剂以及镀敷基础层。也可以利用由光致蚀刻形成图案，且向基板上印刷导电性胶等公知的图案形成方法，预先在探测导体的图案上形成镀敷基础层，然后进行金属镀敷。
探测导体6在基端部与柔性印制电路板10的配线11连接。柔性印制电路板10的配线11与检测设备本体的印制基板连接。另外，本发明表示了探测导体6遍及全长平行配置的情况，也可以在印制电路板10侧扩展间隔。
如图2(A)、图2(B)所示，探测片1从固定夹具12的端面112突出规定长度，被固定夹具12固定。探测片1的探测导体6被过激励时与基板2一同弹性变形。通过由固定夹具限制弹性变形的部分，能够提高探测导体6和检测体80的电极90的接触压。因此，在检测时，能够可靠地电连接探测导体6和电极90。后文中将探测片1和固定夹具12合称为探测组合201；将从固定夹具12的端面112突出的探测片1的探测导体6及基板2称为突出部204。固定夹具12在检测时固定在探测片上，但根据需要可以从探测片取下。
图3(A)、图3(B)、图3(C)、图3(D)是表示作为再生对象的探测片1不能正常工作的状态的示意侧面图。
图3(A)表示探测导体6的前端8被污染的状态。粒子等不能除去的杂质200附着在前端8上时，不能够可靠地导通前端8和检测体80的电极90。
图3(B)表示探测导体6的前端8磨损后的状态。探测导体6由比基板2更软的原料构成，故与检测体80的电极90的摩擦引起磨损。前端8磨损时不能够可靠地导通前端8和检测体80的电极90。
图3(C)表示探测导体6的前端8破损后的状态。
图3(D)表示基板2磨损后的状态。基板2破损时，探测导体6不能与基板2一起弹性变形，故探测导体6的前端8不能与探测体80的电极90可靠地导通。
图4(A)、图4(B)、图4(C)、图4(D)是表示发生有缺陷的探测片再生的示意侧面图。
图4(A)表示不能正常工作的探测组合201。探测片1的探测导体6的前端8a发生磨损等不良状况，成为具有缺陷的状态。
如图4(B)所示，从固定夹具12取下有缺陷的探测片1。
如图4(C)所示，利用与基板2一起切除或切削而去除有缺陷的前端8a。剩余的探测导体6的端部为正常状态。
图5(A)、图5(B)表示切除或切削的具体方法的一例。例如，如图5(A)所示，从基板2侧与刀片202接触，连同基板2一起切除有缺陷的前端8a。由此，可以使除去有缺陷的前端8a后的前端8b与探测体80的电极90接触。探测导体6以均匀厚度分布形成在基板2的一面上，故去除前端8a时，即使对探测导体6施力，探测导体6也难以变形。如图5(B)所示，也可以从探测导体6侧接触刀片202，切除突出部204。这样，刀片202首先切断探测导体6，然后在切断基板2的工序中不对探测导体6施力，故探测导体6难以变形并且难以从基板2剥离。
如图4(D)所示，在固定夹具12上固定探测片1。此时，理想的是突出部204成为与再生前相同的规定长度，在固定夹具12上固定探测片1。若突出部204的长度在再生前后相等，则探测片1的探测导体6发生与再生前同样特性的弹性变形。因此，无需在再生后调整过激励。
根据以上说明的探测片的再生，能够与基板2一同去除有缺陷的前端8a。并且，在去除有缺陷的前端8a时，因为与基板2一同切除或切削探测导体6，故线状的探测导体6很少发生破损或变形。通过使去除了有缺陷的前端8a后的前端8b与检测体80的电极90接触，前端8b与检测体80的电极90的导通回复到正常状态。即能够再生检测片1。
图6(A)、图6(B)、图6(C)是表示探测片再生的变形例的剖面图；图6(A)表示与图5(A)相同的状态，表示在探测片1的探测导体6的前端8a发生缺陷的状态。
图6(B)表示在固定夹具12上安装探测片1的状态下，去除有缺陷的前端8a，形成新的前端8b的工序。关于前端的去除方法，例如与图5(A)同样地进行。若使用保持用夹具，则也可以使用图5(B)的方法。也可以代替切断而进行磨削。
图6(C)表示再生后的状态。另外，在固定夹具12上安装探测片1的状态下，通过去除有缺陷的前端8a，再生后的突出部204的长度比再生前短。这样，因为再生后的突出部204的刚性比再生前高，故探测导体6可能会以过大的接触压与检测体80的电极90接触。但是，与有缺陷的前端8a一同去除的部分的长度相对于再生前的突出部204的长度短的话，无须进行过激励的调整和位置调整等。
图7(A)、图7(B)是表示探测片1的固定方法的变形例的示意剖面图。图7(A)表示施加过激励之前的状态，图7(B)表示施加过激励之后的状态。
如图7(A)所示，在固定夹具12的安装面上配置有合成橡胶、弹簧等弹性体14介由弹接体14将探测片1固定在固定夹具12上。
如图7(B)所示，施加过激励时，突出部204与弹性体14一起弹性变形。
图8(A)、图8(B)、图8(C)是表示使用图7(A)、图7(B)的固定方法时的探测片再生的剖面图；图8(A)表示与图7(A)相同的状态。介由弹性体14将探测片1固定在固定夹具12上。
如图8(B)所示，在探测片1安装于固定夹具12上的状态下，去除有缺陷的前端8a，形成新的前端8b。
图8(C)表示再生后的探测片。在探测片1安装于固定夹具12上的状态下，去除有缺陷的前端8a，再生后的突出部204的刚性比再生前高。然而，突出部204如上所述，利用过激励与弹性体14共同弹性变形，并且在整体刚性的大部分上对弹性体14的刚性有作用。因此，在将探测片1安装在固定夹具12上的状态下，即使去除有缺陷的前端8a，由此而引起的探测导体6以过大的接触压与检测体80的电极90接触，整体的刚性也不提高。因此即使连同有缺陷的前端8a一起去除的部分的长度变长，例如多次再生探测片1，也能够如上所述那样地在将探测片1安装在固定夹具12上的状态下再生探测片1。
在比较硬的基板上形成探测片，利用基板的弹性向探针施加接触压力时，基板整体弹性变形，很少发生局部的弹性变形。检测体表面具有凹凸时，探针难以与凹部的电极接触。也有希望在检测体表面即使具有凹凸探针也能够良好进行接触的探测片的情况。
图9(A)、图9(B)表示介由弹性体将探测导体6固定在固定夹具12上，不从固定夹具12的端面112突出而使用的探测片1。
如图9(A)所示，探测片1将探测导体6的前端面106和固定夹具12的端面112对齐固定在固定夹具12上。在固定夹具12的探测片1的安装面上配置有弹性材料、弹簧等弹性体14。基板2可由具有适度柔软性的材料，例如有机树脂形成。
如图9(B)所示，施加过激励时，探测导体6与弹性体14一同弹性变形。因此，在检测体80的电极90的配列的起伏和电极90表面的凹凸上能够使各自的前端8随动。
图10(A)、图10(B)、图10(C)、图10(D)表示产生了缺陷的探测片的再生的剖面图。
图10(A)表示在探测导体6的前端8a上产生缺陷的状态。
如图10(B)所示，从固定夹具12取下探测片1。
如图10(C)所示，与基板2一起去除有缺陷的前端8a，并形成新的前端8b。
如图10(D)所示，将探测导体6的前端面106和固定夹具12的端面112对齐，将探测片1固定在固定夹具12上。
根据以上说明的再生，在再生前后，不改变前端8与固定夹具12的相对位置。因此，在再生后无需调整过激励。
探测片的结构能够进行各种改变。以下说明探测片的结构的变形例。
图11(A)、图11(B)是探测片42的正面图、侧面图。
如图11(A)所示，在探测片42上，形成于基板2上的探测导体6埋入绝缘膜16，只有表面从绝缘膜16露出。
如11(B)所示，在探测导体6的端部外侧也形成绝缘膜16，探测导体6和绝缘膜16形成同一的表面。
由树脂等形成绝缘膜16。在基板2上形成探测导体6之后，形成绝缘膜16，去除上部而使探测导体6的表面露出就可以。利用绝缘膜16固定探测导体6的侧面，故在去除探测导体6的前端8的工序中，可以抑制探测导体6变形或从基板2剥离。
图12(A)、图12(B)是探测片40的正面图、侧面图。
在图12(A)、图12(B)所示的探测片40中，在基板2和探测导体6之间存在有绝缘膜16。可以如虚线所示，首先在基板2上形成绝缘膜16的下部，在其上形成探测导体16，然后形成绝缘膜16的上部。也可以在上部和下部改变材料。在基板2和探测导体6的紧密性差的情况下，能够在绝缘层16的下部提高紧密性。绝缘膜16由树脂等形成。利用绝缘膜16固定基板2和探测导体6，故在去除探测导体6的前端8的工序中能够抑制探测导体6变形或从基板2剥离。
图13(A)、图13(B)是探测片44的正面图、侧面图。
在图13(A)、图13(B)所示的探测片44中，介由贯通基板2的多个导线中继部18，将探测导体6引出至基板2背面，在基板2背面与柔性印制电路板10电连接。在与探测片的检测体相对的一侧不存在印制基板，能够提高配置的自由度。
图14(A)、图14(B)、图14(C)是探测片46的平面图、正面图、侧面图。
如图14(A)、图14(C)所示，在探测片46的配线6b上形成有与配线6b的纵向并列的多个导电性突部20。导电性突部20形成与检测体接触的接触部。配线6b和导电性突部20形成探测导体。
在图14(B)中，表示突部20具有与印制电路基板10的配线11相同厚度的情况，两者的厚度能够根据需要而任意选择。
图15(A)、图15(B)是表示图14(A)、图14(B)、图14(C)所示的探测片46的使用方式和发生缺陷的方式的侧面图及正面图；与图9(A)、图9(B)所示的方式相同，由弹性体14将探测片46与固定夹具12结合，并将它们的前端对齐。因为在配线6b上导电性突部20突出，故探测片46即使不倾斜，或不大倾斜，也可以有选择地将导电性突部20压接在检测体80的电极90上。
若导电性突部20发生损伤，则损伤后的突部20a不能与检测体80的电极90接触。在图15(B)的状态下从右起第二个导电性突部20缺落，不能接触。
图16(A)、图16(B)、图16(C)、图16(D)是表示再生探测片的顺序的正面图、侧面图。
图16(A)表示在图15(A)、图15(B)所示的导电性突部20上发生缺陷的状态。在导电性突部20a上产生有缺陷。导电性突部20b正常。
如图16(B)、图16(C)所示，从固定夹具12取下探测片，与配线6b。基板2一同去除具有受损的导电性突部20的一列导电性突部。在前端配置有具有受损的导电性突部20a的一列导电性突部后面的导电性突部20。
如图16(D)所示，在再生的探测片上再次安装固定夹具12。
因为在配线6b的纵向上形成有多个导电性突部20，故即使将产生缺陷的一列导电性突部去除，也能够使去除后剩余的导电性突部20与检测体80的电极90接触。
具有导电性突部的探测片也可以进行各种变形。
图17(A)、图17(B)、图17(C)是变形探测片48的平面图、正面图、侧面图。
如图17(B)、图17(C)所示，在探测片48中形成有填埋配线6b和导电性突部20的配线6b侧的一部分的绝缘膜16。对应于图11(A)、图11(B)的变形例。配线6b和柔性印制电路板10的配线11利用与导电性突部20同样的贯通绝缘膜16的导电性中继部18而电连接。利用绝缘膜16固定基板2和探测导体6，故在去除载置有导电性突部20的配线6b的前端的工序中，能够抑制配线6b变形或从基板2剥离。
图18(A)、图18(B)、图18(C)是变形探测片50的平面图、正面图、侧面图。
如图18(B)所示，在探测片50中，在绝缘膜16上埋设配线6b，在各自的配线6b上形成有多个贯通绝缘膜16的导电性突部20。这一点与在图17(A)、图17(B)、图17(C)所示的探测片48相同。在探测片50中，还形成贯通基板2的导电性中继部18，配线6b利用导电性中继部18引出至基板背面。柔性印制电路板10的配线11在基板2的背面电连接于导电性中继部18。与图13(A)、图13(B)所述的探测片44相同。
以上说明了在探测片的探针上产生缺陷的情况，但也可以同样地再生基板2损伤的探测片。
图19(A)、图19(B)、图19(C)、图19(D)是表示再生在基板上产生缺陷的探测片的侧面图。
图19(A)表示不能正常工作的探测组合201。在探测片1的基板2上产生裂纹等不良状况，探针不能正常工作。
如图19(B)所示，从固定夹具12取下有缺陷的探测片1。
如图19(C)所示，通过与探测导体6一同切除或切削而去除有缺陷的基板2的前端。也可以切断或切削至能够去除基板2的损伤部分的位置。切削方法例如为图5(A)、图5(B)所示的方法。
如图19(D)所示，在固定夹具12上固定再生后的探测片1。
如以上说明，通过与基板一同切除探测片的探测导体，能够再生探测片。有由陶瓷等硬材料形成基板的情况，也有时在基板切断时在配线上施加过度的负荷。
图20(A)、图20(B)、图20(C)是表示去除能够减轻探测导体上承受的负荷的一例的侧面图。
如图20(A)所示，从探测导体6侧接触刀片202。而完全切断探测导体6。此时，在尽量不切削基板2的状态下停止切断。刀片202工作的时间短，施加在探测导体6上的负荷低。
如图20(B)所示，使刀片202的位置移动至探测片1的前端侧，再进行切断动作。在剩余的探测导体6的端部与刀片202之间形成开口22，探测导体6不与刀片202接触。在探测导体6上不施加负荷。能够减少由过度的负荷而造成的探测导体6变形或从基板2剥离。
图20(C)表示切断后的状态。基板2的上侧稍微突出，但若突出量减少，则不产生实际应用上的问题。
图21(A)、图21(B)、图21(C)是表示其他切断方法的侧面图。
图21(A)与图20(A)同样，表示由刀片202a切断基板2上的探测导体6的工序。
如图21(B)所示，从与探测导体6相反的一侧接触刀片202b切断基板2。与由图21(A)的切断工序形成的切断槽24重合。第二次与切断槽重合时切断终止。若刀片202b比刀片202a宽，则与图示同样也能够容易引入基板的上部。即使使用最相同的刀片，也可以实现相同的形状。切断的方式可以进行各种变更。例如，可以将切断探测导体6的工序或切断基板2的工序分别分成多个工序进行实施。
在切断探测导体6时尽量不切削基板2，在切断基板2时刀片不与探测导体6接触而去除探测片1的前端。因此，在切断硬的基板2的过程中能够降低探测导体6承受的负荷。因此，能够降低由在切断硬基板2的过程中产生的负荷而引起的探测导体6变形或损伤。对于切断形成了导电性突部的配线，也可以得到相同的效果。
图22(A)、图22(B)是表示探测片再生用切断的其他例的侧面图。
如图22(A)所示，在基板2上形成覆盖探测导体6的保护层26。保护层26可以通过涂敷树脂、蜡等有机材料形成，或同时实施由铜、铁、铅等金属引起的无电解镀敷或电解镀敷形成，或者由将有机材料或金属熔融注型等方法而形成。
然后刀片202接触在保护层26上开始切削探测片1。切断保护层26、探测导体6、基板2，与基板2及保护层26一起切除有缺陷的探测导体6的前端8a。
如图22(B)所示，也可以从基板2侧接触刀片202切削探测片1。另外，保护层26也可以形成仅覆盖由刀片202切削的部位。
切断后去除探测片1上的保护层26。在探测片1的切削开始前由保护层26覆盖探测导体6，从而可以降低由切削在探测导体6上施力造成的探测导体6变形或从基板2剥离。
图23(A)、图23(B)是表示进一步强化保护后的切断方法的探测片的侧面图。
如图23(A)所示，在基板2及探测导体6上固定安装有覆盖探测导体6的支承板28。基体来说，例如在支承板28和基板2之间通过填充粘着剂、蜡等有机材料或低熔点合金等金属形成固定层38，在基板2及探测导体6上固定安装支承板28。
从探测导体6侧切削探测片1，与探测导体6一同切断支承板28、基板2。这样，与基板2及保护层26一同切除有缺陷的前端8a。
如图23(B)所示，也可以从基板2侧切削探测片1。
切断后，通过涂敷溶剂或加热，熔化填充在支承板28和基板2之间的有机材料和金属，去除固定在探测片1上的支承板28。
通过在探测片1的切削开始前由支承板28覆盖探测导体6，可以降低由切削而施加在探测导体6上的力造成的探测导体6变形或从基板2剥离。
图24(A)、图24(B)是表示由磨削再生探测片的方法的侧面图。
如图24(A)所示，与图23(A)、图23(B)的情况相同，介由利用由粘接剂、蜡等有机材料和低熔点合金等金属形成的固定层38把覆盖探测导体6的支承板28固定安装在基板2及探测导体6上。
如图24(B)所示，在从一方向受力时，可以在与基板2的探测导体6相反侧的面上固定安装支承板28。
与基板2的前端面102一同切削探测导体6的前端面106。例如，在从探测导体6向基板2的方向(箭头标记X的方向)上施加摩擦力，由研磨片、研磨盘等研磨探测导体6、固定层以及基板2。支承板28可以抑制基板变形，能够降低探测导体6从基板2剥离等问题。
研磨后，去除固定于探测片1上的支承板28。
在与支承板28及基板2的前端面128、102一同切削探测导体6的前端面106的工序中，在基板2上施加仅在按压探测导体6的方向的摩擦力。能够降低探测导体6从基板2剥离。
更加理想的是，通过切除前端能够再生的探测基板谋求对切除工序的对策。
图25是谋求再生工序的对策后的探测片的一例的平面图。在探测片52上设有去除标记30(30a、30b等的总称)和安装孔32(32a、32b等的总称)。以相同间隔形成去除标记30、安装孔32。
图26(A)、图26(B)是表示将固定夹具12安装在探测片52上的状态的平面图、侧面图。
在安装孔32上嵌合用于将探测片1固定在固定夹具12上的销34。在图示的状态下在最下面的安装孔32a上插入销34。从安装孔32a到下一个安装孔32b的间隔与从基板2的下端到第一个去除标记30b的距离相等。
图27(A)、图27(B)是表示再生探测片52后的状态的平面图、侧面图。沿去除标记30b-30b，与探测导体6一同切除基板2，使用安装孔32b安装固定夹具12。探测片与固定夹具的关系保持为与切除前同样。其他的去除标记、安装孔也具有相同的关系。
通过使用去除标记30，能够去除有缺陷的探测导体6的前端8a，以使在相对于探测导体6的纵向垂直的方向上整齐排列多个探测导体6的前端面106。
另外，因为由去除标记30决定的再生后的探测片52的前端面重合来设置多个安装孔32，所以能够将再生后的探测片52安装在固定夹具12上，以使探测片52的特性与再生前相同。例如，在探测片52从固定夹具12的端面112突出而使用的情况下，突出部204的长度能够在再生前后准确地相等。另外，将探测片52的前端面106和固定夹具12的端面112对齐而使用时，即使在再生之后也能够准确地对齐探测片52的前端面106和固定夹具12的端面112。
探测片的切除不仅在已决定的位置，也可以在任意位置进行。
图28是表示能够在任意位置再生的探测片54的平面图。在探测片54上设置有沿探测导体6的纵向延伸的长孔36。
如图29所示，在长孔36上嵌合销34，在固定夹具12上固定探测片54。
图30是用于说明表示探测片54再生的模式图。
通过在任意位置去除探测片54，去除探测片54有缺陷的前端154。
以与由去除前端154的工序去除的宽度相等的宽度相对固定夹具12在探测片54的前端面106的方向移动，将销34卡合在长孔36上，在固定夹具12上固定再生后的探测片54。
因为在探测导体6的纵向上设有较长的长孔36，故能够将再生后的探测片54安装在固定夹具12上，以使去除至任意位置而再生的探测片54的特性与再生前相同。
另外，与长孔一起，可以形成一定间距的去除标记及销安装标记。
由以上实施例说明本发明，但本发明并不限于此。例如，对于本领域技术人员来说能够进行各种变形、改良、变换以及组合等是显而易见的。
以下说明本发明的特点。
可以在去除工序之前在基板上形成至少覆盖探测导体的一部分的保护层。此时，在去除工序中，能够连同保护层一起去除探测导体的前端。通过在去除工序之前由保护层覆盖探测导体，可以降低在去除工序中因施加在探测导体上的力而使探测导体变形或从基板剥离。
另外，也可以在去除工序之前在基板及探测导体上固定安装支承板。此时，在去除工序中能够连同支承板一起去除探测导体的前端。通过在去除工序之前固定支承板，能够降低在去除工序中因施加在探测导体上的力而使探测导体变形或从基板剥离。
在去除工序中，可以从导电膜侧向基板侧同基板一起切断探测导体。通过从导电膜侧向基板侧同基板一起切断探测导体，能够降低探测导体从基板剥离。
去除工序可以包括第一工序，其不切断基板而是从探测导体侧切断探测导体；第二工序，其在不切断由第一工序切断的探测导体的基端侧的位置切断基板。
在由第二工序切断基板时，因为由第一工序切削的探测导体的基端侧和刀片不接触，故能够降低在切断硬的基板的过程中产生并传递给探测导体的负荷。可以降低由于在切断硬的基板的过程中产生的负荷而引起的探测导体变形或损伤。
在去除工序中，可以与基板的前端面一同切削探测导体的前端面，以使从导电膜向基板方向的摩擦力施加在探测导体上。
在与基板的前端面一同切削探测导体的前端面的过程中，因为施加将探测导体按压在基板侧的方向的摩擦力，故能够减少探测导体从基板剥离。
在去除工序中，可以在检查时将固定于所述探测片上的部件固定在探测片上的状态下，去除探测导体的前端。
例如，在探测导体再生后无需调整探测片的位置时，可以在将用于调整探测片位置的部件固定在探测片上的状态下，切除或切削探测导体的前端。
探测片可以包括基板；形成在所述基板上的导电膜，其具有位于所述基板上并与检测体的电极接触的线状探测导体；标记，其在将所述探测导体的前端切除或切削至规定位置的工序中，用于特定所述规定位置而形成在所述基板上。通过在基板上的规定位置形成标记，由切除或切削来去除探测导体的前端而再生探测片时，能够使用标记而容易判断切除探测导体的前端至何处为好。
基板可以具有定位部，其位于分别从所述探测导体的前端和由所述标记特定的所述规定位置离开在所述探测导体的纵向基端侧上相互相等距离的位置上。在分别从探测导体的前端和由标记特定的所述规定位置离开在所述探测导体的纵向基端侧上相互相等距离的位置上具有定位部时，若将探测导体的前端去除至由标记特定的位置，则从再生前的探测导体的前端到定位部的距离和从再生后的探测导体的前端到定位部的距离相等。因此，在分别从探测导体的前端和由标记特定的规定位置离开在探测导体的纵向基端侧上相互相等距离的位置上形成定位部，从而，能够使再生前后探测片的使用状态相同。
探测片的所述基板可以具有在所述探测导体的纵向上延伸的长孔。在使用探测片时，能够在沿探测导体纵向延伸的长孔上插入销等定位部件在检测装置主体上将探测片定位固定。
通过将定位使用的孔形成沿探测导体纵向延伸的长孔，能够根据探测导体的去除量任意地调整再生后的探测片的位置。
权利要求
1.一种探测片的再生方法，该探测片包括基板、配置在所述基板上延伸至基板端部并具有与检测体的电极接触的接触部的探测导体，其特征在于，包括将所述探测导体的前端与所述基板一同去除的去除工序。
2.如权利要求1所述的探测片的再生方法，其特征在于，还包括缺陷检测工序，其在所述去除工序之前检测所述探测导体的缺陷；检测工序，其在所述去除工序之后使所述接触部与检测体的电极接触，进行检测体的检查。
3.如权利要求1所述的探测片的再生方法，其特征在于，还包括前工序，其在所述去除工序之前在所述基板上形成至少覆盖所述探测导体的一部分的保护层；后工序，其在所述去除工序之后去除所述保护层，在所述去除工序中将所述探测导体的前端与所述保护层一同去除。
4.如权利要求1所述的探测片的再生方法，其特征在于，还包括前工序，其在所述去除工序之前将支承板固定安装在所述基板及所述探测导体上；后工序，其在所述去除工序之后，从所述基板分离所述支承板，在所述去除工序中将所述探测导体的前端与所述支承板一同去除。
5.如权利要求1所述的探测片的再生方法，其特征在于，所述探测导体具有在所述基板上并列形成的多个配线。
6.如权利要求5所述的探测片的再生方法，其特征在于，所述探测导体还具有分别形成在所述多个配线上的多个突部。
7.如权利要求1～6中任一项所述的探测片的再生方法，其特征在于，在所述去除工序中，从所述导电膜侧向所述基板侧与所述基板一同切断所述探测导体。
8.如权利要求1～6中任一项所述的探测片的再生方法，其特征在于，所述去除工序包括第一工序，其从所述探测导体侧至第一位置切断所述探测导体；第二工序，其在不与所述被切断的探测导体的基部接触的第二位置切断所述基板。
9.如权利要求8所述的探测片的再生方法，其特征在于，所述第二位置为从所述探测导体侧的所述第一位置向前端侧偏移的位置。
10.如权利要求8所述的探测片的再生方法，其特征在于，所述第二位置为基板侧的位置。
11.如权利要求1～6中任一项所述的探测片的再生方法，其特征在于，在所述去除工序中，与所述基板的前端面一同切削所述探测导体的前端面，以使从所述导电膜向所述基板的方向上的摩擦力施加给所述探测导体。
12.如权利要求1～6中任一项所述的探测片的再生方法，其特征在于，所述检测工序将所述探测片固定在夹具上。
13.如权利要求12所述的探测片的再生方法，其特征在于，在所述检测工序中，所述探测片被所述夹具固定，以使所述基板端部侧从所述夹具突出。
14.如权利要求12所述的探测片的再生方法，其特征在于，在所述检测工序中，所述探测片介由弹性体被所述夹具固定。
15.如权利要求14所述的探测片的再生方法，其特征在于，在所述检测工序中，所述探测片将所述基板端部与所述夹具端部重合而被所述夹具固定。
16.如权利要求12所述的探测片的再生方法，其特征在于，所述去除工序在将所述夹具固定在所述探测片的维持不变的状态下进行。
17.如权利要求12所述的探测片的再生方法，其特征在于，所述去除工序从所述探测片取下所述夹具。
18.一种探测片，其包括基板、配置在所述基板上延伸至基板端部并具有与检测体的电极接触而进行检查的接触部。
19.如权利要求18所述的探测片，其特征在于，所述探测导体具有多个并列形成在所述基板上的配线。
20.如权利要求19所述的探测片，其特征在于，所述探测导体还具有分别形成在所述多个配线上的多个突部。
21.如权利要在18～20中任一项所述的探测片，其特征在于，还具有形成于所述基板上的标记，其用于在将所述探测导体的前端去除至规定位置时，特定所述规定的位置。
22.如权利要求21所述的探测片，其特征在于，所述基板具有定位部，其对应于所述探测导体的前端和由所述标记特定的所述规定位置而相互分离开规定距离。
23.如权利要求18～20中任一项所述的探测片，其特征在于，所述基板具有沿所述探测导体的纵向延伸的长孔。
全文摘要
一种能够再生产生的缺陷的探测片及其再生方法。该探测片包括基板和配置在上述基板上并与检测体的电极接触的探测导体。该探测片的再生方法包括将探测导体的前端与基板一起去除的去除工序。
文档编号G01R1/067GK1664591SQ20051005266
公开日2005年9月7日 申请日期2005年3月3日 优先权日2004年3月3日
发明者泽田修一, 吉野俊隆 申请人:雅马哈株式会社