荧光测定装置的制作方法

专利名称：荧光测定装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及测定被激励光照射的试样所发出的荧光的荧光测定装置，尤其涉及降低维持上述材料的基板自身的荧光的荧光测定装置。
背景技术：
现在，作为核酸、蛋白质、酶等生物分子的检测方法，采用的是利用荧光效应的荧光测定法。而且该荧光测定法将现有的光源和受光元件等光学部件进行组合，不使用放射性同位元素，可以进行安全、廉价的生物分子的测定，因而应用于酶免疫测定、电泳、共焦扫描型荧光显微镜法等各种的生物分子检测。
荧光测定法是通过照射激励光来检测从试样发出的荧光信号的方法。例如FITC(Fluorescein isothiocyanate)是对波长为495nm的激励光发出波长为520nm的荧光的物质。为了检测出发荧光的物质，将具有激励波长的光和检测荧光波长的受光部分组合起来进行测定。作为将这些实用化的方法，已知有从试样上方照射激励光，由配置在激励光照射一侧的受光元件检测由激励光所引发的荧光效应的变化的荧光测定方法(如专利文献1)。图10所示为现有的常用荧光测定装置的示意图。图中从激励光源103所发射的、由分光镜107所反射的激励光e1照射在基板101上配置的试样106上。由上述激励光e1所激发的来自试样106的荧光f1透过分光镜107、受光滤光器108，作为荧光信号由受光部分104检测出。这样，通过利用发荧光的物质和与之相应的激励光以及受光元件，可以检测出各种荧光物质或作了荧光标识的生物分子。
当进行荧光测定时，使用了用于保持试样的基板以及单元、流道等(以下，仅称‘基板’)。作为该基板的材料，一直以来都使用对紫外线透过率高的石英玻璃，但近年来频繁使用的是容易进行成型加工且用后可弃的高分子材料。但高分子材料虽然是上述易成型的物质，但有一照射激励光其自身即易发出荧光的特征。来自该基板101的自身荧光由于与荧光f1的波长具有相同波段，因此透过分光镜以及受光滤光器108，到达受光部分104。由此，自身荧光成为荧光测定时的背景噪声光，使测定的信噪比(S/N比)恶化。因此一直以来，提出了各种各样的降低来自上述基板101的自身荧光的影响的方法(参照专利文献2～6)。
例如，在专利文献2中提出了使来自试样的荧光波长与来自基板的自身荧光波长稍稍不同来进行分光测定，将来自试样的荧光成分和来自基板的自身荧光成分分离开的方法。此外，在专利文献3中，提出了在基板上用遮光膜对荧光测定部分以外进行覆盖，从而降低来自基板自身的荧光的方法。另外，在专利文献4中提出了在配置荧光物质的基板表面配置金属膜以及电介质多层膜的反射膜，通过反射激励光使得不发生来自基板自身的荧光的方法。此外，在专利文献5和专利文献6中，提出了使基板的材料自身不易产生自身荧光的方法。
此外，在测定电泳试样的荧光测定时也使用上述荧光测定方法(例如参照专利文献7)，此时和上面所述的一样，也存在从作为流道的基板产生的自身荧光成为荧光测定时的背景噪声光、检测的灵敏度降低的问题。
作为解决该问题的方法，在专利文献8中提出了对测定部分以外用遮光部分进行覆盖的方法，通过从作为基板的电泳凝胶盒的侧面照射激励光，使电泳凝胶盒不产生自身荧光。
这样，近年来，从寻求测定微量试样、灵敏度高的判别技术，开始探讨在向试样照射激励光、分析由试样发出的光的技术中，用于降低来自上述基板的自身荧光以及激励光的漏光、散射光等的背景噪声光的影响的各种各样的方法。
专利文献1特公平6-60901号公报
专利文献2特开2000-338035号公报专利文献3特开2002-286627号公报专利文献4特公平6-95073号公报专利文献5特开2003-130873号公报专利文献6特开2003-183425号公报专利文献7日本专利第2624655号公报专利文献8特开2004-279306号公报但是降低来自上述基板的自身荧光的影响的各种方法分别面临以下所示的课题。
对于在上述专利文献2中提出的通过分光测定来分离自身荧光和荧光信号的方法，由于自身荧光的波段和来自试样的荧光波段几乎相同，或者说在很宽的范围内相重合，所以难以通过分光测定将两者完全分离。因此自身荧光成分被叠加到荧光成分上。尤其是在荧光信号小的微量试样的情况下，有荧光成分被自身荧光成分淹没、难以进行高灵敏度的荧光测定的问题。
此外，在上述专利文献3中提出的通过以遮光膜把基板上荧光测定部分以外覆盖起来降低自身荧光的方法会产生来自保持荧光试样的检测容器的底面部分的自身荧光。因此，在测定荧光信号小的微量试样时，荧光成分被自身荧光成分淹没，不仅难以进行高灵敏度的检测，而且由于在遮光膜的制作中使用了多个薄膜工序，存在操作烦琐的问题。
此外，对于在上述专利文献4中提出的、在配置荧光物质的基板表面配置金属膜和电介质多层膜的反射膜、通过反射激励光使基板自身不产生荧光的方法，由于分色镜以及受光滤光器具有10～10-6％的透过性能界限((漏光强度/入射光强度)×100(％))，所以难以完全遮断反射的激励光，从而存在来自反射光滤光器的漏光成为检测时的噪声成分的问题。尤其是，在荧光信号小的微量试样的情况下，这些噪声光对S/N比的恶化的影响很大。
此外，在上述专利文献5和专利文献6中提出的、使基板的材料自身不易产生自身荧光的方法难以完全不产生来自材料的噪声荧光，存在从基板产生微量的自身荧光成分的问题。尤其是在荧光信号小的微量试样的情况下，对S/N比的恶化的影响很大。
此外，对于在上述专利文献8中提出的在电泳法的荧光测定中将测定部分以外用遮光部分覆盖、从电泳凝胶盒的侧面照射激励光的方法，当要从电泳凝胶盒的侧面照射激励光时，不仅难以将激励光均匀照射到凝胶整体，而且为了将激励光从电泳凝胶盒侧面照射需要复杂的光学调整，所以并不实用。
这样，尽管过去提出了种种降低自身荧光的影响的方法，但任何方法都未能达到满足用于检测出微量试样的性能。

发明内容
本发明是为了解决上述问题，其目的是提供能够高灵敏度地检测出测定试样的荧光测定装置。
为了解决上述问题，本发明提供了一种荧光测定装置，该荧光测定装置在保持一照射激励光就发出荧光的试样的基板的上表面上形成反射上述激励光并透过上述荧光的波长选择装置，把上述试样配置在形成有该波长选择装置的基板上，从该基板上方向上述试样照射激励光，由设置在上述基板下方的受光部分测定透过上述波长选择装置的上述试样所发出的荧光。
据此，可以大幅度降低由激励光引起的来自基板的自身荧光的影响，可以进行高灵敏度的测定。
上述波长选择装置是由在上述基板上形成的涂层形成的。
上述涂层是由电介质多层膜形成的。
而上述电介质多层膜是至少各由一种高折射率的电介质材料和折射率比该高折射率的电介质材料低的电介质材料交替层叠而成的。
此外，上述波长选择装置是由二氧化钛层和二氧化硅层交替层叠形成的。
由此，可以对照射至上述试样的激励光进行反射，并使由试样发出的荧光透过。
此外，在上述基板与上述受光部分之间还具有仅使透过上述波长选择装置的、上述试样发出的荧光透过的滤光器。
据此可以进行较高灵敏度的荧光测定。
此外，上述基板由高分子材料构成。
据此可以得到易加工成型且用后可弃的基板。
此外，上述基板为平板状，上述波长选择装置在该基板的上表面整体上形成，在该波长选择装置上配置上述试样。
据此，可以将配置在平板状的基板上的试样的荧光以较高灵敏度检测出来。
此外，在上述基板的上部形成有凹陷或沟槽，上述波长选择装置形成于在该基板上形成的凹陷或沟槽的底面上，在形成有该波长选择装置的凹陷或沟槽内配置上述试样。
据此，可以较高灵敏度地检测出配置于基板的凹陷或沟槽内的试样的荧光。
此外，上述基板是在其上部形成有凹陷或沟槽的基板，上述波长选择装置形成于在该基板上形成的凹陷或沟槽的底面和内侧面上，在形成有该波长选择装置的凹陷或沟槽内配置上述试样。
据此，当激励光斜向入射于配置在基板的凹陷或沟槽内的试样上时，由于该激励光被在侧面和底面上形成的上述波长选择装置所反射，并且该反射激励光可以再次照射在上述试样上，所以可以增加来自该试样的荧光。
此外将在一侧的面上形成了反射激励光的反射膜的顶板配置在上述基板上，并使该反射膜位于上述基板一侧，通过上述波长选择装置和在上述顶板的上述一侧形成的反射膜，使上述激励光在上述试样中进行多重反射。
据此，由于激励光在上述波长选择装置和上述顶板的反射膜之间被多次反射，所以可以将该反射激励光对上述试样进行多次照射，其结果是可以将来自该试样的荧光放大，从而可以进行较高灵敏度的测定。
根据本发明的荧光测定装置，在支持通过照射激励光来发出荧光的试样的基板的上表面形成反射激励光并透过荧光的波长选择装置，通过受光部分测定透过上述波长选择装置的荧光，因而可以消除由激励光引起的来自上述基板的自身荧光，从而可以进行微量的荧光物质的高灵敏度的测定。此外，上述波长选择装置反射激励光，该反射激励光再次照射上述试样，因而可以增加上述荧光。
此外，根据本发明的荧光测定装置，在上述基板的上面配置形成了反射上述激励光的反射膜的顶板，并使上述波长选择装置和上述项板的反射膜包围上述试样，从而对上述试样多次照射上述激励光，使上述荧光的放大成为可能，因此可以更高灵敏度地进行微量的荧光物质的测定。


图1为本发明的实施方式1中呈平面状地配置了电介质多层膜的基板的结构例的端面图。
图2为本发明的实施方式1中在沟槽或凹陷部分配置了电介质多层膜的基板的结构例的端面图。
图3为本发明的实施方式1中在沟槽或凹陷部分配置了电介质多层膜的基板其他的结构例的端面图。
图4为本发明的实施方式1中荧光测定装置的结构的示意图。
图5为本发明的实施方式1中荧光测定装置的其他结构的示意图。
图6为本发明的实施方式1中荧光测定装置的另一结构的示意图。
图7为本发明的实施例1中荧光测定装置的结构的示意图。
图8为在本发明的实施例1中制作的沟槽处配置了电介质多层膜的基板的光透过性的图。
图9为本发明的实施例2中荧光测定装置的结构示意图。
图10为现有的一般荧光测定装置的结构示意图。
具体实施例方式
(实施方式1)以下参照附图对本发明的实施方式1的荧光测定装置进行详细说明。
首先，对于本实施方式1中基板的构成用图1～图3进行说明。此外，在实施方式1中，“基板”指配置了试样的基板以及单元、流道等。
图1～图3为本实施方式1中基板的构成例的端面图，图1是基板为平板状的情况，图2、图3为在基板上形成凹状的沟槽或凹陷的情况的示意图。
如图所示，在本实施方式的基板11、21、31上形成有反射所照射的激励光、并透过由配置于该基板上的试样所发出的荧光的波长选择装置12、22、32。上述波长选择装置12、22、32是通过在基板上形成涂层而形成的，该涂层可以由例如电介质多层膜实现。
例如，如图1所示，上述基板11为DNA微阵列(DNA基板)那样的平面状时，在上述基板11的整个上表面上形成电介质多层膜12作为上述波长选择装置。而且，将待测定的上述试样配置于上述电介质多层膜12上。
此外，如图2所示，当像微平板(阱平板)和微流道基板那样在基板21的表面上形成了凹状的沟槽或者凹陷21a时，在该凹状的沟槽或凹陷21a的底面上形成了电介质多层膜22作为上述波长选择装置。上述待测定试样配置于上述电介质多层膜22上。此外，上述的凹状沟槽或凹陷21a的截面可以为V字形、U字形、圆形。
如此，在保持上述试样的基板11、21的上表面形成了反射所照射的激励光、并透过由上述试样所发出的荧光的波长选择装置12、22，从而可以大幅降低因上述激励光照射到基板11、21上而产生的来自该基板11、21的自身荧光的影响。
此外，如图3所示，电介质多层膜32不仅可配置于在基板31的表面上形成的凹状的沟槽或凹陷31a的底面上，亦可配置于该沟槽或凹陷的内侧面上。这样的话，即使在从上述基板上方照射的激励光未垂直入射于该基板31的上表面的情况下，在上述凹陷或沟槽31a的内侧面部分处形成的电介质多层膜32上也可以使上述激励光反射，从而可以进一步降低来自该基板31的自身荧光的影响。
接下来，对上述基板上所形成的电介质多层膜进行详述。
上述电介质多层膜12、22、32为至少各由一种高折射率的电介质材料和折射率比该高折射率的电介质材料低的电介质组合而成。
具体来说，上述电介质多层膜12、22、32由上述高折射率膜和上述低折射率膜交替层叠而形成，或者可以将上述高折射率的电介质和上述低折射率的电介质同时混合蒸镀而形成，尤其是，考虑到其成形的容易程度和对光的透过特性进行控制的容易程度，上述电介质多层膜优选为上述高折射率膜和上述低折射率膜交替层叠的结构。
上述高折射率膜从由五氧化钽、五氧化铌、五氧化钛、二氧化钛、二氧化锆组成的组中选择，上述低折射率膜从由二氧化硅、氟化材料组成的组中选择。
上述基板11、21、31上的上述电介质多层膜12、22、32的形成可以适用真空蒸镀法、热蒸发法、电子束法、溅射法、离子注入法、CVD法等现有的薄膜形成方法。此外，通过调整上述电介质多层膜的成膜速度，可以形成折射率再现性高的所需膜厚。
作为上述电介质多层膜，当形成混合层时，例如将高折射率的五氧化铌(折射率2.3)和低折射率的二氧化硅(折射率1.5)同时蒸镀并混合到基板上，可以得到折射率为1.9的混合层。
此外，作为上述电介质多层膜，当形成将多种电介质交替层叠的层时，例如可以通过在上述基板上将高折射率膜的五氧化铌和低折射率膜的二氧化硅通过反应性溅射法交替层叠而得到。
以上述的方式形成的电介质多层膜12、22、32的波长透过特性依据待测荧光试样而定，以遮断激励光、并透过因上述激励光从试样产生的荧光的方式来选择。该电介质多层膜的透过特性的选择是通过选择电介质多层膜的形成材料和控制的混合比或者各层的膜厚以及膜层数来进行的。
详细地说，当形成作为上述电介质多层膜的混合层时，在选择混合的电介质材料的同时，由控制该电介质材料各自的成膜速度来控制混合比，从而可以得到所需的透过特性。此外，当形成多种电介质材料层叠的层作为上述电介质多层膜时，通过除了选择层叠电介质材料之外还改变各层的膜厚和膜层数，可以得到所需的透过特性。
此外，作为上述电介质多层膜，为了获得所需的透过特性，可以用分光模拟或者分光灵敏度特性测定等现有的方法。
例如，确定了不透光的波段(阻止带宽)，当阻止带宽为400nm～500nm时，FITC(荧光激励波长为495nm，荧光波长为520nm)和如Alexa Fluor 430(Molecular Probes公司制造，荧光激励波长为430nm，荧光波长为540nm)可以使用同一电介质多层膜进行测定。
此外，作为与本发明的波长选择装置具有同样特征的装置，带通滤光器(Band Pass Filter)、短波截止滤光器、二色滤光器、冷滤光器等波长滤光器均有市售。
上述基板11、21、31的材质能够使用玻璃和高分子材料，高分子材料可以使用聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚对苯二甲酸亚乙酯、聚酰亚胺、聚碳酸脂、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚四氟乙烯(テフロン注册商标)、聚多氟乙烯、密胺、尼龙的任一种或者其混合物。
接下来，用图对本发明的荧光测定装置的一例进行说明。图4为本实施方式1中的荧光测定装置的一个结构例的示意图。此外，在这里例举的是把待测试样配置于在基板上形成的作为微流道等的沟槽部分的情况。
在本实施方式1的荧光测定装置400中，在基板41的上方配置了射出具有荧光激励波长的激励光e1的激励光源43，在该基板41的下方、即与上述激励光源43相对的一侧，配置了测定由被上述激励光e1照射的试样所发出的荧光的受光部分44。上述激励光源43射出的激励光e1照射在配置于上述基板41的沟槽部分41a的底面上形成的电介质多层膜上的试样46上，从被该激励光e1照射的试样46发出荧光f1。来自上述试样46的荧光f1透过上述电介质多层膜42，由受光部分46测定。此外，未用于荧光激励的激励光成分由上述电介质多层膜42所反射，作为反射光e2向基板41上方射出。
这样在本实施方式1的荧光测定装置400中，未用于荧光激励的激励光由电介质多层膜42反射，故不发生由该激励光引起的来自基板41自身的荧光。因此，没有由于上述基板41发出自身荧光而导致检测灵敏度降低的问题，可以高灵敏度地检测出测定材料。此外，由上述电介质多层膜41反射的反射光e2能够再次照射上述试样46，因而可以使该试样46的荧光f1增加。
此外，如果将上述荧光测定装置400以当从上述激励光源43射出的激励光对上述试样46进行照射时为最紧凑(节省)的方式构成，则可以进行微量的试样的测定。
此外，对于因从上述试样46发出的荧光而从基板41产生的2次自身荧光的噪声光，由于该自身发光的波长移动到了比试样所发出的荧光f1的波长更长的波段中，所以如图5的荧光测定装置400’中所示，如在将上述荧光f1导向受光部分44的导光通路上配置遮断除上述荧光f1波长以外的光的受光滤光器的话，就可以消除其噪声光的影响。对于上述激励光的漏光和散射光等的噪声光，如进一步在将上述荧光f1导向受光部分44的导光通路上配置遮断激励波长的受光滤光器的话(图中未示出)，也可以遮断该激励波长。
当在上述基板41上设置了微流道等凹状的沟槽或者凹陷41a时，如图6的荧光测定装置500中所示，如果在该基板41的沟槽或者凹陷部分41a的上方设置在其一侧的面上形成有使由上述电介质多层膜42所反射的激励光e2发生反射的反射膜52的顶板51，使该反射膜52置于基板41一侧的话，作为由上述电介质多层膜42所反射的激励光成分的反射光e2在上述顶板51的反射膜52和上述电介质多层膜42之间多次反射，从而可以在上述试样46内多重反射，因此将该试样46发出的荧光f1进一步放大，在受光部分可以灵敏度更高地检测出荧光物质。
在这里，作为形成于上述顶板51上的反射膜52，能够例举的有上述顶板51上的铝和银等反射镜材料的薄膜、或者形成于基板41上的上述电介质多层膜42等的涂层，但优选全反射上述反射光e2的反射镜材料的薄膜。此外，如图6所示，上述顶板51并不是以完全堵住形成于上述基板41上的凹状的沟槽部分41a的上方的方式设置的，而是以设置了使由激励光源43所照射的激励光e1直接照射在试样46上的区域的方式设置的。
实施例1以下，用图7对荧光测定装置的一个实施例进行说明。此外，本发明的荧光测定装置不局限于以下所示的结构。
(1)基板的制作置备在表面上形成了宽度为80～120μm、深度为30～70μm的凹状的沟槽61a的透明性高的、由聚甲基丙烯酸甲酯构成的基板61，在该沟槽61a的底面上涂覆电介质多层膜62。
上述电介质多层膜62由高折射率层A(二氧化钛、折射率2.4)和低折射率层B(二氧化硅、折射率1.5)交替层叠形成。上述高折射率层A和上述低折射率层B均由反应性溅射法成膜。
以下示出了此处所使用的反应性溅射法的成膜条件。上述高折射率层A的成膜条件为，功率4500W、氩气250sccm、氧气120sccm，使用钛作为靶。该溅射条件下的上述高折射率层A的膜厚为20～50nm。上述低折射率层B的成膜条件为，功率9000W、氩气250sccm、氧气120sccm，使用硅作为靶。该溅射条件下的上述低折射率层B的膜厚为60～90nm。
在本实施方式1中，上述高折射率层A和上述低折射率层B交替重叠30次，形成的膜厚共计约为1.2μm～2.1μm的电介质多层膜62，优选形成1.7μm的电介质多层膜。图8为本实施例1中制作的具有电介质多层膜的基板的光透过特性图。
(2)通过荧光测定装置进行荧光测定下面对使用了如上所述制成的基板61的本实施例1的荧光测定装置600进行说明。
激励光源63产生激励光e1(中心波长470nm)。由反射镜69反射的激励光e1照射在基板61的流道内的标识了FITC的试样66上。
由激励光e1引起的试样66发出的荧光f1透过基板61、受光滤光器68，由在相对于基板61配置在与激励光照射一侧相反一侧的受光部分64(光子计数器)对发光量进行计数和检测。此外，未用于荧光激励的激励光成分(反射光)e2由电介质多层膜62所反射。由上述受光部分64检测出的荧光信号数据存储在外部存储器70中，进而由输出设备71输出。
由如上形成的荧光测定装置600进行检测的结果，可以得到当试样最小为3fmol时的荧光信号。
实施例2以下用图9对荧光测定装置的其他实施例进行说明。此外，本发明的荧光测定装置不限于以下所示的结构。
(1)基板的制作实施例2中使用的形成了电介质多层膜62的基板61是用与上述实施例1同样的方法制作的。
(2)顶板的设置在本实施例2中，形成在上述基板61上的凹状的沟槽61a的上方、将在一侧的面上涂覆了对由激励光源63照射的激励光进行反射的反射薄膜92的顶板91以该反射薄膜92靠着基板61一侧的方式进行设置。此时，上述项板91并不完全堵住形成于上述基板61上的沟槽61a的上部，而是空出使激励光照射在直接试样66上的间隙而配置于该基板61上。
(3)通过荧光测定装置进行荧光测定接下来，对使用如上所述的以堵住形成于上述衬底61上的沟槽61a的一部分的方式配置了项板91的基板61的本实施例2的荧光衬底装置800进行说明。
激励光源83产生激励光e1(中心波长470nm)。由反射镜89反射的激励光e1照射基板61的流道内的标识了FITC的试样66。来自上述激励光源83的激励光e1不照射上述顶板91，而直接照射至试样66。
上述因激励光e1而产生的来自试样66的荧光f1透过基板61、受光滤光器88，由相对基板61配置在与激励光照射侧相反一侧的受光部分84(光子计数器)对发光量进行计数和检测。此外，未用于荧光激励的激励光成分(反射光e2)在经形成于上述基板61的电介质多层膜62反射后，由形成于上述顶板91上的反射膜92全反射。该反射在流道内成多重反射，使荧光f1放大。将由上述受光部分84检测出的荧光信号数据存储在外部存储器70中，进而由输出设备71输出。
通过如上所述形成的荧光测定装置800进行检测的结果，可以得到试样最小为2fmol时的荧光信号。
如上所述，根据本实施方式1的荧光测定装置，通过在放置试样的基板上配置反射从该基板上方照射的激励光、并可透过该试样发出的荧光的由电介质多层膜形成的波长选择装置，并由受光部分检测出透过该波长选择装置的上述荧光，从而可以尽可能地降低来自上述基板的自身荧光和激励光的漏光等背景噪声成分，其结果是可以灵敏度很高地检测出荧光物质。
此外，在本实施方式1的荧光测定装置中，由于在上述基板上还具有在其一侧上形成了对照射于上述试样上的激励光进行反射的反射膜的顶板，并将在上述基板中保持的试样用形成于该基板上的波长选择装置和形成于上述顶板上的反射膜所包围，所以由上述波长选择装置所反射的作为激励光成分的反射光e2由上述顶板的电介质多层膜的再次反射被重复多次，从而可以在添加于该基板上的试样内进行多重反射，因此可以进一步放大由上述试样产生的荧光，其结果可以更高灵敏度地检测出荧光物质。
此外，在本实施方式1中，对上述电介质多层膜为两种电介质材料交替层叠的多层膜结构的情况进行了说明，但并不仅限于此，也可以是组合3种或3种以上的电介质材料的多层膜结构。
由于本发明的荧光测定装置可以高灵敏度地检测出荧光物质，因此可以用作需要高灵敏度测定的单核苷酸多态性(SNP)以及细菌检查、病毒检查等所使用的荧光测定装置。
权利要求
1.一种荧光测定装置，其特征为，在保持一照射激励光就发出荧光的试样的基板的上表面上形成反射上述激励光并透过上述荧光的波长选择装置，把上述试样配置在形成了该波长选择装置的基板上，从该基板上方向上述试样照射激励光，由在上述基板下方所设置的受光部分测定透过上述波长选择装置的由上述试样发出的荧光。
2.权利要求1所述的荧光测定装置，其特征为，上述波长选择装置是由在上述基板上形成的涂层形成的。
3.权利要求2所述的荧光测定装置，其特征为，上述涂层由电介质多层膜形成。
4.权利要求3所述的荧光测定装置，其特征为，上述电介质多层膜由至少各一种的高折射率的电介质材料和折射率比该高折射率低的电介质材料交替层叠而成。
5.权利要求1所述的荧光测定装置，其特征为，上述波长选择装置由二氧化钛层和二氧化硅层交替层叠形成。
6.权利要求1所述的荧光测定装置，其特征为，在上述基板和上述受光部分之间还具有仅令透过上述波长选择装置的由上述试样发出的荧光透过的滤光器。
7.权利要求1所述的荧光测定装置，其特征为，上述基板由高分子材料构成。
8.权利要求1所述的荧光测定装置，其特征为，上述基板为平板状，上述波长选择装置形成在该基板的整个上表面上，在该波长选择装置上配置上述试样。
9.权利要求1所述的荧光测定装置，其特征为，在上述基板的上部形成凹陷或沟槽，上述波长选择装置形成于在该基板上所形成的凹陷或沟槽的底面上，在形成了该波长选择装置的凹陷或沟槽内配置上述试样。
10.权利要求1所述的荧光测定装置，其特征为，在上述基板的上部形成凹陷或沟槽，上述波长选择装置形成于在该基板上所形成的凹陷或沟槽的底面和内侧面上，在形成了该波长选择装置的凹陷或沟槽内配置上述试样。
11.权利要求9或10所述的荧光测定装置，其特征为，在上述基板上配置在一侧的面上形成了反射激励光的反射膜的顶板并使该反射膜位于上述基板一侧，通过上述波长选择装置和上述顶板的上述一侧的面上形成的反射膜使上述激励光在上述试样中进行多重反射。
全文摘要
本发明提供一种荧光测定装置，在保持待测试样的基板41上，形成反射从该基板41的上方照射的激励光e1并可透过由上述试样所发出的荧光f1的电介质多层膜42，并由该电介质多层膜42反射激励光e2，由受光部分44检测出透过的荧光f1。根据本发明，可以消除由基板的自身荧光和来自激励光的受光滤光器的漏光所导致的检测灵敏度低下的问题，并可高灵敏度地对测定材料进行检测。
文档编号G01N21/64GK1821753SQ200610008610
公开日2006年8月23日 申请日期2006年2月17日 优先权日2005年2月17日
发明者田畑仁平, 宫川智 申请人:松下电器产业株式会社