为用于集成电路的部件实现无源附着的方法和设备的制作方法

专利名称：为用于集成电路的部件实现无源附着的方法和设备的制作方法
为用于集成电路的部件实现无源附着的方法和设备
背景技术：
用于半导体封装的技术是本领域公知的。
一般而言，将管芯从晶片上
切下，对其进行处理，并使之附着至引线框架。在集成电路(IC)封装的
组装之后，可以将所述ic封装置于具有其他部件的电路板上，所述部件包
括诸如电容器、电阻器和电感器的无源部件。这样的无源部件可以用于滤波等，其可能导致在传感器附近添加电路板，或者导致在可能存在的电路板上添加额外的"不动产"。
本领域公知，通常采用塑料或其他材料对集成电路(IC)进行包覆模制(overmold)，以形成封装。这样的IC，例如，传感器经常需要将诸如电容器的外部部件耦合到所述IC，以实现适当操作。磁传感器(例如)可能需要去耦电容器来降低噪声以及增强EMC (电磁兼容性)。但是，所述外部部件需要在印刷电路板(PCB)上设置"不动产"，并且需要额外的处理步骤。'
授予Chew等人的美国专利No. 5973388公开了这样一种技术，其中，引线框架包括标志(flag)部分和具有将管芯连接至引线框架的引线键合的引线部分。对所述引线部分的内端进行蚀刻，以提供用于环氧化合物的锁定结构。之后将所述组件包封到环氧塑料化合物内。
授予Yasimaga等人的美国专利No. 6563199公开了一种引线框架，其具有的引线带有用于容纳导线的凹陷，所述导线可以包含在树脂内，用于实现与半导体芯片的电连接。
授予Minamio等人的美国专利No. 6642609公开了一种其引线带有连接盘.(land)电极的引线框架。连接盘引线具有半切(half-cut)部分和连接盘部分，使所述连接盘部分发生倾斜，从而在树脂模制过程中使所述连接盘电极附着至用于避免树脂接触所述连接盘电极的密封薄板。
授予Liu等人的美国专利No. 6713836公开了一种包括引线框架的封装结构，所述引线框架具有引线和能够向其键合芯片的管芯焊盘。在接触焊盘之间安装无源器件。键合线连接所述芯片、无源器件和引线，所有的这些部件均被包封。
Hsu等人的美国专利申请公开文本No.US2005/0035448公开了一种芯片封装结构，其包括载体、管芯、无源部件和导线。将所述无源部件的电极通过相应的导线耦合到电源和地。


通过下文结合附图给出的详细说明将更为充分地理解文中给出的示范
性实施例，其中
.图1是根据本发明的示范性实施例的具有集成电容器的传感器的绘图表不；
图2A是电容器和引线框架的顶视图；图2B是图2A所示的电容器和引线框架的侧视图；图3A是通过导电环氧树脂固定至引线框架的电容器的顶视图；'图3B是图3A所示的组件的侧视图；图4A是根据本发明的示范性实施例的具有集成电容器的传感器的顶视
图4B是图4A的传感器的侧视图；图4C是图4A的电容器的顶视图；图4D是图4C的电容器的侧视图4E是根据本发明的示范性实施例的具有集成电容器的传感器的顶视
图4F是图4E的传感器的侧视图；,图5是示出了图4A的传感器的示范性制造步骤序列的流程图；图5A是示出了根据本发明的示范性实施例的传感器的备选制造步骤序列的流程图5B是示出了根据本发明的示范性实施例的传感器的另一制造步骤序列的流程'图6A是根据本发明的示范性实施例的耦合到引线框架的电容器的顶视
5图6B是图6A的组件的截面图6C是示出了图6A的组件的示范性制造步骤序列的流程图;图7A是耦合到引线框架的电容器的顶视图；图7B是图7A的组件的截面图8A是耦合到引线框架的电容器的顶视图8B是图8的组件沿A-A线的截面图；图8C是图8的组件沿B-B线的截面图；图9A是耦合到引线框架的电容器的顶视图；图9B是图9A的组件沿A-A线的截面图；图9C是图9A的组件沿B-B线的截面图；图9D是耦合到引线框架的电容器的顶视图；图9E是图9D的组件沿A-A线的截面图；图9F是图9D的组件沿B-B线的截面图；图9G是图9D的组件的绘图表示；图IOA是耦合到引线框架的电容器的顶视图；图IOB是图10的组件沿A-A线的截面图；图10C是图10的组件沿B-B线的截面图；图IOD是图10的组件沿C-C线的截面图IIA是具有集成电容器的传感器的前视图IIB是图11A的传感器的侧视图12A是现有技术传感器的前视图12B是图12A的现有技术传感器的侧视图；以及
图12C是图12A的现有技术传感器的绘图表示。
具体实施例方式
图1示出了根据本发明的示范性实施例的具有集成电容器102a、 b的集成电路(IC)封装100。在图示的实施例中，IC封装100包括具有磁传感器的管芯104，所述磁传感器用于检测磁场或者磁场中的变化，其中所述磁场可能随着所研究的对象的移动而变化。所述管芯104和电容器102可以位于具有一系列引线指状物(finger) 108的引线框架106上。
6与已知的传感器封装相比，通过集成一个或多个根据将在下文中予以
更为充分的说明的示范性实施例的电容器102，封装的竖直方向或者磁场将受到最小的影响或者不受影响，例如，只发生微小增大或不增大。本领域技术人员将认识到，对于传感器IC而言，希望使传感器封装和所研究的对象之间的距离降至最低。
图2A和图2B示出了在引线框架206界定的区域204内设置在诸如KAPTON带的带202上的电容器200。更具体而言，形成引线框架，对其进行切割或操纵，从而形成用于电容器200的区域204。电容器200处于引线框架206的表面208之下，因而与引线框架上的电容器相比降低了封装的竖直尺寸。
采用任何适当的技术，例如，引线键合、焊料、导电环氧树脂等将电容器200电耦合到引线框架206。在某些实施例中，可以优选引线键合和/或导电环氧树脂，因为焊料可能会因在温度循环过程中由热膨胀系数(CTE)失配导致的热膨胀而在与电容器或引线框架的界面处发生断裂。
图3A和图3B示出了处于引线框架304的表面302之下的具有电容器300的传感器的另一实施例。在图示的实施例中，所述电容器的底部306处于引线框架304的底表面308之下。采用导电环氧树脂310将电容器300电连接并固定到引线框架304。借助这一布局，在竖直方向能够更多地利用用于所述传感器的封装的主体作为封装厚度。这一方向是磁传感器的操作当中的重要因素，这是本领域技术人员很容易认识到的。
在示范性实施例中，将电容器300置于引线框架302之下，并通过导电环氧树脂310将电容器300电连接至引线框架并固定在适当位置。在一个实施例中，使电容器300大致在引线框架302的纵向中心312上居中放置。也就是说，所述电容器处于引线框架的顶表面314之上和处于底表面316之下的部分等同。但是，在其他实施例中，也可以相对于引线框架302对电容器300做出不同的布置。
在示范性实施例中，用于使电容器300相对于引线框架302定位的装配架350 (图3B)包括托盘352，其提供了用于在组装过程中将电容器300固定到适当位置的凹陷。例如硅等的管芯还可能出现在引线框架的其他部分，但是为了清晰起见，这里没有示出。对托盘352定位，从而将电容器
7相对于引线框架302放置到预期的位置，与此同时涂覆导电环氧树脂310 并使其固化。在使环氧树脂或其他连接机构固化或固定之后，可以去除所 述托盘，并且可以(例如)在所述组件周围对模制化合物进行包覆模制， 以形成IC封装。
在另一实施例中，采用焊料将电容器电连接并固定至引线框架。应当 理解，可以采用其他能够抵御在塑料封装注入模制过程中出现的机械力的 适当材料。
图4A和图4B示出了根据本发明的示范性实施例的具有第一和第二集 成电容器402a、 b并且具有示范性尺寸的IC封装400的另一实施例。将管 芯404连接至具有切口区域408的引线框架406，在所述切口区域408内， 可以将电容器402置于引线框架406的表面410之下。可以采用塑料或其 他材料作为用于对所述组件进行封装的模制材料412。
如图4C和图4D所示，在示范性实施例中，将电容器402安装到诸如 具有导电箔的聚酰亚胺带等的带414 (KAPTON是聚酰亚胺带的一种商标名) 上。可以将采用连续巻轴的带自动键合工艺(TAB)用于电容器402。借助 这一布局，所述组件将在所述模制过程中保持完好无损。与具有安装于引 线框架上的电容器的封装相比，通过将电容器402置于引线框架表面410 之下，降低了封装的所需厚度。
在图4A和图4B的示范性封装中，具有集成电容器402a、 b的IC封装 400是Hall效应传感器。本领域公知，传感器400可以用来通过监测磁场 中的变化而检测所研究的对象的移动。
所述示范性传感器封装400的尺寸为大约0. 24英寸长，大约0. 184英 寸宽，大约0.76英寸深，即大约0.76英寸厚。引线框架406的厚度大约 为0.01英寸，其切口区域大约为0.04英寸，从而能够将电容器402置于 引线框架表面之下。
'所述电容器提供的容抗可以存在变化。 一般而言，所述电容可以处于 大约500pF到大约200nF的范围内。
图4E-F示出了根据本发明的示范性实施例的另一传感器封装实施例 450，其包括具有引线框架452的集成电容器402a、 402b，所述引线框架 452具有用于降低涡流的第一狭缝454。在其他实施例中，还可以在所述引线框架内提供额外的狭缝456、 458。传感器450与图4A的传感器400具有 一些共性，其中，类似的附图标记表示类似的元件。
本领域公知，在存在AC磁场(例如，围绕载流导体的磁场)的情况下， 可能在导电引线框架452内诱发AC涡流。涡流将形成倾向于导致较小的磁 场的闭合环路，因而Hall效应元件所经受的磁场要小于否则其将经受的磁 场，从而引起灵敏度的降低。此外，如果与涡流相关的磁场是非均匀的或 者并非是围绕Hall效应元件对称的，那么所述Hall效应元件还有可能生 成不希望出现的偏移电压。
狭缝454倾向于降低涡流在引线框架452中所流经的闭合环路的尺寸 (例如，直径或通路长度)。应当理解，涡流所流经的闭合环路的尺寸的降 低将导致更小的涡流，从而对诱发涡流的AC磁场带来更小的局部影响。因 此，在狭缝454的作用下，具有Hall效应元件460的电流传感器的灵敏度 受到涡流的影响更低。
狭缝454将导致朝向Hall元件的每一侧的(多个)涡流，而不是导致 围绕Hall效应元件460旋转的(单个)涡流。尽管由所述(多个)涡流导 致的磁场是加性的，但是在所述(多个)涡流的提高的接近度的作用下， 与没有狭缝的单涡流相比，总的幅度场强度仍然是较低的。
'应当理解，可以按照各式各样的配置形成任何数量的狭缝，以满足具 体应用的需要。在图4E的示范性实施例中，相对于在管芯上处于居中位置 的Hall效应元件460在引线框架452内形成第一、第二和第三狭缝454、 456和458。所述狭缝削弱了涡流，并且增强了传感器的总体性能。
应当理解，应当从广义的角度理解狭缝一词，使其从总体上涵盖引线 框架的导电性的中断。例如，狭缝可以包括几个相对较大的孔以及具有相 对较高的密度的较小的孔。此外，狭缝一词并非意在指代任何具体的几何 形状。例如，狭缝包括各种各样规则和不规则的形状，例如，锥形、椭圆 形等。此外，应当理解，狭缝的方向可能发生变化。而且，显然可能希望 基于传感器的类型确定狭缝的位置。
具有狭缝的引线框架452可以由金属层形成，所述金属层可以由适当 的导电材料构成，包括(例如)铝、铜、金、钛、钨、铬和/或镍。
图5示出了包括用于提供具有一个或多个集成电容器的传感器的示范
9性步骤序列的过程500。在步骤502中，向预期位置涂覆导电环氧树脂，在 步骤504中，使管芯附着至引线框架。在步骤506中，通过导电环氧树脂 使电容器附着至引线框架。在步骤508中使所述组件固化，随后在步骤510 中将引线指状物引线键合到管芯。之后，(例如)在步骤512中采用塑料材 料对所述组件进行包覆模制，随后是去飞边毛刺/镀覆以及修整/切单的精 整步骤514、 516。
或者，可以采用将焊料球和/或焊料凸块施加到所述管芯上的倒装法附 着，之后使所述管芯附着至引线框架。使电容器附着至引线框架，随后回 流焊之后对所述组件进行包覆模制。
图5A示出了图5的过程500的备选实施例550，在所述实施例中，采 用焊料来替代导电环氧树脂，其中，采用类似的附图标记表示类似的元件。 在步骤552中，将焊料印刷或者配送到预期的位置，从而实现步骤554中 电容器的附着。在步骤556中，按照与图5所示的类似的方式使管芯附着 至引线框架，随后进行固化等处理。图5B示出了可以在引线键合过程中减 少断裂的另一备选实施例560。在步骤562中，分配环氧树脂，在步骤564 中，附着管芯。之后，在步骤566中使环氧树脂固化，随后在步骤568中 进行引线键合。之后，在步骤572中，附着电容器，在步骤574中使所述 组件固化，随后分别在步骤512、 514和516中进行模制、去飞边毛刺/镀 覆和修整/切单。
应当理解，所述的示范性过程实施例都是示范性的。此外，未必示出 了所有的步骤，例如，通常在对封装模制之后，对引线进行镀覆、修整， 由此形成了引线。还有可能采用一种类型的焊料附着电容器，之后采用第 二种类型的焊料使管芯通过倒装法附着至引线框架。此外，可以根据哪种 焊料具有较高的回流温度而使过程步骤颠倒。应当首先采用具有较高温度 的焊料。对管芯进行倒装法附着，之后采用环氧树脂附着电容器的情况也 是可能的。
应当理解，可以采用各种附着机制来固定电容器和弓I线框架和/或对其 进行电连接。示范性的机制包括带和导电环氧树脂、焊料、带和引线键合、 TAB (带自动键合)以及非导电环氧树脂和引线键合。
.图6A和图6B示出了一种半导体封装结构600，其包括向其附着管芯604和部件606a、 b、 c的引线框架602。 一般而言，可以将诸如电容器和 无源器件的部件耦合到所述引线框架和指状物。这一布局延长了诸如无源 部件等部件的寿命周期，提高了降噪能力，并且在印刷电路板上产生了更 多的空间。
在图示的实施例中，按照相对于引线框架602的间隔关系设置一系列 未附着的引线指状物608a、 b、 c的位置，从而分别通过部件606a、 b、 c 实现指状物一引线框架连接。将管芯604置于引线框架602的顶表面602a 上，并使一个或多个附件606附着至引线框架的底表面602b。还可以使部 件606耦合到引线指状物，从而将引线指状物608电连接至引线框架602。 例如，可以采用引线键合610实现管芯604和引线框架之间的电连接。
凭借这一布局，能够采用一种或多种诸如丝网印刷、分配 (dispensing)、表面安装器件附着等的成熟的表面安装技术(SMT)处理 实现弓I线框架焊盘上的无源部件集成。
可以通过蚀刻、冲压、研磨等制造引线框架602和/或引线指状物608。 可以在切单和封装体模制之前执行无源部件606的附着，从而使切单过程 不会对内部部件的质量造成不利影响。本领域己知，并且如(例如)授予 Drussel等人的美国专利No. 6886247中所公开的，切单是指使印刷电路板 和衬底材料板内的互连PCB分离这一操作。
图6C示出了用于制造图6A和图6B的组件的示范性步骤序列650。在 步骤652中，使管芯附着至引线框架，随后在步骤654中使之固化。在固 化之后，在步骤656中附着引线键合，之后在步骤658中对所述组件进行 模制，进而在步骤660中对所述组件进行去飞边毛刺/镀覆。在步骤662中， 印刷或分配焊料，随后在步骤664中执行电容器的附着、回流焊和清洗。 在步骤666中，执行修整和切单。在图示的实施例中，暴露引线框架的铜， 从而在完成模制之后使电容器附着至所述封装。
图7A和图7B示出了具有采用集成方案提供的嵌入电容器702的组件 700。将管芯704设置在引线框架706的顶表面706a上，所述引线框架706 具有相对于所述引线框架设置的引线指状物708a、 b、 c。电容器702或其 他部件具有置于引线框架上的第一键合焊盘710上的第一末端702a以及置 于第一引线指状物708a上的第二键合焊盘712上的第二末端702b。所述引线框架具有下陷(downset)区域714，其表面位于引线框架的顶表面706a 之下，以容纳电容器702。类似地，第一引线指状物708a具有处于引线指 状物的顶表面718之下的下陷区域716，以容纳电容器第二末端702b。
就这一布局而言，由于引线框架和第一引线指状物的下陷区域714和 716的原因，使电容器的顶表面720相对于引线框架的顶表面706a降低。
所述电容器的示范性阻抗范围为大约500pF到大约100nF。应当理解， 可以采用各种电容器类型和附着技术提供具有集成电容器的传感器。在一 个具体实施例中，采用具有1.6mm长、0.85ram宽、0. 86mm厚的示范性尺寸
的表面安装电容器。
.图8A-C示出了另一实施例700'，其与图2A和图2B的组件具有一些共 性。在对应的引线框架706'和第一引线指状物708a中将下陷区域714'和 716'形成为方形沟槽。
可以将具有集成电容器的集成电路用于需要在其输入或输出处提供噪 声过滤(例如借助旁路电容器)的应用。例如，在机动车应用中，诸如Hall 效应器件的位置传感器往往采用旁路电容器。
图9A-C示出了组件的另一实施例800，其具有第一和第二集成部件 802、 804。将管芯805设置在引线框架806上，所述引线框架806具有从 引线框架延伸出来的第一和第二引线指状物808a、 b。此外，引线指状物 810a-e与引线框架806分离，它们相对于所述引线框架具有一定的间隔关 系。'第一完好的引线指状物808a具有处于该引线指状物的外侧区域上的第 一和第二下陷区域812a、 b，以容纳所述第一和第二部件802、 804的末端。 第一和第二分离的引线指状物810a、 b分别具有下陷区域814、 816，以容 纳第一和第二部件802、 804的另一末端。部件802、 804提供如图所示的 预期电连接。引线键合818能够在引线指状物和管芯805之间提供电连接。
在图示的实施例中，对引线指状物808a、 810a、 b进行精压(coin)， 以提供下陷区域812、 814、 816。通过在精压的下陷区域内设置诸如电容器、 电感器、电阻器等的部件，能够降低整个封装的厚度。
由于可以降低封装厚度，因而这样的布局为磁场传感器提供了优势。 也就是说，本发明的具有集成部件的传感器能够具有和没有集成部件的相 当的常规传感器一样的厚度。本领域技术人员容易理解，磁隙是所感兴趣的磁传感器的参数，降低封装厚度的能力可以提供改进的磁传感器的设计。
图9D-G示出了另一组件的实施例800'，该组件具有集成到诸如磁传感 器的封装内的第一和第二部件802、 804。实施例800'与图9A_C的实施例 800具有一些共性，其中，采用类似的附图标记表示类似的元件。将部件 802.、 804固定至没有下陷区域的引线框架806'。部件802、 804位于管芯 805的与用于将各个管芯位置连接至引线指状物的引线键合818相对的一 侧。部件802、 804位于管芯的与从所述封装伸出的引线820相对的一侧。 在图示的实施例中，将接近部件802、 804的拉筋(tie bar)从最终的封 装上切除或修整掉。通过将部件802、 804置于管芯的与外部引线820相对 的一侧，提供了更为紧凑的封装。
图10A-D示出了与图9D-F的组件具有某些类似性的另一实施例900。 将所述部件置于引线框架806'的与管芯805'相对的一侧。这一布局优化了 与磁传感器结合使用的器件，其中，将磁体设置在所述器件的背面，并使 引线成九十度角(参考图6)，以优化传感器的尺寸。
'图11A-B示出了具有集成电容器的示范性传感器封装950，其具有与图 12A-C所示的没有集成电容器的常规传感器相比降低了的主体直径。引线 952在封装主体954内与引线框架呈九十度角。在一个实施例中，外部引线 952处于管芯的与集成电容器相对的一侧上，如图9D所示。凭借本发明的 集成电容器，所述传感器提供了一种涉及降低的尺寸的鲁棒的噪声过滤解 决方案。例如，图11A、 B的传感器封装950可以具有大约7.6ram的直径， 而图12A-C所示的相当的现有技术传感器具有大约9. 8mm的直径。
为了制造图11A-B所示的封装950，使引线形成/弯曲九十度角。将所 述部分插入到预先模制的外壳内，从而使封装主体与引线对准。对于Hall 传感器而言，例如，可以添加磁体和集中器(未示出)。之后，对所述组件 进行包覆模制。
本发明的示范性实施例可以用于诸如机动车应用的各种应用中的封装 内系统(SiP)技术。本发明的封装有助于优化无源部件的寿命周期，提高 降噪能力，以及在电路板上创建更多的空间。此外，本发明优化了对部件 的定位，从而降低了空间要求，增强了器件感测能力。
在另一实施例中，传感器包括引线框架上的具有传感器元件的第一管芯以及具有电路和至少一个集成电容器的第二管芯。尽管文中给出的示范
性实施例讨论了 Hall效应传感器的使用，但是对于本领域技术人员而言， 显然还可以采用其他类型的磁场传感器替代Hall元件或与之结合使用。例 如，所述器件可以采用各向异性磁阻(AMR)传感器和/或巨磁阻(GMR)传 感器。就GMR传感器而言，所述GMR元件旨在覆盖由多个材料叠层构成的 传感器的范围，例如，所述传感器可以是线性旋转阀、隧穿磁阻(TMR) 或宏(colossal)磁阻(CMR)传感器。在其他实施例中，所述传感器包括 后向偏置(back bias)磁体。所述管芯可以由硅、GaAs、 InGaAs、 InGaAsP、 SiGe或其他适当的材料独立形成。
本发明的其他实施例包括一般而言希望其内具有诸如电容器的集成部 件的压力传感器以及其他无接触传感器封装。
基于上述实施例，本领域技术人员将认识到本发明的其他特征和优点。 相应地，本发明不限于具体图示和描述的内容，除非在权利要求中明确指 出。这里将文中引用的所有公开文献和参考文献明确地全文引入以供参考。
1权利要求
1、一种传感器，包括管芯；具有相对的第一表面和第二表面的引线框架，所述引线框架以所述第一表面支撑所述管芯；用于提供与所述引线框架和所述管芯的电连接的引线指状物；以及耦合到所述引线框架和所述引线指状物中的第一个的部件，使得所述部件是IC封装的集成部分。
2、 根据权利要求1所述的传感器，其中，所述引线框架具有切口区域，所述部件设置在该切口区域中。
3、 根据权利要求1所述的传感器，其中，所述部件的底表面处于所述弓I线框架的所述第二表面之下。
4、 根据权利要求3所述的传感器，其中，所述部件大体上围绕所述引线框架的纵轴放置，使得处于所述第一表面之上和处于所述第二表面之下的所述部件的部分基本上等同。
5、 根据权利要求1所述的传感器，其中，所述传感器包括磁传感器。
6、 根据权利要求5所述的传感器，其中，所述部件包括电容器。
7、 根据权利要求5所述的传感器，其中，所述引线框架包括至少一个用于削弱涡流的狭缝。
8、 根据权利要求5所述的传感器，其中，所述磁传感器包括Hall元件。.
9、根据权利要求5所述的传感器，其中，所述磁传感器包括Hall元件、AMR元件和/或GMR元件中的一种或多种。
10、 根据权利要求1所述的传感器，其中，所述传感器包括外部引线，使得所述外部引线处于所述管芯的与耦合到所述引线框架的部件相对的一侧上。
11、 根据权利要求10所述的传感器，其中，所述部件包括电容器。
12、根据权利要求10所述的传感器，还包括处于所述管芯的与所述外部引线相对的一侧上的第二部件。
13、 根据权利要求10所述的传感器，其中，所述引线框架包括至少一个用于削弱涡流的狭缝。
14、 根据权利要求13所述的传感器，其中，所述传感器包括Hall元件。
15、 根据权利要求1所述的传感器，其中，所述引线框架包括至少一个用于削弱涡流的狭缝。
16、 根据权利要求15所述的传感器，其中，所述传感器包括与所述至少一个狭缝对准的Hall元件。
17、 根据权利要求16所述的传感器，其中，所述至少一个狭缝包括第一狭缝、第二狭缝和第三狭缝，其中，所述第一狭缝与所述Hall元件对准，所述第二狭缝和第三狭缝相对于所述Hall元件对称。
全文摘要
通过一定的方法和设备提供了具有耦合到引线框架的集成部件的传感器。在一个实施例中，所述传感器包括处于所述管芯的与所述集成元件相对的一侧上的外部引线。在另一实施例中，引线框架包括用于削弱涡流的狭缝。
文档编号G01R33/07GK101467058SQ200780021981
公开日2009年6月24日 申请日期2007年6月4日 优先权日2006年7月14日
发明者J·加尼翁, K·杜格, L·T·马格潘塔伊, N·夏尔马, R·W·恩格尔, V·阿拉拉奥, W·P·泰勒 申请人:阿莱戈微系统公司