专利名称：高掺杂点电极soi压阻式压力传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种压阻式压力传感器。
背景技术：
现有的压阻式压力传感器主要采用单晶硅材料制造而成，其中的压力敏
感电阻同衬底之间采用PN结进行隔离，由于PN结本身固有的性质决定了 它的使用温度范围较窄，限制了该类传感器的使用范围，另外，由于PN结 的存在，不可避免的存在一定的漏电流，使传感器的稳定性变差。对于取消 PN结的SOI压阻式压力传感器如果采用低掺杂工艺制作，在电极引出处还 需要进行高掺杂做欧姆接触，同时也增加了退火工艺，增加了工艺步骤，提 高了成本，降低了产品的可靠性，这种传感器只能采用金属作为引线，使金 属电极的长度较长，对于高温使用使产品的可靠性降低。
实用新型内容
本实用新型为了解决使用的金属电极的长度较长，对于高温使用使产品
的可靠性降低问题，而提出了一种高摻杂点电极soi压阻式压力传感器。
本实用新型的高掺杂点电极SOI压阻式压力传感器由硅衬底、第一二氧 化硅层、薄二氧化硅层、第二二氧化硅层、氮化硅层、电极和高掺杂层组成； 所述的硅衬底、第一二氧化硅层和高掺杂层依次从下往上构成SOI膜片；所 述的SOI膜片外部从内向外依次氧化和生长有薄二氧化硅层、第二二氧化硅 层和氮化硅层；所述高掺杂层和上部薄二氧化硅层刻蚀为高掺杂区Q和敏感 电阻R的图形，电极透过上部第二二氧化硅层、上部氮化硅层和上部薄二氧 化硅层与高掺杂层键和，硅衬底、下部薄二氧化硅层、下部第二二氧化硅层和 下部氮化硅层腐蚀形成截面为杯形的底部凹槽。
用SOI基片制作的压力传感器优点是传感器自身体积小、灵敏度高、精 度高、动态特性好，并且具有良好的重复性和可以批量生产性，由于SOI膜 片的压阻式传感器的桥路电阻之间完全分开，注入的电阻与硅衬底之间有一 层Si02隔离，去除了传统扩散硅压阻式传感器中的P-N隔离结，因而具有良 好的高低温重复特性和高低温稳定性，而且减小了漏电流，显著提高了传感器的工作温度范围；由于Si与Si02之间的直接键合，接触面很匹配，没有 其它过滤层，避免了附加应力的产生，提高了传感器的电学与力学特性；同 时，SOI压阻式传感器的制作工艺与传统的CMOS制作工艺兼容，易于实 现集成化，而且由于该种传感器的衬底为硅材料，易于利用湿法或干法进行 体加工出各种形状的压力敏感膜，所以这是一种性能理想的汽车压力传感器。 采用高掺杂工艺制作敏感电阻和引线，在电极引出处不需要单独进行高 掺杂做欧姆接触，同时减少了一步退火工艺，降低了成本，提高了产品的可 靠性，该传感器采用浓硼作为引线，只在内引线引出部分使用点电极用一小 块金属作为压焊点，使金属电极的尺寸极小(200微米X200微米)，采用高
掺杂敏感制作电阻和引线及点电极的另外一个优点是可以用高温氧化层将
敏感电阻和引线部分保护住，取消了通常采用的PECVD低温钝化工艺，在 减少工艺步骤的同时，避免了低温钝化层酥松、保护效果差的弊病，提高了 产品的可靠性。
该种传感器可以使使用温度扩展到-55。C 30(TC的范围内。
图1是本实用新型的高掺杂点电极SOI压阻式压力传感器的俯视图；图 2是本实用新型制造方法中步骤一的结构示意图；图3是本实用新型制造方 法中步骤二的结构示意图；图4是本实用新型制造方法中步骤三的结构示意 图；图5是本实用新型制造方法中步骤四的结构示意图；图6是本实用新型 制造方法中步骤五的结构示意图；图7是本实用新型制造方法中步骤六的结 构示意图；图8是本实用新型制造方法中步骤七的结构示意图；图9是图1 的A-A的剖视图，即本实用新型制造方法中步骤八的结构示意图；图10是 高掺杂点电极SOI压阻式压力传感器的等效电路图。
具体实施方式
具体实施方式
一结合图l和图9说明本实施方式，本实施方式的高掺
杂点电极SOI压阻式压力传感器由硅衬底1、第一二氧化硅层2、薄二氧化 硅层3、第二二氧化硅层4、氮化硅层5、电极6和高掺杂层7组成；所述的 硅衬底1、第一二氧化硅层2和高掺杂层7依次从下往上构成SOI膜片；所 述的SOI膜片外部从内向外依次氧化和生长有薄二氧化硅层3、第二二氧化硅层4和氮化硅层5;所述高掺杂层7和上部薄二氧化硅层3刻蚀为高掺杂 区Q和敏感电阻R的图形，电极6透过上部第二二氧化硅层4、上部氮化硅 层5和上部薄二氧化硅层3与高掺杂层7键和，硅衬底l、下部薄二氧化硅 层3、下部第二二氧化硅层4和下部氮化硅层5腐蚀形成截面为杯形的底部 凹槽8。
具体实施方式
二结合图9说明本实施方式，本实施方式与具体实施方 式一不同点在于薄二氧化硅层3厚度为50nm。其它组成和连接方式与具体 实施方式一相同。
具体实施方式
三结合图9说明本实施方式，本实施方式与具体实施方 式二不同点在于第二二氧化硅层4厚度为200nm 250nm。其它组成和连接方
式与具体实施方式
二相同。
具体实施方式
四结合图9说明本实施方式，本实施方式与具体实施方 式三不同点在于氮化硅层5厚度为100nm 150nm。其它组成和连接方式与具 体实施方式三相同。
具体实施方式
五结合图9说明本实施方式，本实施方式与具体实施方 式四不同点在于电极6的尺寸为20(^mX200^im。其它组成和连接方式与具 体实施方式四相同。
具体实施方式
六本实施方式与具体实施方式
五不同点在于高掺杂层 7为浓硼高掺杂层。其它组成和连接方式与具体实施方式
五相同。
本实用新型内容不仅限于上述各实施方式的内容，其中一个或几个具体 实施方式的组合同样也可以实现发明的目的。
高掺杂点电极SOI压阻式压力传感器所采用的工作原理
单晶硅材料受到力的作用后，其电阻率就要发生变化，这种现象称为压 阻效应。高掺杂点电极SOI压阻式压力传感器是利用单晶硅材料的压阻效应 制成的。传感器的敏感元件是由在单晶硅上形成一个与传感器量程相应厚度 的弹性膜片，再在弹性膜片上采用微电子工艺形成四个应变电阻，组成一个 惠斯通电桥，当压力作用后，弹性膜片就会产生变形，形成正、负两个应变 区；同时材料由于压阻效应，其电阻率就要发生相应的变化，敏感芯片上的 四个电阻条组成闭合的惠斯通电桥。由四个应变电阻组成的电桥中，对一组对角点上施加输入电压J^时,在另一组对角点上有输出电压Fo产生，其输出
由下式给出
式中W——电源电压；
r。——电桥输出电压 高掺杂点电极SOI压阻式压力传感器是在SOI膜片的上层薄硅膜上制作 四个应变电阻，其等效电路如图IO所示，图中A， i 2， ^为四个单晶
硅敏感电阻条，组成惠斯顿电桥，在SOI膜片上，应力区可分为正应力区和
负应力区，在设计时，将桥臂电阻(及;，A)设计在正应力区，而另一对桥 臂电阻(及2， A)设计在负应力区。当压力作用在膜片上时，输出应变电阻 的变化与压力成正比。
高掺杂点电极SOI压阻式压力传感器制造的步骤如下
步骤一如图2所示；对由硅衬底1、第一二氧化硅层2和器件层9组 成的SOI膜片进行清洗和一次氧化，生成厚度为50nm的薄二氧化硅层3; 第一二氧化硅层2作为浓硼注入的缓冲层；清洗采用半导体平面工艺的标准 清洗工艺进行清洗；
步骤二如图3所示；通过大束流注入机对器件层9注入浓度为2X 102Qcm'3、注入能量为80kev的浓硼，形成高掺杂层7;
步骤三如图4所示；对高掺杂层7和薄二氧化硅层3进行光刻和刻蚀
形成高掺杂区Q和敏感电阻R的图形，其中光刻要求对弦，图形与硅衬底l 的弦平行；刻蚀是使用RIE对硅进行刻蚀，刻蚀中应保证将高掺杂层7刻蚀 透并不损伤下面的第一二氧化硅层2;
步骤四如图5所示；使用干氧+湿氧+干氧的方法对步骤三完成的整体 进行上下表面的二次氧化，分别生成厚度为200nm 250nm的第二二氧化硅 层4，氧化温度为1050°C;该步骤将浓硼注入后的退火工艺和敏感电阻R的 保护层和为一步完成，在减少工艺步骤的同时提高了产品的可靠性；
步骤五如图6所示；采用LPCVD方法分别对第二二氧化硅层4所裸 露的上下表面进行氮化硅层5的生长，氮化硅层5厚度为100nm 150nm;该歩骤中的氮化硅层5的上表面氮化硅层5主要是补偿氧化层的应力，而下表
面氮化硅层5作为湿法腐蚀的保护层；
步骤六如图7所示；先对上部氮化硅层5进行光刻，再通过刻蚀方法 去除上部氮化硅层5、上部第二二氧化硅层4和上部薄二氧化硅层3制作出 电极6的嵌入窗口，在其上表面蒸发厚度为1.2wm的铝；并加以刻蚀形成 电极6;刻蚀铝是采用湿法标准工艺；所述光刻采用对准精度优于土llim的 光刻机进行光刻，表面要求涂胶保护，再进行湿法刻蚀；
步骤七如图8所示；首先对下部氮化硅房5进行光刻，之后使用湿法 对光刻出窗口的下部氮化硅层5、下部第二二氧化硅层4和下部薄二氧化硅 层3进行刻蚀；所述的光刻使用对准精度优于土2Pm的双面光刻机进行光 刻，光刻面要求涂胶保护；最后在真空条件下进行合金，形成良好的欧姆接 触；合金温度为48(TC，合金保持时间为30min;
步骤八如图9所示；底部凹槽8采用在温度恒定在78 82'C之间、浓 度为35%氢氧化钾的腐蚀液进行腐蚀；
步骤九将腐蚀好的芯片，最后进行封装、分离、电路调试和性能测试，
最终完成。
权利要求1、高掺杂点电极SOI压阻式压力传感器，其特征在于它由硅衬底(1)、第一二氧化硅层(2)、薄二氧化硅层(3)、第二二氧化硅层(4)、氮化硅层(5)、电极(6)和高掺杂层(7)组成；所述的硅衬底(1)、第一二氧化硅层(2)和高掺杂层(7)依次从下往上构成SOI膜片；所述的SOI膜片外部从内向外依次氧化和生长有薄二氧化硅层(3)、第二二氧化硅层(4)和氮化硅层(5)；所述高掺杂层(7)和上部薄二氧化硅层(3)刻蚀为高掺杂区Q和敏感电阻R的图形，电极(6)透过上部第二二氧化硅层(4)、上部氮化硅层(5)和上部薄二氧化硅层(3)与高掺杂层(7)键和，硅衬底(1)、下部薄二氧化硅层(3)、下部第二二氧化硅层(4)和下部氮化硅层(5)腐蚀形成截面为杯形的底部凹槽(8)。
2、 根据权利要求1所述的高掺杂点电极SOI压阻式压力传感器，其特征 在于薄二氧化硅层(3)厚度为50nm。
3、 根据权利要求2所述的高掺杂点电极SOI压阻式压力传感器，其特征 在于第二二氧化硅层(4)厚度为200nm 250nm。
4、 根据权利要求3所述的高掺杂点电极SOI压阻式压力传感器，其特征 在于氮化硅层(5)厚度为100nm 150nm。
5、 根据权利要求4所述的高掺杂点电极SOI压阻式压力传感器，其特征 在于电极(6)的尺寸为200pmX200nm。
6、 根据权利要求5所述的高掺杂点电极SOI压阻式压力传感器，其特征 在于高掺杂层(7)为浓硼高掺杂层。
专利摘要高掺杂点电极SOI压阻式压力传感器。本实用新型涉及压阻式压力传感器。它解决了使金属电极的长度较长，对于高温使用使产品的可靠性降低问题。它的硅衬底、第一二氧化硅层和高掺杂层依次从下往上构成SOI膜片；其外部从内向外依次氧化和生长有薄二氧化硅层、第二二氧化硅层和氮化硅层；高掺杂层和上部薄二氧化硅层刻蚀为高掺杂区Q和敏感电阻R的图形，电极透过上部三层与高掺杂层键和，硅衬底、下部三层腐蚀形成截面为杯形的底部凹槽。该传感器采用浓硼作为引线，只在内引线引出部分使用点电极用一小块金属作为压焊点，使金属电极的尺寸极小，采用高掺杂敏感制作电阻和引线及点电极的另一个优点是提高了产品的可靠性。
文档编号G01L1/18GK201259453SQ20082009088
公开日2009年6月17日 申请日期2008年9月12日 优先权日2008年9月12日
发明者于海超, 博 付, 寇文兵, 尹延昭, 李海博, 江 王, 王永刚, 雷 田, 金建东, 虹 齐 申请人:中国电子科技集团公司第四十九研究所