被测试装置电路、集成电路以及半导体晶圆工艺监视电路的制作方法

专利名称：被测试装置电路、集成电路以及半导体晶圆工艺监视电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及提供改良的数字工艺监视电路及方法以用于半导体电路的电路及方法。指示在晶圆(wafer)形式或晶片(die)形式的完整的半导体基础的电路的工艺性能的数据，例如关于温度灵敏度的读数，典型地是以测试器或探针量测仪收集。本发明以高效率的测试方法提供有效地提供数字输出的改良工艺监视电路及方法，数字输出指示制造装置、半导体晶圆、半导体晶片或集成电路的特性。
背景技术：
高整合半导体电路已经越显重要，特别是在于生产用电池操作的装置，例如手机、移动电脑如膝上型电脑、笔记本电脑以及数字助理(PDAs)、无线电子邮件终端、MP3影音播放器、移动无线网络浏览器及其类似产品，并且这些精密的集成电路逐渐地包含板上数据储存器。 众所皆知，半导体基板的制造期间所发生的工艺变异会依不同晶圆上的装置，或在同样晶圆的不同部分上的装置造成不同的特性。对于半导体基板制作的零件的认证特别重要的是关于温度灵敏度或温度相关性质的特性。所谓的"工艺边界分析"(processcorner analysis)可能通过决定测试装备所监控的某些工艺相关的特性对晶圆或晶片列定等级，并且该结果指示装置是否对温度变异等是快速反应、缓慢反应以及大约反应的。
举例来说，晶圆上的晶体管临界电压是重要的温度相关的特性。其他测量常被考虑的是在饱和状态流经MOS装置的电流，典型地称为IDSAT。这些电流可能也随着工艺变异而变动，所以为了决定半导体基板上制造的特定装置是否达到根据这些参数所建立的品质标准，通常对晶圆，独立晶片或封装的集成电路实施测试以观察这些特性。
半导体装置上的温度是另一重要度量单位。当测量温度相关的特性，半导体装置上的绝对温度是重要的。在现有技术中，举例来说，使用正比绝对温度电路元件的热感测器可能设于集成电路上或半导体晶圆上的切割道(scribe line)内。众所皆知的是对结果电流/电压实施模拟数字转换，以及输出已知对应于模拟温度值的数字信号。然而，提升测量完整装置的工艺相关特性的容易性与速度，以及在数字领域实施这些测量以提升宝贵的测试时间的有效利用，以此改善生产量，这样的需求持续存在。重要的测量工艺相关性能特性的快速且简易存取的读出而不用复杂的测试装备以使能晶圆或独立集成电路或晶片的工艺边界决定是有需要的。 因此，既可靠又容易利用关联半导体工艺变异的各种装置特性的输出，并且不用延伸的测试或大量晶圆或电路探测的高效率且有效的工艺监视电路以及工艺监视方法是持续需要的。

发明内容
通过本发明的实施例，提供改善工艺电路以及用在工艺电路的数字输出电路的运作的电路及方法，可解决与规避上述问题及其他问题，并且通常能达成技术优点。
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于一例证的实施例中，发明提供对应装置的临界电压特性Vtn输出数字信号的工艺监控电路。于另一例证的实施例中，上述实施例还包括一比较器电路，当电容充电与放电时比较充电电容电压与临界电压以及在周期性基础上输出斜坡信号。于另一较佳实施例中，电压时间转换器电路还转换斜坡信号为对应临界电压的具有频率的周期性信号。于另一较佳的实施例中，周期性信号转换为对应临界电压的数字输出信号。 于另一较佳的实施例中，提供一种用于输出对应半导体装置的晶体管的饱和电流的数字信号的工艺监视电路。于另一实施例中，提供饱和电流工艺监视电路，包含一 比较器电路，比较Vdd信号与饱和状态的晶体管的一电压，以及输出正比于饱和电流的电流。于另一较佳实施例中，电流转换成电压。于另一较佳实施例中，电压转换成数字信号而输出。
于另一较佳的实施例中，提供一种工艺监视电路，输出正比于温度相关数量的数字信号。于另一较佳的实施例中，输出温度相关数量的工艺监视电路还包含一比较器，比较对应输入至二极管的偏移电流的电压与对应输入至电阻的偏移电流的电压，其中电阻是具有温度相关数值，以及输出对应温度的电流至输出数字信号的转换器。 于另一较佳实施例中，提供半导体晶圆上被测试装置电路，具有选择电路耦接成接收以及输出对应电压临界电路参数、晶体管饱和电流电路参数、温度相关数量的信号，以及用于转换输出为数字信号的转换器。于另一较佳实施例中，上述被测试装置电路设置于切割道区域。于另一较佳的实施例中，被测试装置电路还包括探测垫耦接成输出数字信号。于另一较佳实施例中，被测试装置电路还包括数字校正电路。于另一较佳实施例中，数字校正电路还包括数字滤波器。 于另一较佳实施例中，提供具有测试巨集电路的集成电路，测试巨集电路包括一选择电路，耦接成接收与输出对应电压临界电路参数、晶体管饱和电流电路参数、温度相关数量的信号，以及转换输出为数字信号的转换器。于一较佳的实施例中，上述被测试装置电路设置于切割道区域。于另一较佳的实施例中，被测试装置电路还包括一探测垫耦接成输出数字信号。于另一较佳的实施例中，被测试装置电路还包括数字校正电路。于另一较佳的实施例中，数字校正电路还包括数字滤波器。 于另一实施例中，提供一种集成电路，包括输出对应装置临界电压特性Vtn的数字信号的工艺监视电路，于另一实施例中，上述实施例还包括一比较器电路，当电容充电及放电时比较充电电容电压与临界电压以及输出周期性基础的斜坡信号。于另一较佳实施例中，电压对时间转换器电路还转换斜坡信号为对应临界电压的具有频率的周期性信号。于另一较佳的实施例中，周期性信号转换为对应临界电压的数字输出。 于另一较佳实施例中，集成电路工艺监视电路还包括输出对应晶体管饱和电流的
输出信号的电路。于另一实施例中，提供饱和电流工艺监视电路，包括一比较器电路，比较
Vdd信号与饱和状态中的晶体管的电压以及输出正比于饱和电流的电流。于另一较佳的实
施例中，电流转换成电压。于另一较佳的实施例中，电压转换成数字信号而输出。 于另一较佳的实施例中，上述集成电路具有工艺监视电路，输出正比于温度相关
数量的数字信号。于另一较佳的实施例中，输出相关数量的工艺监视电路还包括一比较器，
比较对应输入至二极管的偏压电流的电压与对应输入至电阻的偏压电流的电压，其中电阻
具有温度相关数值，以及输出对应温度的电流至输出数字信号的转换器。 提供一种监视半导体工艺的方法实施例，包括提供温度相关参考电流；比较在节点对应耦接到参考电路元件的电压与在节点对应耦接到电路元件的电压，其中电路元件具有要被测量的半导体工艺特性，以及输出对应测量的工艺特性的电流；转换工艺特性到数字信号；以及输出数字信号；其中测量的工艺特性是取自于晶体管临界电压、晶体管饱和电流、温度相关数量以及这些组合的群组的一个。 本发明公开一种被测试装置电路，包括一第一节点，用于接收与温度无关的一第一电压；一第二节点，用于接收对应一电路参数的一第二电压；以及一比较器，用于提供对应在该第一及第二节点的电压的一比较的一输出电流；其中该电路参数选自于一晶体管临界电压、一晶体管饱和电流，以及一正比于温度的数量的群组中的一个。 本发明公开一种集成电路，包括一定义功能的逻辑电路；以及一测试巨集电路，包括一第一电路元件，用于接收一第一电流用以提供一既定电压于一第一节点；一第二电路，用于提供对应一电路参数的一电压到一第二节点；以及一比较器，用于提供对应在该第一节点及第二节点的电压的一比较的一输出电流；其中该电路参数是选自于一晶体管临界电压、一晶体管饱和电流，以及一正比于温度的数量的群组中的一个。 本发明公开一种半导体晶圆工艺监视电路，包括多个集成电路晶片制造于该半
导体晶圆上；一切割道区域，与该集成电路晶片分开；至少一被测试装置电路，包括一第
一电路元件，用于在一第一节点提供一既定电压；一第二电路元件，用于提供对应一电路参
数的一电压至一第二节点；以及一比较器，用于提供对应于该第一及第二节点电压的一比
较的一输出电流；其中该电路参数选自于晶体管临界电压、一晶体管饱和电流，以及一正比
温度的数量的群组中的一个。 本发明克服了现有技术的缺陷。


图1说明先前技术带隙参考电路的简化电路图2说明本发明的例证的晶体管临界电压测量电路实施例的电路图；图3说明本发明例证的数字转换器电路实施例的电路图；图4说明本发明例证的晶体管饱和电流测量电路实施例的电路图；图5说明本发明例证的温度相关的数量测量电路实施例的电路图；图6说明以简化的方块图说明本发明的例证的工艺监视电路实施例；图7说明本发明选替的布置工艺监视电路实施例；
图8以简易形式说明结合本发明的一个实施例的半导体晶圆；以及
图9以另一形式说明结合本发明的一个实施例的半导体晶圆上的集成电路c
并且，上述附图中的附图标记说明如下
11 Vref产生器P1、P2、P3 晶体管R0、R1、R2、R3 电阻Gl 反相器Cvt 电容33 电流时间转换器41 工艺监视电路
D1、D2 二极管10 比较器21 Vtn电路
M0、Ms、Mi 晶体管FF1 正反器35 V-T转换器51 温度监视电路
61 工艺监视电路
75 控制电路
79 校正方块
73 选择电路
77 模拟数字转换器
81 半导体晶圆 83 集成电路晶片
具体实施例方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下 图1以简化的电路图描述先前技术带隙参考电路。重要地是，此带隙参考电路输出与温度无关的电流I2，也即，电流与热能无关。电流镜晶体管P3以及电阻R3可以转换输出电流I2成为也是与温度无关的电压参考，成为第一阶。本发明的实施例需要这些参考并将描述细节如下。 于图1中，运算放大器10用在回授组态。如本领域所熟知的，当运算放大器以这方式组态时，虚拟接地存在于它的输入之间。因此，Va等于Vb并且简单的电流与电压关系可用于描述电流I2。 12 = V(R0)/R0+(V(R0)+Vd2)/Rl = kT/q*ln(n*m)*(1/R0+1/R1)+Vd2/Rl
检验上述关系的最后形式可观察到第一项kT/q大约26微伏特/300度的正温度系数。Vd2这项大约-1.5微伏特/度的电压系数。通过选择R0与R1的值，ln(n*m)*(l/R0+1/R1)这项可能等于1. 5微伏特*300/26微伏特，12的温度相关项可能消去，因此12是零温度系数。 如本领域所熟知的，带隙参考经常用于提供与温度无关的定电流源。 偏移电路Pl、 P2、 R0、 Rl及二极管Dl提供偏压给运算放大器10。晶体管P3与电
阻R3的电流镜仅转换定电流12到电压Vref 。因为R0、 Rl与R2有同样工艺变异，偏移电
路需要被稍微调整到产生零温度系数电压Vref。使用电路模拟工具，电路可被调整成提供
与温度无关的Vref 。因此，电路可能组态成提供与温度无关的电流或电压参考。 典型地用于客观地决定工艺与电路性能的一个重要的工艺相关特性是晶体管临
界电压Vtn。图2描述针对Vtn测量以及针对电压时间转换电路作为输出的本发明的电路
实施例。 在图2中，运算放大器10周围的电路再次以类似但不同于图1的带隙参考电路的方式形成。在图2中，运算放大器10比较在Va与Vb的电压。当在终端Va的电压超过电压Vb，回授输出变成高准位或真值，Vb是晶体管MO的临界电压，因为它组态成二极管连接的晶体管。当电流II对电容Cvt充电到电压Vb，标示CMP的比较器10将输出高电压并且经由晶体管Ms到接地对电容放电。只要电容Cvt放电，周期会再开始。来自带隙参考的电流Iref，设定电流12进入晶体管MO并且举例来说，可能是大约1_10微安。临界电压Vtn大约400-700mV。 通过比较器CMP的Vtn的周期测量将输出形成锯齿波的斜坡波形，如附图所示。通过在反相器G1中的晶体管形成方波输出。因此，电压Vtn被转换成具有周期Tvt =Vtn*Cvt/Il的周期方波信号形式的时间测量。再次地，电流II依据电流源晶体管P1、P2的尺寸设定，并且电流源Iref = 13用于电流镜以偏移此电路。因此，通过众所皆知的对应，时间信号被联系到想要的度量单位Vtn并且时变信号Vo可用于测量Vtn。
图3描述提供时间测量Tvt的数字读出的简单电路。众所皆知，时变信号可能通过计时暂存器被较快速的信号取样。接管时间的信号取样可能通过计数一些时钟脉冲的取样作测量。图3呈现取样时间信号Tvt的简单电路。供应自外部输出或可选替地由RC电路例如Tref = Vref*Cref/Iref在内部产生的较快时钟脉冲，用于图3中计时Tvt信号以及计数周期数目。这是简单的时间对数字转换。通常，图2与图3的结合说明经由电流-时间以及时间-数字电路的利用转换MO的饱和电流到数字测量的简单方式。有很多电流到数字转换的实施例。 举例来说，通过使用参考电容发展出的时间信号Tref提供较快的参考时钟脉冲。如该领域所熟知的，通过选择Cref的值，时钟脉冲信号的频率可超过需要通过足够频率取样Tvt的Nyquist需求取样率以提供良好输出而没有失真问题。当计时，暂存器FF1取样信号Tvt，并且通过暂存器(co皿terl)在一周期时间累积取样。因此，输出是带有已知对应-临界电压的数字权重。 转换器的输出可能提供解析度所需要，例如10位或12位。可以用大约的解析度并且取样频率可以增加或减少作为特定应用的设计选择。 提供工艺监视电路所测量的数量的数字度量单位对于模拟信号的简单探测有许多优点，诚如公知实施。当输出暂存器(co皿terl)可能放置于扫描链或自我测试电路(BIST)中并且经由集成电路的介面读取时不需要专用的探针垫实施测试。数字读出可用于自我调整电路性能。任何所需的补偿或校正可能利用数字滤波技术在测试器中实施，如以下的详细描述，不需要调整或修整补偿已知的二阶或三阶效用。此测量简易并且可能非常快速实施，通过降低测试时间改善生产量。 本领域普通技术人员将认知到图2中比较器CMP的输出已经通过图3的数字取样电路转换到数字信号Out(输出)。当然，信号可能使用其他已知的模拟数字转换器(ADC)被转换到数字形式；最典型地，可以使用sigmadelta或delta sigma模拟数字转换器。图3的暂存器与计数器的使用仅是数字器的例证实施例，而非限制发明的实施例或范围，仅是提供数字输出信号的简单实施例。 图4在电路图中描述布置于回授组态的比较器10的工艺监视电路41的另一实施例。测量经由晶体管的饱和电流Idsat以作为工艺监视。在图4中，晶体管P1与P2再次提供电流I1与I2到电路。电压Va与Vb耦接到位于运算放大器10的输入的虚拟接地。在此范例中，电压Vdd放置于Vb，所以Va因此将等于Vdd。因此，当Vds = Vgs = Vdd时晶体管Mi将饱和，如附图所见。晶体管Mi通过电流镜晶体管P3将接收输出作为电流Is的饱和电流II。 依上述讨论，可了解如何转换此电流成为电压，并且转换类似度量单位(电流或电压)到数字量。以此方式工艺监视电路41可以提供对应电流Isat的数字输出信号。
图5描述温度监视电路51，其基于对图1的带隙参考简单变更。检视图5，注意到复制了增加两个开关S 1与S2的图1电路。在描述电流12时(等于电流13的整数乘数，通过电流镜)，上述提供的12的方程式说明电路的温度相关性可能通过利用R0与Rl之间的关系被移除以抵消相关项。使用这些增加的开关Sl与S2从图1的带隙参考电路切割Rl电阻，输出电流I3将会与温度相关。形成带有输出正比绝对温度(PTAT)的电路。仅仅通
8过之前P3与R3的电流对电压转换器，电流可能以电压格式提供。 利用开关Sl与S2形成图5的PTAT电路的效益进一步令人想到额外的布置可能用于当作可选替的实施例。除了提供专用的PTAT电路，PTAT电路与工艺监视电路所需要用于形成Iref与Vref量的带隙参考电路可能共用。也即是，使用单一电路，当执行PTAT测量，开关Sl与S2打开。此测量是快速并且因为带隙参考输出是缓慢改变的信号，通过快速地切换电路回到Vref组态(关闭Sl与S2以形成对Rl与R2的连接)，这些组件不需要建立两次而只需要一次，降低电路复杂度以及最小化需要的电路面积。 再者，图2、图4与图5中工艺监视电路的每一个的检验令人想到，对于这些电路的每个而言同样运算放大器10可能通过在一给定瞬间使用选择开关与控制逻辑决定运算放大器电路的功能用于额外的选替的实施例。以此方式，形成多重输出工艺监视电路所需的运算放大器的数目可能从4(带隙参考、Vtn、Idsat及PTAT)减少到1。通过使用一个运算放大器对比四个，面积与电路复杂度节约是具有实质意义的。然而，对于此选替的实施例方式而言，需要额外的控制电路，并且提供每个工艺监视电路成为一个包含独立运算放大器作为比较器的独立电路的直接设计方式也因此是一个例证的实施例。 上述实施例对于通常使用的工艺监视特性度量单位Vtn、 Idsat与绝对温度的每个提供一个电路。实施例也适用于提供数字输出。图6描述用于半导体晶圆形成完整工艺监视电路的电路实施例61的方块图，例如通过放置电路在切割道区域，或选替地通过提供工艺监视形成在每个集成电路晶片上的巨集(macro)。假如电路放置在切割道区域，输出可能以公知的探测垫探领"假如电路是在集成电路内的巨集，可提供探测垫，多重函数输入/输出脚位可能被用到，或扫描链或BIST电路可能用于存取输出而不用使用任何探测垫或增加的脚位；也如该领域所熟知。 在图6中，Idsat电路41可能耦接到电压时间或电流时间转换器33。如上述，时钟脉冲输出可能从Vref产生器11衍生，并且时钟脉冲输出馈送至正反器FF1。可选替地，Vtn电路21可能通过选择开关耦接到V-T转换器33，然后到FF1。计数器然后接收正反器的输出并且形成对应电流Isat、电压Vtn的数字信号，否则假如图5的电路也使用到，形成对应半导体装置上的温度的数字信号。V-T转换器35产生时钟脉冲信号到暂存器FF1。
图7描述选替实施例工艺监视电路的输出电路71。在图7，提供多工器或其他选择电路73。控制电路75将导致多工器选择工艺相关测量信号例如Vtn、Idsat或正比温度的信号的一个信号，如上述。模拟对数字转换器ADC77则转换选择的信号到数字信号，然后输出。 额外的方块79标示如图7所示的"校正"。测量的数量的数字读出信号的使用在校正上使能额外的效益。对比先前技术的方法，通过复合的调整或修整实体组件的工艺监视电路的校正在例证的实施例中是不需要的。取而代之，举例来说，使用数字滤波技术补偿数字输出。数字滤波可用硬件或软件，或使用可编程装置如DSP实施。校正方块79可能是工艺监视电路的部分，或额外的实施例，它可能以软件或硬件设置于测试装备或探测卡中执行。通过以测试装备实施校正，在工艺监视电路实施例中所需要的电路可简化并且因此面积与电路设计时间会降低。 校正可以解释已经或观察到的第二阶效应。 一个可能的校正描述是
Q， (Idsat) = Q (Idsat) *m+offset，第一阶
以及 Q， (Idsat) = Q(Idsat)~2*s+Q(Idsat)*m+offset,第二阶 在上述中，因为带隙电压参考的不精确校正的输出Q'通过使用数字乘法器与加法器被调整到第二阶。举例来说，偏移与乘法器是常数，可能以电路模拟工具发展，或从测试电路上执行的客观测量的分析。 特定的校正演算法是设计选择，并且可能对于特定应用量身打造。在此描述的例证的实施例的优点是电路校正单纯实施于数字领域，可能实施于离晶片电路或在软件中，并且不需要调整或修整在晶片上组件或增加的电路。举例来说，演算法可能实施于数据如来自切割道或集成电路的数字信号，以及可能稍后离线执行，或当其他测量在进行时实施，以使得测试尽可能有效率以及有弹性的。 图8说明结合本发明一或更多工艺监视电路实施例的一例证半导体晶圆。在图8中，在切割之前但是在装置完整地形成集成电路晶片82之后显示半导体晶圆81。举例来说，上述图5所示的工艺监视电路51是放置于切割道区域、每个晶片板上作为巨集元件或这两个地方。假如切割道方式被使用，工艺监视电路可能被放置在晶圆上的多个位置。假如切割道区域被使用，可能提供额外的探测垫以使能测试装备以接收工艺监视电路的数字输出。 图9以一选替的布置描述半导体晶圆81 。在图9中，集成电路晶片以显示ASIC逻
辑、逻辑电路、嵌入SRAM以及在实施例中是板上集成电路的工艺监视巨集51的方块图详细
说明。其余的集成电路晶片83同样地包括工艺监视巨集51。如测试领域所熟知的，工艺监
视巨集可能通过逻辑或在测试脚位、探测垫，或经由扫描路径输出的数字输出定址。 上述实施例提供测量及输出特定特性的电路，例如Vtn、 Isat以及温度。然而，通
过组合以及共用某些电路元件，也可能输出正比于这些特性的组合的信号。此额外的特征
不需要增加电路，而是上述电路的另一选替的实施例。 上述监视电路与方法的各种实施例可能有助于施加到半导体工艺。在进阶的半导体工艺例如45纳米最小化特征尺寸以及45纳米以下包含32与28纳米节点可见到特定的益处。然而，这些例证的实施例不是限制，工艺监视电路与方法的利用对于任何半导体工艺科技都是有助益的。 最后，本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明随附权利要求的精神下，可以本发明所公开的概念及实施例为基础，轻易地设计及修改其他用以达成与本发明目标相同的架构。
权利要求
一种被测试装置电路，包括一第一节点，用于接收与温度无关的一第一电压；一第二节点，用于接收对应一电路参数的一第二电压；以及一比较器，用于提供对应在该第一及第二节点的电压的一比较的一输出电流；其中该电路参数选自于一晶体管临界电压、一晶体管饱和电流，以及一正比于温度的数量的群组中的一个。
2. 如权利要求l所述的被测试装置电路，还包括具有一特性临界电压的一晶体管，用于提供该第二电压至该比较器，以及该电路参数 是该临界电压。
3. 如权利要求1所述的被测试装置电路，其中该电路还包括 具有一热相关的一数值的一电阻，一二极管装置以及该电路参数是绝对温度。
4. 如权利要求l所述的被测试装置电路，还包括 一电压时间转换器，对应该电路参数输出一周期性信号。
5. 如权利要求4所述的被测试装置电路，其中该转换器还包括一取样暂存器，接收该周期性信号以及接收相关于一参考电压的一时变时钟脉冲信号。
6. 如权利要求5所述的被测试装置电路，其中该转换器还包括 一计数器，计时该取样暂存器的该输出以形成对应该电路参数的一数字信号。
7. 如权利要求6所述的被测试装置电路，还包括 一校正电路，耦接成使用一数字演算法校正该数字输出信号。
8. —种集成电路，包括 一定义功能的逻辑电路；以及 一测试巨集电路，包括一第一电路元件，用于接收一第一电流用以提供一既定电压于一第一节点； 一第二电路，用于提供对应一电路参数的一电压到一第二节点；以及 一比较器，用于提供对应在该第一节点及第二节点的电压的一比较的一输出电流； 其中该电路参数是选自于一晶体管临界电压、一晶体管饱和电流，以及一正比于温度 的数量的群组中的一个。
9. 如权利要求8所述的集成电路，其中该逻辑电路还包含一存储器部分。
10. 如权利要求8所述的集成电路，其中该逻辑电路还包含一 ASIC部分。
11. 如权利要求8所述的集成电路，其中该测试巨集电路还包括 一电压时间转换器电路，用于输出对应该输出电流的一周期性信号。
12. —种半导体晶圆工艺监视电路，包括 多个集成电路晶片制造于该半导体晶圆上； 一切割道区域，与该集成电路晶片分开； 至少一被测试装置电路，包括一第一电路元件，用于在一第一节点提供一既定电压；一第二电路元件，用于提供对应一电路参数的一电压至一第二节点；以及 一比较器，用于提供对应于该第一及第二节点电压的一比较的一输出电流；其中该电路参数选自于晶体管临界电压、一晶体管饱和电流，以及一正比温度的数量 的群组中的一个。
13.如权利要求12所述的半导体晶圆工艺监视电路，其中该被测试装置电路位于选自 于该切割道区域以及所述多个集成电路晶片的至少一个的一区域。
全文摘要
本发明涉及被测试装置电路、集成电路以及半导体晶圆工艺监视电路。发明公开一种数字工艺监视的电路及方法。公开对应具有工艺相关特性的装置比较电流或电压对电流或电压的电路，转换正比于工艺相关电路特性的电流或电压测量为数字信号以及输出数字信号作为监控。工艺相关电路特性可能选自晶体管临界电压、晶体管饱和电流以及温度相关数量。使用数字技术例如数字滤波以及数字信号处理实施校正。数字工艺监视电路可能成为用于晶圆特性描述的切割道电路或放置于集成电路晶片中作为巨集。工艺监控电路可能使用探测垫或扫描测试电路存取。公开使用数字输出监控工艺特性的方法。
文档编号G01R31/30GK101738579SQ20091022173
公开日2010年6月16日 申请日期2009年11月16日 优先权日2008年11月17日
发明者庄建祥, 薛福隆 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司