专利名称：用变频交流电源测定有机场致发光的发光期间的方法
技术领域：
本发明涉及注入型有机场致发光的发光期间，它是发光在激发停止后发光持续 的时间，是发光的真实寿命。它用于测定有机场致发光的显示屏的反应时间，以确定在 无源矩阵屏中寻址的临界速度。也用于交流有机场致发光屏用作光源时的闪烁特性，并 判断提高有机场致发光屏的发光强度及效率的潜在能力。
背景技术：
有机场致发光可以产生于固态阴极射线的碰撞激发，也可以产生于双极注入的 复合激发。衰减是发光的原则性最强的参数，是理论及应用的必须掌握的参数。过去 七，八十年虽然积累了在5，6种不同时间区段中测量发光衰减的方法，但它们遵循的都 是运动学原理，只能提供发光衰减的速度信息，而且只限于单分子单指数衰减，不能确 定发光期间。照这一方法预言的发光期间对各种中心都是无穷大，它显然与事实不符。
发光期间的概念，早在上世纪三十年代就由瓦维洛夫提出，并作为判别发光与 其它非平衡辐射的标准，在实验中发现了 Cherenkov(契连科夫)效应，获得了 1958年 的诺贝尔奖。但它只是证明了发光期间的存在，并不知道这个期间有多长，并且因为测 光强的灵敏度有限，用传统的测量发光强度随时间变化的方法也无法测出发光消失的时 间。发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种测量有机发光材料的注入型场致发光 的期间的方法。发光期间则既是符合实际，又应用广泛的重要概念。在认识上既可扩 展，又可深入；技术上既有坚实依据，又有简便方法。和发光衰减速度相比，它提供了 发光衰减的另一更普遍，更实质，更有应用空间的属性。
本发明的技术方案
用变频交流电源测定有机场致发光的发光期间的方法，该方法包括
第一，选用交流电源选定1 IOV的电压，在周期间及IOOns 100 μ s可调 的有正、负脉冲的交流电源。
第二，要求尸d、F>0，其中ρ是所选的恒定脉宽，μ 6及Ph是电子及空穴KMe H的迁移率，E是电场强度，d是注入型有机场致发光薄膜的厚度。
第三，找发光强度随频率变化曲线的回折点用上述电源激发注入型有机场致 发光薄膜，从低频起逐步增加频率，则发光强度线性上长，到一定频率时，发光开始下 降，找出激发光从低频到高频变化时，发光光强与频率的关系从线性上升到回折的转变 点所对应的频率‘这时发光期间
权利要求
1.用变频交流电源测定有机场致发光的发光期间的方法，其特征在于，该方法包括第一，选用交流电源频率可调的有正、负脉冲的交流电源。 第二，找发光强度随频率变化曲线的回折点用上述电源激发注入型有机场致发光 薄膜，从低频起逐步增加频率，则发光强度线性上长，到一定频率时，发光开始下降， 找出激发光从低频到高频变化时，发光光强与频率的关系从线性上升到回折的转变点所 对应的频率f(1，这时发光期间T
2.根据权利要求1所述的用变频交流电源测定有机场致发光的发光期间的方法，其特 征在于，有机场致发光材料为稀土配合物香豆素铕Eu(Coumarin)3及用重金属效应的磷 光体三(2-苯基吡啶)合铱Ir(PPY)3。
全文摘要
用变频交流电源测定有机场致发光的发光期间的方法，涉及信息显示技术。该方法包括第一，选用交流电源频率可调的有正、负脉冲的交流电源。第二，要求其中p是所选的恒定脉宽，μe及μh是电子及空穴的迁移率，E是电场强度，d是注入型有机场致发光薄膜的厚度。第三，找发光强度随频率变化曲线的回折点用上述电源激发注入型有机场致发光薄膜，从低频起逐步增加频率，则发光强度线性上长，到一定频率时，发光开始下降，找出激发光从低频到高频变化时，发光光强与频率的关系从线性上升到回折的转变点所对应的频率f0，这时发光期间知道期间后，才可正确使用这种发光材料，正确估计发光效率。也才能正确估计它在平板显示中的像元数目及选址。
文档编号G01M11/02GK102023086SQ20101051995
公开日2011年4月20日 申请日期2010年10月26日 优先权日2010年7月2日
发明者冀国蕊, 张福俊, 徐叙瑢, 徐征, 赵谡玲 申请人:北京交通大学