一种工程塑料薄膜基底应变计的制作方法

文档序号:5885950阅读:288来源:国知局
专利名称:一种工程塑料薄膜基底应变计的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种电阻应变计,特别涉及一种工程塑料薄膜基底应变计。
背景技术
目前,公知的箔式电阻应变计是由高分子树脂绝缘材料作为基底,然后用光刻、刻 蚀技术在轧压成型的金属箔材上形成敏感栅,并在后端形成焊端而制成的。主要使用的基 底材料种类有环氧类、酚醛类、聚酯类、缩醛类、聚酰亚胺类、金属薄片、临时基底等。市场 上已有的、应用最为广泛的是环氧类、酚醛类、缩醛类。这几种类型基底的箔式电阻应变计, 无法满足精密称重传感器、标准传感器、衡器用传感器、力传感器、工业控制、应力分析等的 需要。特别是这些箔式电阻应变计由于基底或密封层厚度范围较宽,蠕变一致性、回零一致 性较差,对湿度、温度等环境变化较为敏感,引起应变计阻值和零点信号发生变化;同时这 类应变计蠕变性能会随温度变化,用常规的补偿方法不容易控制,只能用于温度范围固定 的场合。因此基底和密封层受环境变化影响成为应变计测量中的最大误差源。
发明内容为了克服上述现有技术的缺陷,本实用新型的目的在于提供一种工程塑料薄膜基 底应变计,对湿度、水和其他液体相对不敏感,环境引起的湿热变化相对影响较小,具有稳 定的蠕变、回零性能。为了达到上述目的,本实用新型的技术方案是这样实现的一种工程塑料薄膜基 底应变计,包括工程塑料薄膜基底1,工程塑料薄膜基底1通过粘贴层2与金属箔3粘接在 一起,金属箔3上是盖层4,工程塑料薄膜基底1为聚苯硫醚薄膜或聚醚醚酮薄膜。所述的粘贴层2为环氧树脂或酚醛_环氧树脂。当工程塑料薄膜基底1为聚苯硫醚薄膜时,盖层4为聚苯硫醚薄膜。当工程塑料薄膜基底1为聚醚醚酮薄膜时,盖层4为聚醚醚酮薄膜。本实用新型比现有应变计性能更稳定,一致性更好,具有较宽的使用温度范围,工 程塑料薄膜基底1为聚苯硫醚薄膜或聚醚醚酮薄膜层,聚苯硫醚薄膜耐温可达175°C,聚醚 醚酮薄膜耐温可达230°C,能够为制作标准传感器配套使用。

图1为本实用新型的结构侧视图。图2是图1的俯视图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的结构原理和工作原理作详细叙述。参照附图,一种工程塑料薄膜基底应变计,包括工程塑料薄膜基底1,工程塑料薄 膜基底1通过粘贴层2与金属箔3粘接在一起,金属箔3上是盖层4,其特征在于,工程塑料薄膜基底1为聚苯硫醚薄膜或聚醚醚酮薄膜。所述的粘贴层2为环氧树脂或酚醛_环氧树脂。当工程塑料薄膜基底1为聚苯硫醚薄膜时,盖层4为聚苯硫醚薄膜。当工程塑料薄膜基底1为聚醚醚酮薄膜时,盖层4为聚醚醚酮薄膜。本实用新型的工程塑料薄膜基底1的厚度是25 y m、13 y m (偏差1 % ),粘结层2厚 度控制在2 5 ii m范围内,金属箔3的厚度范围是2. 5 5 ii m,整个应变计厚度约29. 5 35 y m或17. 5 23 y m(不包括盖层4),厚度均勻性大大增强,利于提高整批应变计蠕变一 致性。工程塑料薄膜基底1和盖层4具有良好的柔韧性、抗挠性、空间稳定性,较高的剪切 模量、极低的热膨胀系数、吸潮率,优异的耐化学药物性能、耐辐射性能,能够抵挡多数的水 和潮气;耐温甚至可以达到130°C,有利于用户操作和使用。本实用新型的有益效果是抗湿热性能有明显的提高;蠕变、回零、稳定性等优于 目前市场上已有的酚醛类、缩醛类的应变计;整批应变计的蠕变、回零一致性大大提高,利 于传感器一致性控制及标准传感器的制作;其他各项指标也均满足GB/T13992-92《电阻应 变计》国标A级产品要求。
权利要求一种工程塑料薄膜基底应变计,其特征在于,包括工程塑料薄膜基底(1),工程塑料薄膜基底(1)通过粘贴层(2)与金属箔(3)粘接在一起,金属箔(3)上是盖层(4),工程塑料薄膜基底(1)为聚苯硫醚薄膜或聚醚醚酮薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种工程塑料薄膜基底应变计,其特征在于,所述的粘贴层 (2)为环氧树脂或酚醛-环氧树脂。
3.根据权利要求1所述的一种工程塑料薄膜基底应变计,其特征在于,当工程塑料薄 膜基底(1)为聚苯硫醚薄膜时,盖层(4)为聚苯硫醚薄膜。
4.根据权利要求1所述的一种工程塑料薄膜基底应变计,其特征在于,当工程塑料薄 膜基底(1)为聚醚醚酮薄膜时,盖层(4)为聚醚醚酮薄膜。
专利摘要一种工程塑料薄膜基底应变计,包括工程塑料薄膜基底,工程塑料薄膜基底通过粘贴层与金属箔粘接在一起,金属箔上是盖层,工程塑料薄膜基底为聚苯硫醚薄膜或聚醚醚酮薄膜,本实用新型比现有应变计性能更稳定,一致性更好,具有较宽的使用温度范围,工程塑料薄膜基底是由聚苯硫醚薄膜和聚醚醚酮薄膜层压在一起形成的,聚苯硫醚薄膜耐温可达175℃,聚醚醚酮薄膜耐温可达230℃,能够为制作标准传感器配套使用。
文档编号G01B1/00GK201583213SQ20102001964
公开日2010年9月15日 申请日期2010年1月6日 优先权日2010年1月6日
发明者刘鹏, 周豫, 张勋, 晏志鹏, 王智勇, 纪纲, 赵家辉 申请人:中航电测仪器股份有限公司
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