专利名称：碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器及其浓度测量方法
技术领域：
本发明涉及气体传感领域，特别是一种基于碳纳米管薄膜及气体放电原理的三电 极乙烯传感器及其测量乙烯浓度的方法。
背景技术：
随着各行各业气体检测的迫切需要以及纳米技术的发展，纳米传感器已获得长足 的进展。尤其是随着20世纪末期碳纳米管的发现，碳纳米管在气体、温度、湿度检测领域展 现出诱人的应用前景。碳纳米管气敏、温敏、湿敏传感器中的碳纳米管薄膜两电极传感器， 以其检测灵敏度高、检测气体范围宽、响应快等优点，成为气体、温度、湿度检测领域的研究 热点。碳纳米管薄膜两电极气敏传感器基于气体放电原理，克服了其它类型的碳纳米管气 敏传感器在被测气体中饱和中毒的缺点，气体浓度测量范围及被测气体种类范围更宽。用 碳纳米管作为敏感材料构成的气敏、温敏、湿敏传感器，具有常规传感器不可替代的优点 一是碳纳米管的比表面积大，在传感器整体尺寸较小的情况下，可大大提高电极的面积；二 是基于碳纳米管纳米级的尖端曲率半径，使传感器工作电压极大降低，并在碳纳米管尖端 附近获得极强的电场强度，在低电压下使被测气体电离；三是大大缩小了传感器的尺寸，动 态响应快。因此，它在生物、化学、机械、航空、军事、反恐等方面具有广泛的发展前途。现有的碳纳米管薄膜两电极传感器包括由西安交通大学的刘君华、张勇、李昕、朱 长纯教授等人在2001年的第14届IVMC国际真空微电子学国际会议公开的碳纳米管薄膜 两电极气体传感器(图1所示)。该传感器工作之后由于极间放电后空间电荷难以扩散，传 感器难以恢复到初始状态，并且传感器击穿电压、击穿电流与气体浓度之间呈现多值关系 (图2，图3)，无法对气体浓度进行测量。美国伦斯勒工业学院(Rensselaer Polytechnic Institute)的Nikhil Koratkar与Pulickel M Ajayan教授等人研制了碳纳米管薄膜阳极 两电极气体传感器。该传感器击穿电压与气体浓度之间呈现非线性关系，击穿放电电流与 气体浓度之间线性误差较大；放电电压和放电电流较大；无法实现碳纳米管薄膜阳极对单 一气体的测量。浙江大学生物医学工程与仪器科学学院的惠国华、陈裕泉教授在120微米 极间距的条件下对碳纳米管薄膜阴极两电极气体传感器进行了研制，研究了传感器在三种 单一气体中的放电特性，由于灵敏度较低，没有构成测量浓度的气体传感器。因此，目前对敏感各类单一气体包括乙烯的碳纳米管薄膜电极传感器及其检测乙 烯气体浓度的方法的研究，成为亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的之一，是提供一种碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器，将传统碳纳米 管薄膜两电极传感器的输出电流分为电子流与离子流，建立本发明三电极乙烯传感器收集 极收集的离子流与乙烯浓度、温度、湿度的单值对应关系，克服碳纳米管薄膜两电极传感器 气敏特性及湿敏特性的多值非线性问题。该传感器结构简单，成本低，检测气体灵敏度高。本发明的另一目的，是提供一种基于碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器测量乙烯浓度的方法，由不同极间距碳纳米管薄膜三电极传感器组成传感器阵列分别测量待测乙烯浓 度、温度与湿度；该浓度测量方法要求的硬件结构简单，采用数据融合算法，检测气体准确度尚。本发明的目的是通过下述技术方案来实现的。碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器，其特征在于包括三个自上而下依次分布的第 一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极由内表面粘接有分布着碳纳米管薄膜的基底 以及设有透气孔的电极构成；第二电极由中心设有引出孔的引出极极板构成；第三电极由 板面设有盲孔的收集极构成；该三个电极分别通过绝缘支柱相互隔离。本发明的结构特征还在于所述三电极间的极间距为30 250 μ m ；所述第一电极与第二电极极板正对面积为0. 01 17mm2，第二电极与第三电极极 板正对面积为0. 01 190mm2。所述第一电极的电极表面的透气孔为1 4个，在电极内侧表面粘接的基底上附 着有碳纳米管薄膜；所述第二电极引出极中心设有1 4个透气孔；所述第三电极收集极盲孔与第二电极的引出孔相对应，盲孔的数量为1 4个。本发明还给出了一种基于碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器测量乙烯浓度的方法， 该方法包括下述步骤(1)选择三个电极中相邻两个电极的极间距设定为30 250 μ m的碳纳米管薄膜 三电极乙烯传感器；(2)分别将设定的三个不同极间距的碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器、碳纳米 管薄膜三电极温度传感器和碳纳米管薄膜三电极湿度传感器放置在含有待测乙烯的气氛 中；(3)分别对三个碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器、温度传感器和湿度传感器的第 一电极加载电压为0V，第二电极加载电压2 200V，第三电极加载电压1 180V ；(4)在待测乙烯浓度、温度和湿度测量范围内，对应不同的浓度、温度和湿度标定 值，分别测量步骤(2)中所有传感器输出的气体放电离子流值；(5)将步骤(4)中在浓度、温度和湿度测量范围内测得的所有传感器输出离子流 值，与相应的乙烯浓度、温度和湿度标定值，组成不同的实验标定样本，然后采用分段插值 技术对实验标定样本进行插值，获得插值数据，得到插值样本，并根据包含了实验标定样本 及插值样本的所有样本组建乙烯浓度测量数据库；(6)采用数据融合技术，构建数据融合仪，建立乙烯传感器、温度传感器及湿度传 感器的测量模型；以乙烯浓度测量数据库中的数据作为数据融合仪的输入样本和期望输出 样本，并以量程范围内不同的数据分别作为数据融合仪的训练样本和检验样本进行训练和 检验，检验结果满足实测误差要求时，数据融合仪输出乙烯传感器的浓度准确测量模型；(7)将碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器、温度传感器和湿度传感器实测时输出的 离子流值输入步骤(6)获得的乙烯浓度准确测量模型，该模型输出乙烯浓度的准确测量 值。本发明方法特征还在于
所述碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器中，第二电极电位高于第一电极，第三电极 电位低于第二电极且高于第一电极。所述建立乙烯浓度测量数据库，是将实验标定数据与插值数据组成数据库，将各 传感器输出离子流值及其插值数据作为输入样本，将乙烯浓度、温度和湿度标定值及其插 值数据作为期望输出样本。基于碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器测量乙烯浓度的测量方法，由不同极间距碳 纳米管薄膜三电极传感器组成传感器阵列，分别测量待测乙烯浓度、温度与湿度；由传感器 电压源供电；由PA级电流测量系统检测传感器输出；调整电极间距，调整电极电压，在待测 乙烯中，在温度、湿度环境中进行传感器的标定实验；基于分段插值技术对实验标定数据进 行插值，获得插值数据；将包含了实验标定数据及插值数据的所有数据组成乙烯浓度测量 数据库，获得待测乙烯的单值气敏特性、单值温度敏感特性、单值湿度敏感特性；根据乙烯 浓度测量数据库中的数据，基于数据融合技术，消除温度、湿度的影响，建立乙烯传感器的 浓度准确测量模型；将实测时传感器阵列的输出实时地输入乙烯浓度测量模型，就可以得 到乙烯浓度的实测结果。该乙烯浓度测量方法克服了碳纳米管薄膜两电极传感器气敏特性 及湿敏特性的多值非线性问题，要求的硬件结构简单，并且成本低，测量乙烯灵敏度高、准 确度高，适合于推广使用。本发明所述的乙烯浓度测量方法，可实现乙烯的浓度测量，准确度为1%。该新型 乙烯浓度测量方法与已有的离子化探测器色谱仪中使用的传统三电极探测器的浓度测量 方法相比，由于采用碳纳米管薄膜做电极，传感器对乙烯具有高灵敏度以及的浓度测量 准确度。并且碳纳米管三电极传感器以碳纳米管纳米级的尖端曲率半径可实现将传感器工 作电压，从离子化探测器的600伏高压降至200伏以下的安全实用范围。本发明的新型乙 烯浓度测量方法将不同极间距的传感器阵列技术、PA级电流测量技术、分段插值技术以及 数据融合技术集成在一起，可消除温度、湿度的影响，可实现乙烯浓度的准确测量。
图1是碳纳米管薄膜阴极两电极传感器结构示意图。图2是现有技术碳纳米管薄膜两电极气体传感器的击穿电压与气体浓度的多值 非线性气敏特性。图3是现有技术碳纳米管薄膜两电极气体传感器的击穿电流与气体浓度的非线 性多值气敏特性。图4是本发明碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器结构示意图。图5是本发明碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器立体结构侧视图。图6是本发明碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器在乙烯中输出的气体放电离子流 与气体浓度的单值关系。图中1、第一电极；2、第二电极；3、第三电极；4、设有透气孔的电极；5、碳纳米管 薄膜基底；6、碳纳米管薄膜；7、绝缘支柱。
具体实施例方式下面结合附图及具体实施例对本发明做进一步说明。
实施例1如图4、图5所示，该碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器，包括由三个依次自上而下 相互叠加的电极构成，该三个相互叠加电极分别设有第一电极1、第二电极2和第三电极3， 所述第一电极1由内表面粘接有分布着碳纳米管薄膜的基底5以及设有透气孔的电极4构 成；第二电极2由中心设有引出孔的引出极极板构成；第三电极3由电极板面设有盲孔的 收集极构成；该三个电极分别通过绝缘支柱7相互隔离。图4所示的碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器实施例中，第一电极1的电极表面的 透气孔有2个，透气孔为圆形；在该透气孔的一侧表面粘接有碳纳米管薄膜基底5，其上分 布有碳纳米管薄膜6，且该碳纳米管管口向下。第二电极2中心设有1个引出孔、且引出孔 为圆形。第三电极3收集极盲孔与第二电极的引出孔相对应，图4、图5中给出了设置一个 盲孔、且盲孔为圆柱体结构的实施例。绝缘支柱7分别设置在碳纳米管薄膜基底5与第二 电极2之间、第二电极2与第三电极3之间，即绝缘支柱7分布于第二电极2正对第一电极 1的碳纳米管薄膜基底两端的表面两侧及第三电极3的内侧表面的两侧。本发明设有透气孔的电极4板面与碳纳米管薄膜基底5均采用硅片材料制作；所 述碳纳米管薄膜6，可采用酞菁铁做为催化剂，并采用碳源，在基底5上生长制作碳纳米管 薄膜6，或者丝网印刷碳纳米管薄膜6。第二电极2和第三电极3均采用硅片制作。设有透 气孔的电极4和第三电极3内侧面、第二电极2的两侧面均设有金属膜。本发明第一电极1中的电极上有2个透气孔，便于待测量气体进入电极间隙；碳纳 米管薄膜的硅片基底具有导电能力，并牢固粘接在第一电极内侧表面；经第二电极2的引 出孔，第三电极3收集极可收集气体电离产生的正离子流。第一电极1与第二电极2之间、 第二电极2与第三电极3之间通过绝缘支柱7相互隔离；被测气体通过传感器周边电极间 的间隙进入传感器相邻两个电极的间隙中。本发明采取上述结构的碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器在测量乙烯浓度时，第二 电极电位高于第一电极电位，第三电极电位低于第二电极电位并高于第一电极电位。第二 电极与第一电极形成电子流回路，第三电极与第一电极形成离子流回路，实现将电子流与 离子流分离。碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器输出的离子流与乙烯浓度、气体温度、湿度之 间，在第二电极施加一定电压的基础上，呈现单值关系(图6)。通过分段插值及数据融合， 实现了乙烯浓度的测量准确度。不同极间距的碳纳米管薄膜三电极传感器阵列技术、 PA级电流测量技术、分段插值技术以及数据融合技术是本发明乙烯浓度测量方法的特征。下面通过一个具体实例，对本发明碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器测量乙烯浓度 的方法做进一步说明。采用极间距固定的碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器，实验获得了乙烯的单值气敏 特性(图6所示)，传感器输出的离子流数据输入数据融合建立的乙烯浓度测量模型，获得 了准确度小于的乙烯浓度测量值。图6所示的碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器测量乙烯浓度实施例中，实验环境条 件为温度24. 8°C、相对湿度24. 3% RH、大气压力93. 4KPa。乙烯传感器一电极1与第二电极 2极间距、第二电极2与第三电极3极间距均为100 μ m ；监测温度用的碳纳米管薄膜三电极 传感器相邻电极的极间距均为170μπι ；监测湿度用的碳纳米管薄膜三电极传感器相邻电 极的极间距分别为200μπι、100μπι。上述三个碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器的第一电极1与第二电极2极板正对面积为17mm2，第二电极2与第三电极3极板正对面积为190mm2。 乙烯传感器第一电极1阴极电压为0V，第二电极2引出极加载电压100V，第三电极3收集 极加载电压IOV ；温度传感器第一、第二、第三电极电压分别为0V、70V、10V ；湿度传感器第 一、第二、第三电极电压分别为0V、90V、10V。随着乙烯浓度的增加，乙烯传感器收集极收集 到的离子流减小，离子流与乙烯浓度之间呈现单值下降关系；温度、湿度传感器敏感特性与 乙烯传感器类似。在0 200ppm乙烯浓度范围内，获得了 10组实验标定数据。三个传感 器离子流值作为输入样本，乙烯浓度标定值作为期望输出样本数据。采用线性插值对10组 实验标定样本数据插值，在0 200ppm乙烯浓度范围内以5ppm为间距进行等间距插值，获 得41组插值数据，在浓度注意值(即气体浓度临界值)附近进行密集插值，获得24组密集 插值数据，所有65组插值数据与10组实验标定数据组成数据库；选用65组插值数据作为 训练样本，10组实验标定数据作为检验样本，输入数据融合仪，通过训练检验，获得乙烯浓 度测量模型。乙烯浓度测量模型的线性度为0. 034%, 10组检验样本的检验结果引用误差 最大值为0. 086 %，达到了 1 %的乙烯浓度测量准确度。实施例2本实施例基本结构同实施例1，所不同的是碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器三 个电极中相邻两个电极间的极间距分别为250μπι、30μπι，第一电极1与第二电极2极板正 对面积为0. 01mm2，第二电极2与第三电极3极板正对面积为0. 01mm2。第一电极1的电极表面的透气孔有1个，透气孔为四边形、五边形或六边形；第二 电极2中心引出孔为4个，引出孔为四边形、五边形或六边形；第三电极3盲孔的数量为4 个，盲孔为3 6棱柱或棱锥体。本实施例的测量方法与实施例1基本相同，所不同的是传感器的第一电极阴极电压为0V，第二电极引出极加载电压2V，第三电极收集极 加载电压IV。实施例3本实施例基本结构同实施例1，所不同的是碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器三 个电极中相邻两个电极间的极间距分别为250μπι、30μπι，第一电极1与第二电极2极板正 对面积为10mm2，第二电极2与第三电极3极板正对面积为100mm2。第一电极1的电极表面的透气孔有4个，透气孔为四边形、五边形或六边形；第二 电极2中心引出孔为2个，引出孔为四边形、五边形或六边形；第三电极3盲孔的数量为2 个，盲孔为3 6棱柱或棱锥体。本实施例的测量方法与实施例1基本相同，所不同的是传感器的第一电极阴极电压为0V，第二电极引出极加载电压200V，第三电极收集 极加载电压180V。本发明通过不同极间距碳纳米管薄膜三电极传感器组成传感器阵列、pA级电流测 量系统检测传感器输出、分段插值及数据融合方法，形成一种新型、可以测量乙烯气体、抗 干扰能力强、准确度高的乙烯浓度测量方法。传感器阵列里不同极间距的传感器，实时测量 温度、湿度的干扰影响，直接测量乙烯浓度；PA级电流测量系统可同时检测对应乙烯浓度、 温度和湿度的各传感器输出的PA级电流；分段插值及数据融合方法，可消除温度、湿度干 扰，输出准确度高的乙烯浓度测量值。
虽然本发明以上述较佳的实施例对本发明做出了详细的描述，但上述实施例并不 用于限定本发明。在不脱离本发明技术方案所给出的技术特征和结构范围的情况下，对技 术特征所作的增加、变形或以本领域同样内容的替换，均应属本发明的保护范围。
权利要求
1.碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器，其特征在于包括三个自上而下依次分布的第一 电极、第二电极和第三电极，所述第一电极由内表面粘接有分布着碳纳米管薄膜的基底以 及设有透气孔的电极构成；第二电极由中心设有引出孔的引出极极板构成；第三电极由板 面设有盲孔的收集极构成；该三个电极分别通过绝缘支柱相互隔离。
2.根据权利要求1所述的碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器，其特征在于所述三个 电极中相邻两个电极的极间距为30 250 μ m ；所述第一电极与第二电极极板正对面积为 0. 01 17mm2，第二电极与第三电极极板正对面积为0. 01 190mm2。
3.根据权利要求1所述的碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器，其特征在于所述第一电 极的电极表面的透气孔为1 4个，在电极内侧表面粘接的基底上附着有碳纳米管薄膜；所述第二电极引出极中心设有1 4个引出孔；所述第三电极收集极盲孔与第二电极的引出孔相对应，盲孔的数量为1 4个。
4.基于碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器测量乙烯浓度的方法，其特征在于，该方法包 括下述步骤(1)选择三个电极中相邻两个电极的极间距设定为30 250μ m的碳纳米管薄膜三电 极传感器；(2)分别将设定的三个不同极间距的碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器、碳纳米管薄膜 三电极温度传感器和碳纳米管薄膜三电极湿度传感器放置在含有待测乙烯的气氛中；(3)分别对三个碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器、温度传感器和湿度传感器的第一电 极加载电压为0V，第二电极加载电压2 200V，第三电极加载电压1 180V ；(4)在待测乙烯浓度、温度和湿度测量范围内，对应不同的浓度、温度和湿度标定值，分 别测量步骤O)中所有传感器输出的气体放电离子流值；(5)将步骤中在乙烯浓度、温度和湿度测量范围内测得的所有传感器输出离子流 值，与相应的乙烯浓度、温度和湿度标定值，组成不同的实验标定样本，然后采用分段插值 技术对实验标定样本进行插值，获得插值数据，得到插值样本，并根据包含了实验标定样本 及插值样本的所有样本组建乙烯浓度测量数据库；(6)采用数据融合技术，构建数据融合仪，建立乙烯传感器、温度传感器及湿度传感器 的测量模型；以乙烯浓度测量数据库中的数据作为数据融合仪的输入样本和期望输出样 本，并以量程范围内不同的数据分别作为数据融合仪的训练样本和检验样本进行训练和检 验，检验结果满足实测误差要求时，数据融合仪输出乙烯传感器的浓度准确测量模型；(7)将碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器、温度传感器和湿度传感器实测时输出的离子 流值输入步骤(6)获得的乙烯浓度准确测量模型，该模型输出乙烯浓度的准确测量值。
5.根据权利要求4所述的基于碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器测量乙烯浓度的方法， 其特征在于所述碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器中，第二电极电位高于第一电极电位，第 三电极电位低于第二电极电位且高于第一电极电位。
6.根据权利要求4所述的基于碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器测量乙烯浓度的方法， 其特征在于所述建立乙烯浓度测量数据库，是将实验标定数据与插值数据组成数据库，将 各传感器输出离子流值及其插值数据作为输入样本，将乙烯浓度、温度和湿度标定值及其 插值数据作为期望输出样本。
全文摘要
本发明公开了一种碳纳米管薄膜三电极乙烯传感器及其浓度测量方法，传感器包括三个依次分布的第一、第二和第三电极，第一电极设有透气孔，其内表面粘接有分布着碳纳米管薄膜的基底；第二电极中心设有引出孔；第三电极板面设有盲孔；三个电极相互隔离。方法包括1)将本发明不同极间距的乙烯传感器、温度传感器以及湿度传感器置于待测乙烯中；2)在电极上施加电压；3)测量各传感器离子流值；4)测得值与乙烯浓度、温度、湿度标定值组成样本，并与插值样本，构建乙烯浓度测量数据库；5)构建数据融合仪，建立乙烯浓度测量模型；6)传感器实测值输入测量模型，获得乙烯浓度准确测量值。该传感器测量乙烯灵敏度高，线性度好，准确度高。
文档编号G01N27/64GK102095787SQ201110039230
公开日2011年6月15日 申请日期2011年2月16日 优先权日2011年2月16日
发明者刘君华, 唐建文, 姜为华, 宋晓慧, 张勇, 张建业, 张晶园, 方静, 李昕, 牛国平, 王影花, 王晓冰, 王进 申请人:西安交通大学