表征电子元件对损毁机制的敏感度的方法

专利名称：表征电子元件对损毁机制的敏感度的方法
表征电子元件对损毁机制的敏感度的方法本发明的目标在于表征电子元件对损毁机制的敏感度的方法。本发明的目的之一在于确定功率元件对自然辐射环境，换句话说，重离子、中子、质子类型的粒子或通过在电子元件中的直接或间接相互作用引起电荷生成的各种其它现象的敏感度，以确定该元件的优选使用条件。功率元件的工作会受到功率元件在其中工作的环境，例如天然辐射环境或人工辐射环境或电磁环境的干扰。外部侵害通过与元件的组成物质的相互作用引起寄生电流的产生。寄生电流可是元件和元件所使用的应用程序的暂态的或持续的功能障碍的起源。天然辐射环境或人工辐射环境(中子、质子、重离子、X光、伽马射线)会干扰功率元件的工作。这些干扰归因于在元件的材料和辐射环境的粒子之间的相互作用。这些干扰的后果之一在于在元件中产生寄生电流。根据在元件的材料和粒子之间产生相互作用的位置，所产生的寄生电流或多或少是较大的。这表现为在元件中存在局部电荷收集区域。由重离子和质子引起的这类侵害典型地在太空中与卫星和运载火箭遭遇。在飞机·运行的较低的海拔高度，特别是可以注意到存在由中子引起的侵害。在海平面上也会遇到这类侵害和这类侵害会影响在便携式设备或汽车中装载的电子元件。对于功率元件，如“powerMOSFET(POWER METAL 0XIDESEMIC0NDUCT0R FIELDEFFECT TRANSISTOR :大功率金属氧化物半导体场效晶体管)”类型的晶体管和IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor绝缘栅双极晶体管)，固有地存在寄生的双极结构。在功率元件正常运转时，这些寄生的双极结构是无作用的。当天然辐射环境的粒子与元件的材料相互作用时，生成寄生电流和可使得承载寄生的双极结构(在图I上示出)。实际上，如图I所示，在具有N沟道的power MOSFET功率晶体管I中，在粒子2/物质4相互作用3时产生的正电荷将在电场和扩散机制的作用下涌向势阱接触5。通过进行移动，这些正电荷局部地引起电势的增加。最初被锁定的源极(N)/势阱(P)结6自此可被直接极化。在锁定状态下势阱/漏极结已被反向极化的范围内，寄生的双极晶体管源极/势阱/漏极变得可导通。在此情形下，从而适当地设置第二机制。该机制被称之为雪崩机制并在势阱/漏极结的位置产生附加的电荷，电场值对于势阱/漏极结的位置最大。如果电场的条件足够并且所给送的电流此外并不被限制，雪崩机制和由双极晶体管进行的载流子注入被维持和放大，直到使得，局部地，随着电流流过因而温度升高引起元件的物理劣化。图2是这类劣化的一示例。该失效模式是MOSFET和IGBT类型的功率结构共有的。特别地对于IGBT，还存在元件的另一失效模式，以“闩锁(latchup)”现象的名称是更为已知的。这种“闩锁”现象对应NPNP结构类型的寄生可控硅一仅在IGBT中存在而不在MOSFET中存在，如在图3上所示——的导电。此外，对于其它功率结构，如二极管，不存在寄生的双极结构，不过与电场相关的条件是例如，所述条件可足以在粒子的相互作用或引起电荷生成的各种其它相互作用时由雪崩引起损毁效应。激光主要地被使用作为元件对辐射的敏感度的预表征工具。实际上，如同辐射环境的粒子，当波长合适时，激光可在元件内部产生寄生电流。激光从而对于辐射作用的研究具有非常有利的优点。在激光的空间分辨率可达到相对于在电子元件中容纳的基础结构而言相对较小的尺寸大小的范围内，如同在微型离子束的情形中，可绘制电子元件并标识其电荷收集区域。通过改变离子束在深度方面的聚焦点，敏感度的绘制还可在第三维度中进行，并且这在工业上易于进行。不过，这种识别对于知悉电子元件对辐射的总体性能不是足够的。从而在现有技术中为了克服该问题存在通过仿真对电子元件的敏感度进行确定·的一种确定方法。一旦获得元件的敏感度图，敏感度图呈模型的形式，在实践中为XYZ和敏感度系数或XYZT和敏感度系数的四维或五维矩阵。然后使该部件的该模型遭受模拟的危害并测量其模拟的响应。例如作为示意，如果在给定的时刻T，仿真离子(无论该离子是一次离子或是由原子核反应产生的离子)通过坐标为XYZ的基本区域，且如果在此时刻涉及的基本区域具有敏感度S，则部件被赋予品质值S。然后，可对其它仿真离子重复进行试验。因此，在给定的研究期间内并且如有需要，随时间变化并且在部件启用的应用运转的情况下收集S值，而后例如在给定的测量期结束时，编辑测量到的品质值，以知道部件的实际品质。通过这样作用，获得该品质的实际测量值，而不是经过推测的绘制。在本发明的范围内，本发明处于SOA电压范围中(低值的最大电压)。SOA (“SafeOperating Area”安全工作区域)对于给定的粒子或入射束的特征,对应这样的电压范围超过该电压范围损毁事件会被启动。处于该范围中这一事实确保测试不是损毁型的，即便不设置任何保护电路也一样。本发明提出，当在SOA中工作时，工作在所启动的事件(瞬时事件)上。通过定义，这些信号不同于在SOA外所观察到的信号，对于在SOA外情况，测试是损毁型的，不过这些信号是对于测定功率元件的敏感度有利的信号。本发明继而建立在在瞬时信号和感兴趣的损毁信号之间进行的联系上。在现有技术中知悉以下的科学文献·《SEB Characterization of Commercial Power MOSFETs withBackside Laserand Heavy Ions of Different Ranges》(LUU A 等人，IEEETransactions on NuclearScience,卷· 34，4 号，2008 年 8 月 I 日);·《SEB Characterization of Commercial Power MOSFETs withBackside Laserand Heavy Ions of Different Ranges》(LUU A 等人,Radiation and its Effects onComponents and Systems, RADECS 2007，页 1-7，2007 年 9 月 10 日)；和·《Characterization of Single-Event Burnout in Power MOSFETUsingBackside Laser Testing)) (MILLER F 等人，IEEE Transactions onNuclear Science,卷.53,6号，2006年12月I日).现有技术的这三个文献实现在SOA外执行的测试状态，这对应现有技术，按照定义，这样的技术如果没有设置任何保护电路，则是损毁型的。即便存在保护电路，这些事件中的某些也可能是损毁型的。在本发明和现有技术的这三个文献之间的基本差异从而在于在其中实施测试的工作范围在本发明的范围内，在元件的SOA中使用元件，而对于在现有技术中引述的三个文献，在元件的SOA外使用元件。
现有技术的这三个文献既没有公开，也没有提出，在接近所测定的SOA电压范围的最大电压值的运转条件中，用粒子或入射束的特征激励使用中的电子元件。功率元件对通过辐射启动的损毁事件的敏感度的表征通过前文所引述的常用表征手段是难以获得的。实际上，穷举性表征需要对于不同等级的电压和入射粒子的不同等级的能量/LET (每单位路径的能量损失)测试敏感度。此外，无论是基于激光还是基于粒子束，元件的实验测试经常是损毁型的，这是由于在内部存储的大量能量(即便利用对通常实施的电流放大效应进行限制的配置也是如此)。通过配置对电流放大效应的限制的配置，特别是意指使用供电电流的限制阻抗(以及如有需要使用放电电容)，以提供更大电流的峰值，以更为容易地区别损毁事件的瞬时事件。 由于这些限制，在粒子束下的测试需要使用更多的构件以具有足够的事件统计，和这些测试非常耗时，这意味着与试验活动相关的成本非常大。本发明的目标的在于通过提出使用功率元件对损毁机制的敏感度的表征方法来克服该问题。在此意义上，本发明提出元件的电表征系统，测试方法，和如有需要，用以改进结果精度的激光测试部件，和用以将结果外推到其它类型的粒子的预测辐射的预测代码的组合使用。本发明允许对于这样的测试条件——对此元件处于被称之为SOA的安全区域中——表征对损毁事件的敏感度。损毁事件的这种分析建立在对前驱瞬时事件的分析上。本发明的目标从而在于表征电子元件对天然辐射事件的敏感度的表征方法，在其中-使电子元件投入使用，其特征在于，-对于给定的粒子或入射束的特征，如能量和/或入射角和/或路径和/或其它，确定SOA电压范围，超过该电压范围会发生所述元件的损毁事件，-在接近所确定的SOA电压范围的最大电压值的工作条件中，用粒子或入射束的特征激励投入使用的电子元件，-确定被放大的瞬时事件的有效截面，该有效截面对应所述元件的损毁现象的估值，-修正所述粒子或所述入射束的特征，并重复对所述元件的激励，-对于特征的每次修正，确定有效截面。本发明包括任一以下特征-在确定有效截面时，应用所述元件的测试条件，所述条件是极化，动态工作条件，如频率、周期比，或环境条件，如温度；-为了确定元件的SOA电压范围，当元件处于锁定状态时，根据在输出电极上施加的电压，确定提供所述元件的所述输出电极的电流变化的电学特征；-从确定的有效截面测量失效现象的发生概率，对于失效现象元件呈现运转故障;-激励借助于激光辐射或通过粒子加速器或各种其它电荷注入部件实施；-所研究的损毁现象是SEB(single-event burnout单粒子烧毁效应)、円锁现象或任何其它引起寄生双极结构的启动和/或电流持续和/或放大机制的启动的现象；
-在预测代码的输入端使用有效截面的估值；-预测代码是与SMCDASIE (二次离子影响的简化蒙特卡洛详细分析)类型相同的预测代码。本发明的目标还在于测试装置，所述测试装置包括能够实施前文所述方法的部件。通过阅读接下来的说明书和附录图示，本发明将得到更好地理解。附图作为说明给出，对本发明无任何限定性，附图中
图I是功率MOSFET (power MOSFET)晶体管和寄生双极结构的示意图(已进行描述)；图2是在power MOSFET类型的结构中通过粒子启动的损毁事件的示意图(已进行描述)；图3是IGBT元件中的寄生可控硅的示意图(已进行描述)；图4是根据现有技术的功率元件对辐射的敏感度的测试的配置的示意图；图5是根据本发明的实施方式,对于power M0SFET,漏极电流根据漏极源极电压变化的示意图；图6是根据本发明的实施方式，根据漏极源极电压，在powerMOSFET元件中，对于每单位长度的粒子的电荷沉积所预计的曲线的示意图；图7是根据本发明的实施方式，根据所应用的漏极源极电压，对于在powerMOSFET中启动损毁事件所需的激光能量等级的示意曲线；图8a-图Sb是根据本发明的实施方式，元件对重离子、中子和质子环境的敏感度的预测曲线；图9a_图9d是根据本发明的实施方式，在SOA电压范围内和在之外的测试条件通过激光所启动的事件的示意图；

图10是根据本发明的实施方式，由激光对500V的power MOSFET晶体管的SEB的敏感度区域进行标识的示意图；图11是前驱SET(single_electron transistor单电子晶体管)瞬时事件和powerMOSFET的SEB寄生电流的持续和放大现象的激光绘图；图12是根据所测量的事件幅度，对于不同的电压等级，在损毁事件的元件上的有效截面的变化的示意图。根据本发明的实施方式，功率元件的敏感度表征以两步骤执行第一步骤对应于对电压范围进行表征一对于该电压范围，在承受给定特征的粒子或辐射的功率元件中会发生损毁事件。该电压范围在下文中将被称之为S0A，即“Safe
Operating Area,安全工作区域”。SOA电压范围对应电压区间-对于所述电压区间，当元
件承受粒子或给定的特征的辐射(特别是能量，在材料中的路径，...)时，元件不具有损毁故障(或损毁现象)。该电压范围例如通过VSOA电压限定，VSOA电压表示针对粒子或入射辐射的特征，对元件而言不具有损毁故障的最大电压。在一定漏极源极极化水平之上(对于powerMOSFET晶体管)，在功率元件内部的粒子和电条件的特征组合是如雪崩放大机制会被启动和被持续到到达元件的电逸出继而热逸出。
第二步骤对应表征雪崩现象的发生概率。该现象的该发生概率一方面取决于粒子的特征，和另一方面取决于在元件上所应用的测试条件，特别是极化，频率，温度，动态工作，...等。在功率元件中的损毁现象，如寄生电流的持续，这被称之为“SEB”，即SingleEvent Burnout,和寄生可控娃的启动，被称之为latchup或“SEL”，用于Single Event
Latchup (单事件闩锁)-仅仅当元件位于锁定状态或处于转换时被启动。作为示例，
栅极的电压在这些条件中要么是零，要么对具有N沟道的功率MOS (power MOS) (METAL0XIDESEMIC0NDUCT0R金属氧化物半导体)晶体管是负的。为了表征对于损毁事件会发生的电压范围，需要确定当元件位于锁定状态时，根据在输出电极上应用的电压来提供所述元件的所述输出电极的电流变化的电特征。 在power MOSFET晶体管的情形中，当栅极源极电压是零或负时，根据漏极源极电压确定漏极电流的变化。在IGBT的情形中，当栅极源极电压是零或负时，根据集电极的电压测定集电极的电流变化。相似地，对于其它类型的功率元件(二极管，可控硅，…)，输出电极的电流变化根据在该电极上应用的电压确定。图5是对于具有N沟道的这类power MOSFET晶体管，漏极电流根据漏极源极电压的变化的示意图。在该曲线50上，可以注意到存在非常适合的两对应参数——允许测定功率元件对辐射的敏感度。这两个参数分别地是最低的电压——对此，给定特征的粒子或辐射可启动损毁机制，在下文中被称之为Vhold，在这样的电压之上元件发生电击穿，在下文中被称之为BVDS (source-to-drain breakdown voltage源-漏击穿电压)。如该附图所示，当漏极源极电压值小于Vhold时，则仅仅存在漏极电流的唯一可能状态51。当漏极源极电压值在Vhold和BVDS值之间时，晶体管具有三个可能的电流状态52，53，54。实际上，第一状态被称之为锁定状态，对应最小的电流值。第二状态被称之为不稳定状态，对应中间的电流值。第三状态被称之为强电流状态，对应故障已被启动的状态。BVDS值在该范围内也是非常有用的。实际上，当漏极源极电压超过该值时，电场变得足够强从而仅凭其自身启动电流放大的损毁机制。图6示出电压范围61的变化的表征的示意图60 (图6的影线部分)，超过该电压范围通过福射或在电子元件(激光，CEM (channel electronmultiplier沟道电子倍增器)，...)中注入电荷的各种其它电荷注入手段可启动损毁事件。在该SOA电压范围61中，和对于粒子或电荷注入手段的特征，可不具有被启动的元件的损毁事件。曲线60从而示出不同的两区域，其中一个区域对于小于Vhold的较低电压值具有渐近特性。另一线性特性的接近特性在Vhold和BVDS之间具有负斜率，其在对应于LET值定位的横坐标上的BVDS的值处相交,或者说粒子在元件中的能量是零。图7是根据对于500V的power MOS基准所应用的电压提供激光能量等级的实验曲线。可以发现在图6的示意图上展示的主要特征，特别是SOA电压范围。针对辐射或借助激光而实验获得的BVDS值与由制造商所提供的值略有不同，这是因为可能在除功率元件单元的结构之外的结构上发生电击穿。此外需要考虑到产生上的可变性，其导致BVDS值(电的)和BVDS值(辐射)产生变化。不过，实际上这些值表现为足够接近。因此，如图6所示，提供LET值或阈值能量——损毁事件可能由于该能量根据极化水平被启动——的变化的特征曲线60，可仅仅通过两直线64，66建模。第一直线64是垂直的，并且其横坐标通过实施保持电压Vhold的电表征来给定。第二直线65需要两点66,67来准确限定。第一点66通过对击穿电压BVDS进行电表征来获得。第二点67通过使用激光或以粒子加速器实施测试通过实验获得。限定两直线，继而可预测阈值电压的变化，由于该阈值电压，根据入射粒子(或激光)的特征，损毁事件可被启动。更为详细的其它模型也可被用于描述在LET或阈值能量——允许启动SEB——和元件的极化电压之间的变化的预期理论特性，换句话说，漏极源极电压或VDS。这些模型建立在这样的参数上可通过知悉结构的电表征，特别是BVDS和Vhold，以及通过获得要么是 在粒子加速器要么是通过激光获得的实验点被测定。此外，这种建模可与预测代码配对，如以名称SMC DASIE的已有预测代码。该预测代码 SMC DASIE 为(Simplified Monte Carlo DetailedAnalysis of Secondary IonEffects 二次离子影响的简化蒙特卡洛详细分析)。该方法已经在G. Hubert等人在2005年发表在《11th IEEEInternational On-Line Testing Symposium》上的文献《A reviewof DASIEcodes family !contribution to SEU/MBUunderstanding》中描述。在 AuroreLuu的标题为《起因于在功率MOSFET和IGBT上的天然辐射环境的损毁效应的预测方法学〉〉(((Methodologie de prediction des effetsdestructifs dus ’ environnementradiatif nature I sur Ies MOSFETs andIGBTs depuissance》)的论文原稿中(图卢兹大学，2009年11月12日提出的论文)提出了专用于功率元件的版本Power DASIE0该代码的不同版本都基于同一原理利用结合电荷收集模型和效应启动标准的原子核数据库。激光使得能够针对起初未知技术的特定元件，在局部地注入电荷时提取方法和敏感度的数据。这些Monte-Carlo蒙特卡洛计算工具基于对众多相互作用的随机抽取，所述相互作用再现由重离子与组成元件的原子核之间的相互作用或由中子或质子与组成元件的原子核之间的核反应引起的可能的电离轨迹条件。因此上述工具计算错误的频率(SER, SingleEventRate,单事件速率)。该预测代码从而根据本发明被使用于执行在不同粒子类型之间的联合预测，如在图8a，图8b上所示。在这些附图的示例中，重离子结果在power DASIE代码输入端被用于预测对中子和质子环境的敏感度。对于某些功率元件和更为特别地对于具有强电流特性的元件，即便采用保护配置，也难以避免辐射事件的损毁特征。当测试在粒子加速器上实施时，这表现为需要以相同基准测试大量元件，以具有足够的事件统计，来最小化误差幅度和不确定度。例如，就统计而言，根据对于的 JEDEC (用于 Joint Electronic Device Engineering Council,电子设备工程联合委员会)的辐射测试标准，20个被损毁元件以大约30%的不确定度提供一结果。根据本发明所展示的方法还允许非常强地限制为了获得良好的事件统计而有效需要的样本数。该方法基于这样的事实，对于在安全区域——仅仅在SOA电压范围内——执行的测试条件，表征被放大的瞬时事件的发生频率。
图9a到图9d展示不同状态类型的事件或机制，对于SOA电压范围内或该范围外的测试条件，所述事件或机制可被激光启动。在图9a_图9b上继而在图9c_图9d上，对于SOA电压范围中的测试条件，可以观察到两种类型的瞬时事件或不同幅度的SET——分别为被放大的瞬时事件和未被放大的瞬时事件。对于在SOA电压范围中的测试条件，瞬时事件被放大或未被放大的属性取决于粒子或激光在电子元件上的作用位置(和与电流放大或持续结构关联或不关联的启动)。在图9a的示例中，展示出对于该组件，在80V的SOA电压范围内，在Vhold电压下放大的瞬时事件的状态的示意图。在图9b的示例中，示出位于SOA电压范围(对于该元件是200V)外的瞬时事件的状态的示意图，对于相同的作用位置损毁事件被启动。在图9c的示例中，示出对于该元件，在80V的SOA电压范围内，在Vhold电压下未被放大的瞬时事件的状态的示意图。在图9d的示例中，示出位于SOA电压范围(对于该元件是200V)外的瞬时事件的状态的示意图，对于相同的作用位置没有任何损毁事件被启动。对于power MOSFET元件，已知对于通过辐射被启动的损毁机制最为敏感的区域处于功率元件单元的沟道位置，而在P+插入区位置的区域，如图10所示，是非常不敏感的区域。对此围绕沟道的区域敏感于损毁事件的原因之一是这些区域利于通过功率元件的源极、P势阱和漏极形成的双极放大结构的启动。对于在SOA电压范围中的测试条件，是这些相同的区域将启动被放大的瞬时事件。相反地，接近P+插入区的区域的影响将仅仅启动未被放大的事件。图10示出通过激光来识别对寄生电流持续现象或500V的powerMOSFET的SEB敏感的区域。在该附图上出现的是，对于在SOA电压范围中的测试条件所获得的瞬时事件或被放大的SET直接地与在该所述范围外被启动的损毁事件相关联。表征这些被放大的瞬时事件的发生概率允许预估在SOA电压范围外的所预期的损毁事件的发生。出于该原因，在下文中，被放大的SET瞬时事件将被称之为前驱SET。该表征在瞬时事件上进行，不存在元件的任何劣化。因此可用大量事件实施测试，以降低与辐射现象的概率特征相关的不确定度，同时限制为了获得如在现有技术中的良好事件统计而有效需要的样本数。图11是针对在70V到80V之间的SOA电压范围中的漏极源极电压，以及当在SOA电压范围外实施激光绘图时的150V漏极源极电压，在500V的power MOSFET上实施的前驱SET瞬时事件和SEB寄生电流持续现象的激光绘制的示意图。可以观察到在对前驱SET的敏感度区域的定位和对SEB的敏感度区域之间的非常良好的契合。这种观察确认了对于SOA电压范围中的测试条件，引起最大幅度的SET的区域良好地对应对于在该所述范围外的测试条件将启动损毁事件的区域。图12的曲线示出，对于不同等级的电压，损毁事件或损毁事件群在元件上的有效截面根据所测量的事件的幅度的变化。因此对于60V，80V，90V和100V的曲线，清晰地具有就SET瞬时事件而言的两类损毁事件群。
对于在SOA电压范围中以80V获得的曲线，不存在瞬时事件和损毁事件。这些瞬时事件分布在两类别上，两类别是-幅度小于4V的事件。这涉及未被放大的SET瞬时事件。-幅度大于12V的事件。这涉及前驱SET的瞬时事件。如图11所示，在元件上的大部分作用位置——对于这样的位置瞬时事件的幅度小于4V——对于在SOA电压范围外的电压等级将不启动SE B。相反地，对于SET瞬时事件的幅度大于12V的大部分位置，将启动SEB。根据本发明的测试方法从而如下-对于粒子或入射束的特征，确定SOA电压范围。该确定将引起唯一最大元件的损毁。-对于粒子或入射束的特征，对于接近预定的SOA电压范围的内部限值的条件，用粒子加速器或激光实施测试。-表征前驱SET的瞬时事件的有效截面。如前文所示，被放大的SET瞬时事件的有效截面是对损毁事件的有效截面的非常良好的估算。-在预测代码的输入端对有效截面的该估算的可能的使用，用于相对于使用条件针对其它类型的粒子外推敏感度。-对于元件的其它测试条件，如粒子或激光的入射角，所述粒子或所述辐射的特征或其它.....重复所述方法。在图12上，对于能量等级(等效地，对于在粒子加速器上获得的表征，对于中子或质子能量或对于给定的LET等级)，所述方法的第一部分允许测定VSOA电压一VSOA电压对应这样的电压，在所述电压之下，考虑到粒子相对于入射束的特征，不能启动损毁事件。所述方法的第二部分指，需要刚好设置于VSOA电压之下，以表征前驱事件和用良好的精度确定损毁事件饱和的有效截面的值。这两个参数继而足以允许比较不同元件之间的敏感度，而且还用于进行所预计的
故障率的计算。
权利要求
1.一种表征电子元件(I)对天然辐射环境的敏感度的表征方法，其中 -所述电子元件被投入使用， 其特征在于， -对于给定的粒子或入射束的特征，如能量和/或入射角和/或路径，确定安全工作区域SOA电压范围，超过该电压范围将发生所述元件的损毁事件， -在接近所确定的安全工作区域SOA电压范围的最大电压值的工作条件下，用所述粒子或所述入射束的特征激励投入使用的所述电子元件， -确定被放大的瞬时事件的有效截面，该有效截面对应所述元件的损毁现象的估计， -修正所述粒子或所述入射束的特征，并重复对所述元件的激励， -对于特征的每次修正，确定所述有效截面。
2.根据前述权利要求所述的方法，其中，在确定所述有效截面时， -应用所述元件的测试条件，所述条件是极化，动态工作条件，如频率、占空比，或环境条件，如温度。
3.根据前述权利要求所述的方法，其中，为了确定元件的安全工作区域SOA电压范围， -当所述元件处于锁定状态时，根据在输出电极上施加的电压，确定提供所述元件的所述输出电极的电流变化的电学特征。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中， -根据所确定的所述有效截面，测量失效现象的发生概率，在失效现象下所述元件出现运转故障。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述激励借助于激光辐射或通过粒子加速器或任何其它电荷注入手段实施。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于， -所研究的损毁现象是单粒子烧毁效应SEB、闩锁现象或任何其它引起寄生双极结构的启动和/或电流持续和/或放大机制的启动的现象。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在预测代码的输入端使用所述有效截面的估计。
8.根据前述权利要求所述的方法，其中，所述预测代码是二次离子影响的简化蒙特卡洛详细分析SMC DASIE类型的预测代码。
9.一种测试装置，包括能够实施根据前述权利要求中任一项所述的方法的部件。
全文摘要
本发明的目标在于表征电子元件对天然辐射事件的敏感度的表征方法，其中使电子元件投入使用；对于给定的粒子或入射束的特征，如能量和/或入射角和/或路径，确定SOA电压范围，超过该电压范围将发生所述元件的损毁事件；在接近所确定的SOA电压范围的最大电压值的工作条件中，用粒子或入射束的特征激励投入使用的电子元件；确定被放大的瞬时事件的有效截面，该有效截面对应所述元件的损毁现象的估值；修正所述粒子或所述入射束的特征，和重复对所述元件的激励；对于特征的每次修正，确定有效截面。
文档编号G01R31/28GK102959416SQ201180033072
公开日2013年3月6日 申请日期2011年6月30日 优先权日2010年7月1日
发明者弗洛伦特·米勒, 塞巴斯蒂安·莫兰德 申请人:欧洲航空防务与空间公司-Eads法国