用于测量电子设备的性能的方法和装置制造方法
【专利摘要】提供了用于测量电子设备的性能的方法和装置。所述装置包括：电磁波测量设备，用于测量电子设备的电磁波的实际电平；以及分析控制器，用于向电磁波的实际电平应用先前存储的电平改变值来计算电磁波的测量电平。在不使用根据国际标准建议的设备的情况下，用于测量电子设备的性能的方法和装置可以容易地测量电子设备的电磁波电平。
【专利说明】用于测量电子设备的性能的方法和装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及用于测量电子设备的性能的方法和装置。更具体地，本发明涉及用于测量电子设备的电磁兼容性(EMC)的装置及其方法。
【背景技术】
[0002]电子设备执行各种功能，诸如呼叫功能、消息发送/接收功能、无线因特网功能、和导航功能。为此，使用各种电子组件来构造电子设备。电子设备向各种电子组件的一个或多个供电来执行期望的功能。
[0003]当电子设备向各种电子组件的一个或者多个供电时，可能出现来自电子组件的辐射(RE)。RE可能作为(act as)电磁干扰(EMI),这可能对人体健康造成不利影响。电子设备可以根据各种电子组件实现的电磁敏感度(EMS)来抵抗RE。
[0004]因此，为了为电子设备抑制RE，已经对指示相对于电子设备导致的EMI的性能的EMC以及电子设备实现的EMS进行控制。S卩，电子设备的EMC应该满足国际标准。
[0005]然而，用于测量电子设备的EMC的设备占据很大的装置空间，并具有高昂的设备维护费。此外，上述设备花费长时间来测量电子设备的EMC。
[0006]因此，存在对于减少用于测量电子设备的EMC的设备的装置空间、设备维护费、以及测量电子设备的EMC所花费的时间量的测量电子设备的性能的方法及其装置的需要。
【发明内容】
[0007]技术问题
[0008]用于测量电子设备的EMC的设备占据很大的装置空间，并具有高昂的设备维护费。此外，上述设备花费长时间来测量电子设备的EMC。
[0009]因此，存在对于减少用于测量电子设备的EMC的设备的装置空间、设备维护费、以及测量电子设备的EMC所花费的时间量的测量电子设备的性能的方法及其装置的需要。
[0010]解决方案
[0011]本发明的各方面用于解决至少上述问题和/或缺点，以及提供至少下述优点。因此，本发明的一方面用于提供减少用于测量电子设备的电磁兼容性(EMC)的设备的安装空间和设备维护费的用于测量电子设备的性能的方法，及其装置。
[0012]本发明的另一方面用于提供减少了测量电子设备的EMC所花费的时间量的用于测量电子设备的性能的方法及其装置。
[0013]有益效果
[0014]根据本发明的一方面，提供了测量电子设备的性能的方法。该方法包括:获得由第一测量设备测量的电磁电平与通过第二测量设备测量的电磁电平之间的关系等式，通过第二测量设备测量测量目标电子设备的电磁波电平，以及基于测量的电磁波电平和关系等式获得要通过第一测量设备测量的测量目标电子设备的电磁波电平。
[0015]根据本发明的另一方面，提供了通过测量设备测量电子设备的性能的方法。该方法包括:测量从电子设备辐射的第一电磁波电平，以及基于关系等式获得由另一测量设备测量的电子设备的电磁波电平，该关系等式基于第一测量电磁波电平和由测量设备和其他测量设备先前测量的电磁波电平来获得。
[0016]根据本发明的又另一方面，提供了测量电子设备的性能的装置。该装置包括:a测量单元，测量从电子设备辐射的第一电磁波电平；以及控制器，其基于关系等式获得由另一测量设备测量的电子设备的电磁波电平，该关系等式基于第一测量电磁波电平和由测量设备和其他测量设备先前测量的电磁波电平来获得。
[0017]从以下结合附图公开本发明的示范性实施例的详细描述中，本发明的其他方面、优点和显著特征将对本领域技术人员变得明显。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]从以下结合附图的描述中，本发明的某些示范性实施例的以上和其他方面、特征和优点将变得更加明显，附图中:
[0019]图1是示出根据本发明的示范性实施例的用于测量电子设备的性能的装置的示图；
[0020]图2是示出图1中所示的电磁波测量设备的示图；
[0021]图3是示出根据本发明的示范性实施例的计算电平变化值的方法的流程图；
[0022]图4A和4B是用于图解图3的曲线图；
[0023]图5是示出根据本发明的示范性实施例的测量电子设备的性能的方法的流程图；
[0024]图6A、6B和7是用于图解图5的曲线图；以及
[0025]图8是示出根据本发明的示范性实施例的测量电子设备的性能的方法的流程图。
[0026]在整个附图中，相似的参考数字将被理解为指代相似的部分、组件和结构。
【具体实施方式】
[0027]提供参照附图的以下描述来帮助对如权利要求及其等同内容所限定的本发明的示范性实施例的全面理解。包括各种特定的细节来帮助理解，但是这些细节应被认为仅是示范性的。因此，本领域普通技术人员将认识到，在不脱离本发明的范围和精神的情况下，可以对在此描述的实施例进行各种改变和修改。此外，为了清楚和简明，可以省略公知功能和结构的描述。
[0028]在下面的描述和权利要求中使用的术语和词汇不限于词典意义，而是仅由发明人用来使对本发明的理解能够清楚和一致。因此，对本领域技术人员来说应该显而易见的是，提供本发明的示范性实施例的以下描述仅用于说明性目的，而不是为了限制如所附权利要求及其等同内容所限定的发明的目的。
[0029]应该理解，除非上下文清楚地指示其他，否则单数形式“一”、“一个”和“该”包括复数指代。因而，例如，提及“一个组件表面”包括提及一个或多个这样的表面。
[0030]如在此使用的，术语“电磁波的参考电平”指代以国际标准建议的方式测量的电子设备的电磁波电平。例如，电磁波的参考电平通过用于确定相对于国际标准的电子设备的电磁兼容性(EMC)的设备来测量。例如，国际标准被确定为通过暗室(chamber)的测量结果。因此，电磁参考电平通过暗室测量，并且可以将所测量的电磁参考电平与国际标准比较。通过暗室测量电磁波参考电平大约花费I小时。在此情况中，暗室具有如下的结构，在其中接收天线和旋转台设置在六面体内部。这里，接收天线被设置在旋转台上，在垂直方向上与地面间隔开，并且在水平方向上与电子设备间隔开。此外，当接收天线接收电子设备的电磁波时，根据旋转台的旋转而旋转接收天线，以分别接收来自电子设备的电磁波的垂直分量和水平分量。通过这样，测量电子设备的电磁波的参考电平，即，分别测量垂直参考电平和水平参考电平。
[0031]根据本发明的示范性实施例，可以基于从EMC暗室测量的电子设备的辐射水平来确定电磁波的参考电平。根据本发明的示范性实施例，EMC暗室可以是指参考测量设备。电磁波的参考电平可以是指参考电磁波分布。
[0032]如在此使用的，术语“电磁波的比较电平”指代用于与电磁波电平比较的电子设备的电磁电平。在此情况中，通过具有相同的电磁电平的电子设备来确定电磁波的比较电平。此外，可以通过与电磁参考电平相同的设备或不同的设备来测量电磁波的比较电平。例如，可以通过横电磁波(TEM)单元或射频(RF)屏蔽盒来测量电磁波的比较电平。在TEM单元和RF屏蔽盒中，安装在屏蔽空间中的电子设备接收电磁波。通过TEM单元或RF屏蔽盒来测量电磁波的比较电平可能花费大约60秒。此外，TEM单元或RF屏蔽盒根据电子设备的场所和位置来接收来自电子设备的电磁波的垂直分量和水平分量。通过这样，可以测量电磁波的比较电平，即，分别测量垂直比较电平和水平比较电平。
[0033]根据本发明的示范性实施例，可以通过小于EMC暗室的设备来配置TEM单元或RF屏蔽盒。可以基于从--Μ单元或RF屏蔽盒测量的电子设备的电磁发射电平来确定电磁波的比较电平。根据本发明的示范性实施例，TEM单元或RF屏蔽盒可以指代实际的测量设备。电磁波的比较电平可以指代实际的电磁波分布。
[0034]如在此使用 的，术语“电磁波的实际电平”指代在电子设备中实际测量到的用于实际确认的电磁电平。在此情况中，电磁波的实际电平通过电磁波的参考电平、电磁波的比较电平、以及相同或不同类型的电子设备来确定。此外，电磁波的实际电平通过电磁波比较和相同设备来测量。例如，电磁波的实际电平可以使用TEM单元或RF屏蔽盒来测量。通过TEM单元或RF防护盒来测量电磁波的实际电平可能花费大约60秒。此外，--Μ单元或RF屏蔽盒分别根据电子设备的场所和位置来接收来自电子设备的电磁波的垂直分量和水平分量。通过样样，测量电子设备的实际电磁电平，即，分别测量实际垂直电平和实际水平电平。
[0035]根据本发明的示范性实施例，通过测量要从TEM单元或RF屏蔽盒确认的电磁发射电平，可以基于所测量的电磁波的实际电平来确定电磁波的实际电平。根据电子设备辐射的以及待确认的电磁波的实际电平可能不同于根据EMC暗室测量的结果值。
[0036]如在此使用的，术语“电磁波的测量电平”指代用于与国际标准进行基本比较的电子设备的电磁电平。例如，电磁波的测量电平不由电子设备测量，而是从电磁波的实际电平中计算。在此情况中，预期电磁波的测量电平是由相同设备测量的电磁波的参考电平。例如，预期电磁波的测量电平使用暗室来测量并且与国际标准比较。这里，电磁波的测量电平在大约I分钟到2分钟的范围内获得，并且指示与在大约I个小时所测量到的值类似的结果。这用来确定电磁波的测量电平是否满足国际标准。
[0037]根据本发明的示范性实施例，可以通过向电磁水平的实际电平应用基于电磁波的参考电平与电磁波的比较电平之间的差所确定的等式来获得电磁波的测量电平。如上所述，通过从电磁波的实际电平中获得电磁波的测量电平，可以在短时间之内测量出电子设备的各种EMI。用于测量电磁波电平的设备可以包括能够测量从电子设备辐射的电磁波电平的测量单元。测量设备可以包括控制器，该控制器能够基于电磁波的所测量的电平和用户输入的值中的至少一个来获得要由另一测量设备测量的电磁波电平。测量设备可以包括能够从用户接收电磁波的测量电平的输入单元。
[0038]图1是示出根据本发明的示范性实施例的用于测量电子设备的性能的装置的示图。
[0039]图2是示出图1中所示的电磁波测量设备的示图。
[0040]参照图1和图2，根据本发明的示范性实施例的用于测量电子设备10的性能的装置100包括电磁波测量设备110、分析控制器120、和连接线130。
[0041]电磁波测量设备110接收电子设备10的电磁波。电磁波测量设备110可以是TEM单元或RF屏蔽盒。在此情况中，电磁波测量设备110包括固定座111。如图2中所示，固定座111被设置在电磁波测量设备110内部，并且固定电子设备10的位置的定位。如朝向(a)中所示，将电子设备10水平地固定到固定座111，使得电磁波测量设备110可以接收电磁波的垂直分量。此外，如朝向(b)中所示，将电子设备10垂直地固定到固定座111，使得电磁波测量设备110可以接收电磁波的水平分量。这里，兼容性确定器123可以在分辨率(Resolution)带宽和衰减被调节为5MHz或更少的状态下工作。
[0042]分析控制器120根据来自电磁波测量设备110的电磁波接收强度来确定电子设备10的电磁电平，以确定电子设备的兼容性。分析控制器120包括电磁波分析器121和兼容性确定器123。
[0043]电磁波分析器121分析从电磁波测量设备110接收的电磁波，来根据电磁波接收强度确定电子设备10的电磁波电平。在此情况中，电磁波分析器121以预定的时间间隔来测量电磁波接收强度的峰值来确定电磁电平。这里，电磁波分析器121可以以与至少I秒对应的时间间隔来确定电磁波的实际电平。电磁波分析器121可以是频谱分析器或示波器。
[0044]兼容性确定器123分析电子设备10的电磁波电平来确定电子设备10的EMC。例如，兼容性确定器123确定电子设备10的辐射(RE)的程度。兼容性确定器123可以是个人计算机(PC)。电磁波分析器121可以包括示波器。兼容性确定器123使用快速傅立叶变换(FFT)函数将由电磁波分析器121确定的电磁电平转换为频域，并且分析频域。在此情况中，兼容性确定器123可以确定电子设备10的电磁波的比较电平和电磁波的实际电平。兼容性确定器123可以包括软件，用于从电磁波的实际电平计算电磁波的测量电平。例如，兼容性确定器123可以操作软件来从电子设备10的实际电磁电平中计算并显示电磁波的测量电平。
[0045]例如，兼容性确定器123可以预先仅存储电磁波的参考电平。兼容性确定器123可以确定电磁波的比较电平，并且将电磁波的比较电平与电磁波的参考电平比较。在此情况中，兼容性确定器123可以将电平改变值(例如，转换函数)计算为电磁波的参考电平与电磁波的比较电平之间的差，并且存储电平改变值。兼容性确定器123可以确定电磁波的实际电平，并且将电平改变值应用到电磁波的实际电平来计算电磁波测量电平。此外，兼容性确定器123可以确定电磁波的测量电平是否满足国际标准。
[0046]兼容性确定器123可以预先存储电平改变值。兼容性确定器123可以确定电磁波的实际电平。兼容性确定器123可以将电平改变值应用到电磁波的实际电平来计算电磁波的测量电平此外，兼容性确定器123可以确定电磁波的测量电平是否满足国际标准。
[0047]连接线130将分析控制器120连接到电磁波测量设备110。连接线130将兼容性确定器123连接至分析控制器120中的电磁分析器121。连接线130可以是通用接口总线(GPIB)0
[0048]图3是示出根据本发明的示范性实施例的计算电平变化值的方法的流程图。
[0049]图4A和4B是用于图解图3的曲线图。
[0050]参照图3，用于测量电子设备的性能的装置100在步骤211中存储电磁波的参考电平。用于测量电子设备的性能的装置100可以存储电磁波的参考电平作为用户输入的值。在此情况中，用于测量电子设备的性能的装置100存储水平参考电平和垂直参考电平。用于测量电子设备的性能的装置100在步骤213中测量电磁波比较电平。在此情况中，用于测量电子设备的性能的装置100分别存储水平比较电平和垂直比较电平。
[0051]之后，用于测量电子设备的性能的装置100在步骤215中将电平改变值计算为电磁波参考值与电磁波的比较电平之间的差。在此情况中，用于测量电子设备的性能的装置100存储电平改变值。例如，如图4A中所示，在水平参考电平和水平比较电平之间存在差异，并且用于测量电子设备的性能的装置100将水平改变值计算并存储为水平参考电平和水平比较电平之间的差。在水平参考电平和水平比较电平之间存在大于约20dB的差。如图4B中所示，在垂直参考电平和垂直比较电平之间存在差。用于测量电子设备的性能的装置100将垂直改变值计算并存储为垂直参考电平和垂直比较电平之间的差。在垂直参考电平和垂直比较电平之间存在大于约20dB的差。
[0052]通过这样，用于测量电子设备的性能的装置100获得通过测量电磁波的参考电平的设备所生成的背景噪声。例如，可以作为与电磁参考电平对应的背景噪声而获得电平改变值。在此情况中，电平改变值通过具有与国际标准相同的电磁波的参考电平的设备来测量，并且可以预期为与国际标准对应的背景噪声。
[0053]虽然用于测量电子设备的性能的装置100测量电磁波的比较电平来计算电平改变值，但是本发明的示范性实施例不限于此。例如，用于测量电子设备的性能的装置100将电平改变值存储为由用户输入的值，使得可以实施本示范性实施例。虽然用于测量电子设备的性能的装置100将电平改变值计算为在与用户输入的值对应的电磁波的参考电平与电磁波的比较电平之间的差，但是可以实施本示范性实施例。
[0054]图5是示出根据本发明的示范性实施例的测量电子设备的性能的方法的流程图。图6和图7是用于图解图5的曲线图。
[0055]参照图5，用于测量电子设备的性能的装置100在步骤311中测量电磁波的实际电平。例如，在用于测量电子设备的性能的装置100中，电磁波测量设备110从安装在固定座111中的电子设备接收电磁波。在此情况中，电子设备100可以是垂直或水平固定的。
[0056]接下来，用于测量电子设备10的性能的装置100在步骤313中分析电磁波的实际电平。例如，在用于测量电子设备10的性能的装置100中，电磁波分析器121分析由电磁波测量设备110接收的电磁波，来根据电磁波的接收强度确定电子设备10的电磁波的实际电平。在此情况中，电磁波分析器121以预定的时间间隔来测量电磁波的接收强度的峰值来确定电磁波的实际电平。这里，电磁波分析器121确定实际水平电平或实际垂直电平。例如，当电子设备10垂直地固定到固定座111时，电磁波分析器121可以确定电子设备10的实际水平电平。当电子设备10水平地固定到固定座111时，电磁波分析器121可以确定电子设备10的实际垂直电平。
[0057]接下来，用于测量电子设备10的性能的装置100可以在步骤315中向实际水平电平应用预先存储的水平改变值来在步骤319中计算水平测量电平。这里，将水平改变值作为用于基于实际水平电平计算水平测量电平的偏移来应用。在此情况中，如图6A中所示，用于测量电子设备10的性能的装置100可以预期水平测量电平为通过测量水平参考电平的设备所测量的值。这里，在水平测量电平中通过设备测量的值与水平参考电平中通过设备测量的值之间存在少于5dB的差。
[0058]用于测量电子设备10的性能的装置100在步骤317中向实际垂直电平应用预先存储的垂直改变值来在步骤321中计算垂直测量电平。这里，将垂直改变值作为用于基于实际垂直电平计算垂直测量电平的偏移来应用。在此情况中，如图6B中所示，用于测量电子设备10的性能的装置100可以预期垂直测量电平为通过测量垂直参考电平的设备所测量的值。这里，在垂直测量电平中通过设备测量的值与垂直参考电平中通过设备测量的值之间存在少于5dB的差。
[0059]随后，用于测量电子设备10的性能的装置100在步骤323中显示电磁波的测量电平。例如，在用于测量电子设备10的性能的装置100中，兼容性确定器123操作软件来显示水平测量电平和垂直测量电平，如图7中所示。在此情况中，兼容性确定器123可以显示电磁波的测量电平以及国际标准，使得装置100的用户可以确定电磁波的测量电平是否满足国际标准。
[0060]图8是示出根据本发明的示范性实施例的测量电子设备的性能的方法的流程图。[0061 ] 参照图8，用于测量电子设备的性能的装置100可以在步骤810中测量电磁波的参考电平。详细地，测量电磁波的参考电平的步骤可以包括:在将电子设备插入EMC暗室中的状态中测量背景噪声，以及在EMC暗室中提供参考信号发生器的状态下通过从参考信号发生器辐射的频率来测量电磁波。
[0062]装置100可以在步骤820中测量电磁波的比较电平。详细地，测量电磁波的比较电平的步骤可以包括:在没有在TEM单元或RF屏蔽盒内部提供电子设备的状态中测量背景噪声，以及在TEM单元或RF屏蔽盒内部提供电子设备的状态中通过从参考信号发生器辐射的频率来测量电磁波。
[0063]装置在步骤830中基于所测量的电磁波的参考电平和所测量的电磁波的比较电平来导出转换函数。转换函数通过电磁波的参考电平和比较电平之间的关系导出。当向在TEM单元或RF屏蔽盒中测量的电子设备的电磁波电平应用转换函数时，可以构建在EMC暗室中测量的电子设备的电磁波电平。更详细地，可以以权重函数的形式来配置转换函数，其通过频率来比较电磁波的测量的比较电平与电磁波的测量的参考电平，以反映根据频率的差。因此，即使当根据所测量的状态的电磁波的参考电平和电磁波的比较电平根据频带而表示不同的特征时，应用转换函数来准确地预计从电子设备辐射的电磁电平。根据本发明的示范性实施例，高权重函数值适用于在电磁波的比较电平和电磁波的参考电平之间具有大差值的频带，低权重函数适用于在其之间具有小差值的频带。
[0064]装置100可以在步骤840中测量电磁波的实际电平。根据本发明的示范性实施例，电磁波的实际电平可以是从安装在--Μ单元或RF屏蔽盒内部的电子设备测量的电磁波电平。
[0065]装置100在步骤850中可以获得基于在步骤830导出的转换函数的电磁波的测量电平以及在步骤840测量的电磁波的实际电平。向电磁波的实际电平应用转换函数来导出在暗室中安装执行测量的电子设备的状态中测量的电磁波电平。本示范性实施例通过使用上述转换函数测量电子设备的电磁波，可以使用小测量设备在短时间之内测量电子设备的电磁波电平。
[0066]根据本示范性实施例，因为将通过基于国际标准建议的设备所测量的电子设备10的电磁波电平与通过用于测量性能的装置100测量的电子设备10的电磁波电平之间的差减少到5dB，所以改善了上述设备的兼容性。由于这样，虽然没有使用基于国际标准建议的设备，但是用于测量电子设备10的性能的装置100可以容易地测量电子设备10的电磁波电平。因此，可以减少用于测量电子设备10的性能的装置100的安装空间和设备维护费。此外，可以减少通过用于测量电子设备10的性能的装置100来测量电子设备10的EMC所花费的时间量。例如，用于测量电子设备10的性能的装置可以有效地测量电子设备10的EMC。
[0067]在不使用根据国际标准建议的设备的情况下，根据本发明的用于测量电子设备的性能的方法和装置可以容易地测量电子设备的电磁波电平。由于这样，可以减少用于测量电子设备的性能的装置的安装空间和设备维护费。在用于测量电子设备的性能的装置中，可以减少测量电子设备的EMC所花费的时间量。因此，在用于测量电子设备的性能的装置中，可以有效地测量电子设备的EMC。
[0068]虽然本发明的 范性实施例已经示出用于测量电磁波的方法和装置，但是将显而易见的是，公开本发明的示范性实施例的技术特征可以用在本发明的另一示范性实施例中，来通过在本发明的示范性实施例中公开的方法容易地测量在外部测量的诸如热、振动、和光的物理数值。
[0069]虽然已经参照本发明的某些示范性实施例示出和描述了本发明，但是本领域技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求及其等同内容所限定的本发明的精神和范围的情况下可以在此进行形式和细节上的各种改变。
【权利要求】
1.一种测量电子设备的性能的方法，该方法包括: 获得通过第一测量设备测量的电磁电平与通过第二测量设备测量的电磁电平之间的关系等式; 通过第二测量设备测量测量目标电子设备的电磁波电平；以及 基于测量的电磁波电平和关系等式获得要通过第一测量设备测量的测量目标电子设备的电磁波电平。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述关系等式的获得包括通过第一测量设备和第二测量设备测量背景噪声。
3.如权利要求2所述的方法，其中，所述关系等式的获得包括: 通过第一测量设备和第二测量设备测量从参考信号发生器辐射的电磁波电平；以及 比较通过第二测量设备测量的参考信号发生器的电磁电平与通过第一测量设备测量的参考信号发生器的电磁电平。
4.如权利要求3所述的方法，其中，所述电磁电平的比较包括分别比较通过第二测量设备测量的参考信号发生器的水平和垂直电磁电平与通过第一测量设备测量的参考信号发生器的水平和垂直电磁电平。
5.如权利要求3所述的方法，其中，所述电磁电平的比较包括按频带比较通过第二测量设备测量的参考信号发生器的电磁电平与通过第一测量设备测量的参考信号发生器的电磁电平，从而基于按频带的比较结果获得按频率的权重函数。
6.如权利要求1所述的方法，其中，所述关系等式的获得包括接收先前通过第一测量设备测量的电磁电平和先前通过第二测量设备测量的电磁电平。
7.—种通过测量设备测量电子设备的性能的方法，该方法包括: 测量从电子设备辐射的第一电磁波电平；以及 基于关系等式获得通过另一测量设备测量的电子设备的电磁波电平，所述关系等式基于先前通过所述测量设备和其他测量设备测量的电磁波电平和第一测量电磁波电平来获得。
8.如权利要求7所述的方法，其中，基于通过第一测量设备和第二测量设备测量的背景噪声来获得所述关系等式。
9.如权利要求8所述的方法，其中，基于通过所述测量设备和其他测量设备来测量从参考信号发生器辐射的电磁波电平，并且比较通过其他测量设备测量的参考信号发生器的电磁电平与通过所述测量设备测量的参考信号发生器的电磁电平来获得所述关系等式。
10.如权利要求9所述的方法，其中，所述关系等式分别比较通过其他测量设备测量的参考信号发生器的水平和垂直电磁电平与通过所述测量设备测量的参考信号发生器的水平和垂直电磁电平。
11.如权利要求9所述的方法，其中，所述关系等式包括权重函数，所述权重函数通过按频带比较通过其他测量设备测量的参考信号发生器的电磁电平与通过所述测量设备测量的参考信号发生器的电磁电平，基于按频带的比较结果而按频率获得。
12.如权利要求7所述的方法，其中，所述关系等式基于输入值来获得，所述输入值通过接收先前由所述测量设备测量的电磁电平和先前由其他测量设备测量的电磁电平来生成。
13.—种测量电子设备的性能的装置，该装置包括: 测量单元，其测量从电子设备辐射的第一电磁波电平；以及 控制器，基于关系等式获得通过另一测量设备测量的电子设备的电磁波电平，所述关系等式基于先前由所述测量设备和其他测量设备测量的电磁波电平和第一测量电磁波电平来获得。
14.如权利要求13所述的装置，其中，所述控制器基于通过第一测量设备和第二测量设备测量的背景噪声来获得所述关系等式。
15.如权利要求14所述的装置，其中，所述控制器基于通过所述测量设备和其他测量设备来测量从参考信号发生器辐射的电磁波电平，并且通过比较由其他测量设备测量的参考信号发生器的电磁电平与通过所述测量设备测量的参考信号发生器的电磁电平，来获得所述关系等式。
16.如权利要求14所述的装置，其中，所述控制器基于分别比较通过其他测量设备测量的参考信号发生器的水平和垂直电磁电平与通过所述测量设备测量的参考信号发生器的水平和垂直电磁电平，来获得所述关系等式。
17.如权利要求14所述的装置，其中，所述控制器获得包括权重函数的所述关系等式，所述权重函数通过按频带比较通过其他测量设备测量的参考信号发生器的电磁电平与通过所述测量设备测量的参考信号发生器的电磁电平，基于按频带的比较结果而按频率获得。
18.如权利要求13所述的装置，进一步包括接收先前通过所述测量设备测量的电磁电平和先前通过其他测量设备测量的电磁电平的输入单元，并且 其中，控制器基于所接收的电磁电平来获得所述关系等式。
【文档编号】G01R29/08GK103842834SQ201280049282
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2012年10月4日 优先权日:2011年10月4日
【发明者】金廷珉, 徐建荣, 梁光模, 姜秉焕, 朴凤熙 申请人:三星电子株式会社