磁传感装置及其感应方法、制备工艺的制作方法

磁传感装置及其感应方法、制备工艺的制作方法
【专利摘要】本发明揭示了一种磁传感装置及其感应方法、制备工艺，所述磁传感装置包括：基底、第一电极层、沟槽、磁性材料层、连接通孔、加压模块、磁场测量模块、SET/RESET模块。第一电极层设置于所述基底上，第二电极层，设置于所述磁性材料层上；磁性材料层沉积在所述沟槽的侧面，磁性材料层的底部与第一电极层连接。连接通孔，用以连接电极E1i、电极E2i，使得电极E1i、电极E2i短路连接，为等电位；加压模块用以向电极E10及电极E2n的加压；磁场测量模块，用以测量外围磁场的强度和方向。本发明提出的磁传感装置，在单一的圆晶/芯片上同时具有X、Y和Z三轴方向的传感单元，具有良好的可制造性、优异的性能和明显的价格竞争力。
【专利说明】磁传感装置及其感应方法、制备工艺

【技术领域】
[0001] 本发明属于半导体【技术领域】，涉及一种磁传感装置，尤其涉及一种Z轴磁传感装 置；本发明还涉及一种Z轴磁传感装置的感应方法，同时，本发明还涉及一种Z轴磁传感装 置的制备工艺。

【背景技术】
[0002] 磁传感器按照其原理，可以分为以下几类：霍尔元件，磁敏二极管，各项异性磁阻 元件（AMR)，隧道结磁阻（TMR)元件及巨磁阻（GMR)元件、感应线圈、超导量子干涉磁强计 等。
[0003] 电子罗盘是磁传感器的重要应用领域之一，随着近年来消费电子的迅猛发展，除 了导航系统之外，还有越来越多的智能手机和平板电脑也开始标配电子罗盘，给用户带来 很大的应用便利，近年来，磁传感器的需求也开始从两轴向三轴发展。两轴的磁传感器，即 平面磁传感器，可以用来测量平面上的磁场强度和方向，可以用X和Y轴两个方向来表示。
[0004] 以下介绍现有磁传感器的工作原理。磁传感器采用各向异性磁致电阻 (Anisotropic Magneto-Resistance)材料来检测空间中磁感应强度的大小。这种具有晶体 结构的合金材料对外界的磁场很敏感，磁场的强弱变化会导致AMR自身电阻值发生变化。
[0005] 在制造、应用过程中，将一个强磁场加在AMR单元上使其在某一方向上磁化，建立 起一个主磁域，与主磁域垂直的轴被称为该AMR的敏感轴，如图1所示。为了使测量结果以 线性的方式变化，AMR材料上的金属导线呈45°角倾斜排列，电流从这些导线和AMR材料上 流过，如图2所示；由初始的强磁场在AMR材料上建立起来的主磁域和电流的方向有45° 的夹角。
[0006] 当存在外界磁场Ha时，AMR单元上主磁域方向就会发生变化而不再是初始的方 向，那么磁场方向Μ和电流I的夹角Θ也会发生变化，如图3所示。对于AMR材料来说，Θ 角的变化会引起AMR自身阻值的变化，如图4所示。
[0007] 通过对AMR单元电阻变化的测量，可以得到外界磁场。在实际的应用中，为了提高 器件的灵敏度等，磁传感器可利用惠斯通电桥检测AMR阻值的变化，如图5所示。R1/R2/R3/ R4是初始状态相同的AMR电阻，当检测到外界磁场的时候，R1/R2阻值增加 Λ R而R3/R4减 少AR。这样在没有外界磁场的情况下，电桥的输出为零；而在有外界磁场时，电桥的输出 为一个微小的电压AV。
[0008] 目前的三轴传感器是将一个平面（X、Υ两轴）传感部件与Ζ方向的磁传感部 件进行系统级封装组合在一起，以实现三轴传感的功能(可参考美国专利US5247278、 旧5952825、旧6529114、旧7126330州37358722) ;也就是说需要将平面传感部件及2方向磁 传感部件分别设置于两个圆晶或芯片上，最后通过封装连接在一起。目前，在单圆晶/芯片 上无法同时实现三轴传感器的制造。
[0009] 有鉴于此，如今迫切需要设计一种新的磁传感装置及其制备方法，以使实现在单 圆晶/芯片上进行三轴传感器的制造。
[0010] 相比上述的三轴传感器，本发明的Z轴传感器能够用于制造单片集成的磁传感 器，即在单芯片上的半导体制造就能够同时形成三轴磁传感器。


【发明内容】

[0011] 本发明所要解决的技术问题是：提供一种磁传感装置，可在同一个圆晶或芯片上 制备三轴磁感应器件。
[0012] 同时，本发明提供一种磁传感装置的感应方法，可在同一个圆晶或芯片上制备三 轴磁感应器件。
[0013] 此外，本发明还提供一种磁传感装置的制备工艺，可在同一个圆晶或芯片上制备 三轴磁感应器件。
[0014] 为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
[0015] 一种磁传感装置，所述装置包括：
[0016] 基底；
[0017] 第一电极层，设置于所述基底上，包括η个第一电极，η为整数；所述第一电极层依 次为电极EL、电极Eh、电极El2、…、电极Eln_i ;
[0018] 沟槽，通过沉积介质材料层，并在介质材料层上形成沟槽；
[0019] 磁性材料层，沉积在基底上方以及所述沟槽的侧面，磁性材料层的底部与第一电 极连接；
[0020] 第二电极层，设置于所述介质材料层与磁性材料层上，包括η个第二电极，η为 整数；第二电极层依次为电极E2i、电极Ε2 2、电极Ε23、…、电极Ε2η;电极ΕΙη与电极Eli 之间、电极E2i与电极E2i+1之间的距离分别大于电极Elg与电极E2i之间的距离，其中， 1彡i彡n-1，i为整数；
[0021] 连接线和连接通孔，开在介质层中的通孔深度直到第一电极的上方，通孔中沉积 第二电极的电极材料，用以连接电极Elp电极E2i，使得电极Elp电极E2i短路连接，为等电 位；其中，1 < i < n-1 ;
[0022] 加压模块，用以向电极El。及电极E2n的加压；在电极El μ和电极Ε2」之间由于存 在电势差形成电流，其中，1彡j彡η ;而电极EI和电极E2」之间等电位、无电流；
[0023] 磁场测量模块，用以测量外围磁场的强度和方向；在没有外围环境磁场的情况下， 电流与磁性材料层的磁材料自极化的方向具有设定夹角，在电极Ely和电极Ε2」之间存在 一设定电阻值；在存在外围磁场的情况下，电流与磁材料磁场的夹角发生偏转，对应着电极 Ely和电极Ε2」之间电阻值的变化，即电极EL和电极Ε2」之间总电阻值也发生变化；通过 测量电极EL和电极E2」之间总电阻值的变化，实现磁场强度和方向的测量。
[0024] 作为本发明的一种优选方案，所述第一电极层与第二电极层的走向平行，依次错 落排布。
[0025] 作为本发明的一种优选方案，所述电极Elg与电极Eli之间、电极E2i与电极E2i+1 之间的距离分别大于电极Elg与电极E2i之间距离的2倍。
[0026] 作为本发明的一种优选方案，所述磁性材料层沉积在所述沟槽的一个侧面或两个 侧面。
[0027] 作为本发明的一种优选方案，所述磁性材料层与所述基底之间的夹角为75°? 90。。
[0028] 作为本发明的一种优选方案，所述电极Ely和电极Ε2』之间形成的电流方向与基 底形成的夹角为30°?60°。
[0029] 作为本发明的一种优选方案，所述电极Ely和电极Ε2』之间形成的电流方向与基 底的夹角为45°。
[0030] 一种上述磁传感装置的感应方法，所述方法包括如下步骤：
[0031] 加压模块向电极E1。及电极E2n的加压；在电极Ely和电极Ε2』之间由于存在电 势差形成电流；其中，1 < j < η ;
[0032] 磁场测量模块测量外围磁场的强度和方向；在没有外围环境磁场的情况下，电流 与磁性材料层的磁材料自极化的方向具有设定夹角，在电极Ely和电极E2j之间存在一设 定电阻值；在存在外围磁场的情况下，电流与磁材料磁场的夹角发生偏转，对应着电极Ely 和电极Ε2」之间电阻值的变化；通过测量电极EL和电极Ε2」之间总电阻值的变化，实现磁 场强度和方向的测量。
[0033] 一种上述磁传感装置的制备工艺，所述制备工艺包括如下步骤：
[0034] 步骤S1、在具有绝缘层的基底上形成第一电极层，并采用半导体工艺实现图形 化；
[0035] 步骤S2、沉积第二介质材料，并在第二介质材料上形成沟槽，通过沟槽的形成将第 一电极层/阵列部分的电极表面露出；
[0036] 步骤S3、沉积磁性材料层；
[0037] 步骤S4、采用刻蚀去除多余的磁性材料层，保留侧壁以及与第一电极和第二电极 接触的磁性材料部分；
[0038] 步骤S5、沉积第三介质材料；
[0039] 步骤S6、开孔，用于连接特定的第一电极和第二电极；
[0040] 步骤S7、沉积第二电极材料，并进行图形化，特定的第二电极与对应的第一电极进 行连通。
[0041] 作为本发明的一种优选方案，所述方法还包括步骤S8,进行后续的金属层以及介 质层的制备，后续形成的金属层起到SET/RESET、自检测作用。
[0042] 作为本发明的一种优选方案，所述步骤S1中，采用CMOS电路制造完成的顶层金属 作为第一电极层/阵列。
[0043] 作为本发明的一种优选方案，所述步骤S3中，还包括沉积对磁性材料起到保护作 用的保护材料层，以及沉积提升磁性材料层性能的诱导层材料。
[0044] 作为本发明的一种优选方案，所述步骤S4中，所述磁性材料层沉积在所述沟槽的 一个侧面或两个侧面。
[0045] 作为本发明的一种优选方案，所述步骤S5中，还包括化学机械抛光平坦化过程。
[0046] 本发明的有益效果在于：本发明提出的磁传感装置及其感应方法，在单一的圆晶 /芯片上同时具有X、Y和Z三轴方向的传感单元，单芯片上可选择性集成ASIC外围电路， 其制造工艺与标准的CMOS工艺完全兼容；具有良好的可制造性、优异的性能和明显的价格 竞争力。

【专利附图】

【附图说明】
[0047] 图1为现有磁传感装置的磁性材料的示意图。
[0048] 图2为现有磁传感装置的磁性材料及导线的结构示意图。
[0049] 图3为磁场方向和电流方向的夹角示意图。
[0050] 图4为磁性材料的Θ -R特性曲线示意图。
[0051] 图5为惠斯通电桥的连接图。
[0052] 图6为本发明磁传感装置面朝沟槽侧壁的投影图。
[0053] 图7为本发明磁传感装置的截面图。
[0054] 图8为本发明磁传感装置制备工艺中步骤S1后的示意图。
[0055] 图9为本发明磁传感装置制备工艺中步骤S2后的示意图。
[0056] 图10为本发明磁传感装置制备工艺中步骤S3后的示意图。
[0057] 图11为本发明磁传感装置制备工艺中步骤S4后的示意图。
[0058] 图12为本发明磁传感装置制备工艺中步骤S5后的示意图。
[0059] 图13为本发明磁传感装置制备工艺中步骤S6后的示意图。
[0060] 图14为本发明磁传感装置制备工艺中步骤S8后的示意图。
[0061] 图15为实施例二中沟槽的示意图。
[0062] 图16为实施例二中沟槽两侧均设置磁性材料层的示意图。

【具体实施方式】
[0063] 下面结合附图详细说明本发明的优选实施例。
[0064] 实施例一
[0065] 请参阅图6、图7,本发明揭示一种磁传感装置，磁性材料垂直于基底的表面(与基 底之间的夹角或非严格的90度，可以在60度到90度之间），因此，可以感应Z轴方向的磁 场，所述磁传感装置包括：基底100、第一电极层、沟槽130、磁性材料层120、连接通孔、连接 线、加压模块、磁场测量模块。
[0066] 第一电极层设置于所述基底100上，包括η个第一电极，η为整数；所述第一电极 层依次为电极EL、电极、电极El 2、…、电极Eln_i。本实施例中，η=3,第一电极层包括等 间距设置的第一电极101、102、103 ;当然，相邻第一电极间的距离也可以不同。
[0067] 磁性材料层120沉积在所述沟槽130的侧面，磁性材料层120的底部与第一电极 层连接。所述磁性材料层与所述基底之间的夹角为75°?90°。磁性材料层的表面可以包 含保护层。磁性材料为各项异性磁阻材料，如NiFe，也可以是其他类型的磁阻材料，如TMR 和 GMR。
[0068] 第二电极层设置于所述磁性材料层120上，包括η个第二电极，η为整数；第二电 极层依次为电极E2i、电极Ε2 2、电极Ε23、…、电极Ε2η ;电极Ely与电极Eh之间、电极E2i 与电极E2i+1之间的距离分别大于电极EIh与电极E2i之间的距离，其中，1彡i彡n-1，i 为整数。优选地，电极Elg与电极之间、电极E2i与电极E2i+1之间的距离分别大于电 极Elg与电极E2i之间距离的2倍(或者说，相邻两个第一电极之间、相邻两个第二电极之 间的距离大于最近的第一电极与第二电极之间距离的2倍)，以此保证电极和电极E2h 之间的电阻小于相邻第一电极之间或者相邻第二电极之间的电阻，进而使电流大部分在电 极Eli和电极E2h之间流通，相邻第一电极之间、相邻第二电极之间的距离、最近的第一电 极与第二电极之间距离的比例可以根据实际的需求进行调整。针对同一沟槽，所述第一电 极层与第二电极层的走向平行，依次错落排布。本实施例中，第二电极层包括电极111、112、 113。
[0069] 结构具有连接通孔和连接导线用以连接电极Elp电极E2i，通孔和导线没有在图 中显示，它们能使电极Elp电极E2i短路连接，电路施加电压之后也是等电位，各连接线相 互平行；其中，1 < i <n-l。本实施例中，电极Eh、电极路连接，电极El2、电极E2JS 路连接。
[0070] 加压模块用以向电极E1。及电极E2n的加压；在电极Ely和电极E2」之间由于存 在电势差形成电流；其中，1 < j <n。所述电极Ely和电极Ε2」之间形成的电流方向与基 底形成的夹角优选为30°?60°。更佳地，所述电极Ely和电极Ε2」之间形成的电流方向 与基底的夹角为45°。
[0071] 磁场测量模块用以测量外围磁场的强度和方向；在没有外围环境磁场的情况下， 电流与磁性材料层的磁材料自极化的方向具有设定夹角，在电极Elj_i和电极E2j之间存在 一电阻值；在存在外围磁场的情况下，电流与磁材料磁场的夹角发生偏转，对应着电极Ely 和电极Ε2」之间电阻值的变化；通过电阻值的变化，实现磁场强度和方向的测量。
[0072] 具体请参阅图6,从图6中可以看到基底100上排布有第一电极层/阵列，第一电 极101、102、103之间为等间距排列。在沟槽130的侧壁上设有磁性材料层120,磁性材料 层120的底部与第一电极层连接，而磁性材料层120的上方则与第二电极层连接。第二电 极层(包括第二电极111、112、113)与第一电极层(包括第一电极101、102、103)在俯视图上 错落排布，第一电极102与第二电极111、第一电极103与第二电极112之间短路连接(通过 图中未示的通孔连接)，因此是等电位。
[0073] 以三对电极对为例说明（依次类推到多个电极对)，当在第一电极101和第二电极 113之间施加电压的时候，假设第一电极101上的电压为V。，第二电极113上的电压为V 3第 二电极111与第一电极102上的电压为Vi，第二电极112与第一电极103之间的电压为V2。 当第一电极101是高电压的时候，磁性材料层中的电流流向就如图6的箭头所示，当然前提 是第一电极101与第二电极111之间的距离要小于第一电极101与第一电极102之间的距 离，通常对于第一电极和第二电极的距离与相邻第一电极之间的距离相比至少小于1 :2。
[0074] 图6所示电流的流向与基底之间具有一个夹角，在30-60°之间，优选为45°。图 6中所不磁场的方向与电流的方向也存在一夹角Θ，当外界存在一个磁场的时候，磁材料 内部的磁场发生变化，Θ角发生变化，因此第一电极101与第二电极113之间的电阻发生 变化(各项异性磁阻的原理)，截面图如图7所示。
[0075] 本发明还揭示上述磁传感装置的感应方法，所述方法包括如下步骤：加压模块向 电极EL及电极E2 n的加压；在电极Ely和电极E2」之间由于存在电势差形成电流；其中， 1彡j彡η。磁场测量模块测量外围磁场的强度和方向；在没有外围环境磁场的情况下，电流 与磁性材料层的磁材料自极化的方向具有设定夹角，在电极Ely和电极E2j之间存在一设 定电阻值；在存在外围磁场的情况下，电流与磁材料磁场的夹角发生偏转，对应着电极Ely 和电极Ε2」之间电阻值的变化；通过电阻值的变化，实现磁场强度和方向的测量。
[0076] 以上介绍了本发明磁传感装置的组成及感应方法，本发明在揭示上述内容的同 时，还揭示一种上述磁传感装置的制备工艺，所述制备工艺包括如下步骤：
[0077] 【步骤S1】在具有绝缘层的基底201上沉积电极层，通过半导体工艺图形化，形成 第一电极阵列202,如图8所示。在实际的应用中，也可以采用CMOS电路的顶层金属层作为 本案所述的第一电极阵列202。
[0078] 【步骤S2】沉积介质材料203,必要的时候采用化学机械抛光进行平坦化，材料为单 层或者多层，介质材料203的总厚度为0. 1微米到5微米之间，见图9。
[0079] 【步骤S3】制造沟槽204,沟槽204的侧壁要设在第一电极的上方，要将第一电极的 顶部露出，如图10所示。
[0080] 【步骤S4】沉积磁性材料层205,为各项异性磁阻材料，也可以是TMR，GMR材料等； 通常在磁性材料层沉积完成后，可以继续在磁性材料层的上方沉积保护材料层206。同时， 在沉积磁性材料层205之前可以沉积一层有助于提升磁材料性能的缓冲层，本图11没有标 出。
[0081] 【步骤S5】通过刻蚀去除多余部分的磁材料，保留侧壁(单面或者双面)和与第一电 极和第二电极接触的磁性材料部分；如图12所示。
[0082] 【步骤S6】如图13所示，填充介质层208,必要时采用回刻工艺以及化学机械抛光， 以及可能的抛光后薄膜沉积工艺。
[0083] 【步骤S7】开孔，打开部分的介质层208形成通孔，用于连接第一电极和第二电极。
[0084] 【步骤S8】如图14所示，沉积第二电极层，包括若干第二电极209,在通孔中连接第 一电极，随后通过曝光和刻蚀，形成第二电极阵列。
[0085] 【步骤S9】制造形成后续的介质层和电极层，用于磁传感器的SET/RESET和自检测 等目的。
[0086] 实施例二
[0087] 请参阅图15、图16,本实施例与实施例一的区别在于，本实施例中，磁性材料层沉 积在所述一个沟槽的两个侧面。
[0088] 本实施例的好处在于，将沟槽的两面都利用起来，提高了基底的使用效率，提升了 器件的密度，有利于降低单位面积的成本。
[0089] 综上所述，本发明提出的磁传感装置及其感应方法，在单一的圆晶/芯片上同时 具有X、Y和Z三轴方向的传感单元，单芯片上可选择性集成ASIC外围电路，其制造工艺 与标准的CMOS工艺完全兼容；具有良好的可制造性、优异的性能和明显的价格竞争力。 [0090] 这里本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上述实施例 中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实 施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明 的精神或本质特征的情况下，本发明可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、 材料和部件来实现。在不脱离本发明范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进 行其它变形和改变。
【权利要求】
1. 一种磁传感装置，其特征在于，所述装置包括： 基底； 第一电极层，设置于所述基底上，包括η个第一电极，η为整数；所述第一电极层依次为 电极Ε1。、电极Eh、电极El2、…、电极Eln_i ; 沟槽,通过沉积介质材料层，并在介质材料层上形成沟槽； 磁性材料层，沉积在基底上方以及所述沟槽的侧面，磁性材料层的底部与第一电极连 接； 第二电极层，设置于所述介质材料层与磁性材料层上，包括η个第二电极，η为整数；第 二电极层依次为电极E2i、电极Ε22、电极Ε23、…、电极Ε2η ;电极El^与电极Eh之间、电极 E2i与电极E2i+1之间的距离分别大于电极EIh与电极E2i之间的距离，其中，1彡i彡n-1， i为整数； 连接线和连接通孔，开在介质层中的通孔深度直到第一电极的上方，通孔中沉积第二 电极的电极材料，用以连接电极Elp电极E2i，使得电极Elp电极E2i短路连接，为等电位； 其中，1彡i彡η-I ; 加压模块，用以向电极El。及电极E2n的加压；在电极Ely和电极Ε2」之间由于存在电 势差形成电流，其中，1彡j彡η ;而电极EI和电极E2」之间等电位、无电流； 磁场测量模块，用以测量外围磁场的强度和方向；在没有外围环境磁场的情况下，电流 与磁性材料层的磁材料自极化的方向具有设定夹角，在电极Ely和电极E2j之间存在一设 定电阻值；在存在外围磁场的情况下，电流与磁材料磁场的夹角发生偏转，对应着电极Ely 和电极Ε2」之间电阻值的变化，即电极EL和电极Ε2」之间总电阻值也发生变化；通过测量 电极EL和电极Ε2」之间总电阻值的变化，实现磁场强度和方向的测量。
2. 根据权利要求1所述的磁传感装置，其特征在于： 所述第一电极层与第二电极层的走向平行，依次错落排布。
3. 根据权利要求1所述的磁传感装置，其特征在于： 所述电极Elg与电极Eli之间、电极E2i与电极E2i+1之间的距离分别大于电极Elg与 电极E2i之间距离的2倍。
4. 根据权利要求1所述的磁传感装置，其特征在于： 所述磁性材料层沉积在所述沟槽的一个侧面或两个侧面。
5. 根据权利要求1至4之一所述的磁传感装置，其特征在于： 所述磁性材料层与所述基底之间的夹角为75°?90°。
6. 根据权利要求1至4之一所述的磁传感装置，其特征在于： 所述电极Ely和电极Ε2」之间形成的电流方向与基底形成的夹角为30°?60°。
7. 根据权利要求6所述的磁传感装置，其特征在于： 所述电极Ely和电极间形成的电流方向与基底的夹角为45°。
8. -种权利要求1至7之一所述磁传感装置的感应方法，其特征在于，所述方法包括如 下步骤： 加压模块向电极E1。及电极E2n的加压；在电极Ely和电极Ε2」之间由于存在电势差 形成电流；其中，1彡j彡η ; 磁场测量模块测量外围磁场的强度和方向；在没有外围环境磁场的情况下，电流与磁 性材料层的磁材料自极化的方向具有设定夹角，在电极El μ和电极E2j之间存在一设定电 阻值；在存在外围磁场的情况下，电流与磁材料磁场的夹角发生偏转，对应着电极Ely和 电极Ε2」之间电阻值的变化；通过测量电极EL和电极Ε2」之间总电阻值的变化，实现磁场 强度和方向的测量。
9. 一种权利要求1至7之一所述磁传感装置的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包 括如下步骤： 步骤S1、在具有绝缘层的基底上形成第一电极层，并采用半导体工艺实现图形化； 步骤S2、沉积第二介质材料，并在第二介质材料上形成沟槽，通过沟槽的形成将第一电 极层/阵列部分的电极表面露出； 步骤S3、沉积磁性材料层； 步骤S4、采用刻蚀去除多余的磁性材料层，保留侧壁以及与第一电极和第二电极接触 的磁性材料部分； 步骤S5、沉积第三介质材料； 步骤S6、开孔，用于连接特定的第一电极和第二电极； 步骤S7、沉积第二电极材料，并进行图形化，特定的第二电极与对应的第一电极进行连 通。
10. 根据权利要求9所述的制备工艺，其特征在于： 所述方法还包括步骤S8,进行后续的金属层以及介质层的制备，后续形成的金属层起 到SET/RESET、自检测作用。
11. 根据权利要求9所述的制备工艺，其特征在于： 所述步骤S1中，采用CMOS电路制造完成的顶层金属作为第一电极层/阵列。
12. 根据权利要求9所述的制备工艺，其特征在于： 所述步骤S3中，还包括沉积对磁性材料起到保护作用的保护材料层，以及沉积提升磁 性材料层性能的诱导层材料。
13. 根据权利要求9所述的制备工艺，其特征在于： 所述步骤S4中，所述磁性材料层沉积在所述沟槽的一个侧面或两个侧面。
14. 根据权利要求9所述的制备工艺，其特征在于： 所述步骤S5中，还包括化学机械抛光平坦化过程。
【文档编号】G01R33/09GK104155620SQ201310175141
【公开日】2014年11月19日 申请日期:2013年5月13日 优先权日:2013年5月13日
【发明者】万旭东, 万虹, 张挺 申请人:上海矽睿科技有限公司