发光二极管光源阵列模拟系统及模拟方法
【专利摘要】一种发光二极管光源阵列模拟方法，包括以下步骤：利用图像摄取装置摄取单颗发光二极管光源的光场分布图像；量测上述光场分布图像中各个坐标点所对应的光强度数据；将多个发光二极管光源按间距排列成发光二极管光源阵列；根据单颗发光二极管光源的光场分布图像以及发光二极管光源之间的间距逐点计算发光二极管光源阵列在各个坐标点上的光强积分值；以及根据发光二极管光源阵列在各个坐标点上的光强积分值模拟出发光二极管光源阵列的光场分布图像。本发明还提供了一种发光二极管光源阵列模拟系统。
【专利说明】发光二极管光源阵列模拟系统及模拟方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种光学模拟系统，特别涉及一种发光二极管光源阵列模拟系统及相 应的模拟方法。
【背景技术】
[0002] 发光二极管（Light Emitting Diode, LED)是一种可将电流转换成特定波长范围 的光的半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动 简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。
[0003] 发光二极管的一种典型的应用是排列成阵列形状而形成一个面光源。然而，在制 作上述发光二极管阵列的时候，若要获得所需的光强分布情况，通常需要对发光二极管之 间的间距进行多次的调整，然后通过光检测装置检测各个间距的发光二极管阵列的光强分 布情况。上述过程无疑相当费时费力，且提高了制作成本。
【发明内容】
[0004] 有鉴于此，有必要提供一种成本较低的发光二极管光源阵列模拟系统及模拟方 法。
[0005] -种发光二极管光源阵列模拟方法，包括： 步骤1 :利用图像摄取装置摄取单颗发光二极管光源的光场分布图像； 步骤2 :量测上述光场分布图像中各个坐标点所对应的光强度数据； 步骤3 :将多个发光二极管光源按间距排列成发光二极管光源阵列； 步骤4 :根据单颗发光二极管光源的光场分布图像以及发光二极管光源之间的间距逐 点计算发光二极管光源阵列在各个坐标点上的光强积分值；以及 步骤5 :根据发光二极管光源阵列在各个坐标点上的光强积分值模拟出发光二极管光 源阵列的光场分布图像。
[0006] -种发光二极管光源阵列模拟系统，包括： 图像摄取装置，用于摄取单颗发光二极管光源的光场分布图像； 量测装置，量测上述光场分布图像中各个坐标点所对应的光强度数据； 间距调整装置，将多个发光二极管光源按间距排列成发光二极管光源阵列； 计算装置，根据单颗发光二极管光源的光场分布图像以及发光二极管光源之间的间距 逐点计算发光二极管光源阵列在各个坐标点上的光强积分值；以及 图像模拟装置，根据发光二极管光源阵列在各个坐标点上的光强积分值模拟出发光二 极管光源阵列的光场分布图像。
[0007] 本发明的发光二极管光源阵列模拟系统及模拟方法中，通过检测单颗发光二极管 光源的光强分布情况，在确定了发光二极管光源之间的间距之后，即可逐点计算发光二极 管光源阵列的各个坐标点上的光强积分值。上述过程可避免发光二极管光源阵列在制作 过程中，每变更一次间距即要重新通过光检测系统获取发光二极管光源阵列的光强分布图 像，从而节省了成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0008] 图1为本发明的发光二极管光源阵列模拟系统的结构框图。
[0009] 图2为图1中的发光二极管光源阵列的排布情况。
[0010] 图3为本发明的发光二极管光源阵列模拟方法的步骤示意图。
[0011] 主要元件符号说明
【权利要求】
1. 一种发光二极管光源阵列模拟方法，包括： 步骤1 :摄取单颗发光二极管光源的光场分布图像； 步骤2 :量测上述光场分布图像中各个坐标点所对应的光强度数据； 步骤3 :将多个发光二极管光源按间距排列成发光二极管光源阵列； 步骤4 :根据单颗发光二极管光源的光场分布图像以及发光二极管光源之间的间距逐 点计算发光二极管光源阵列在各个坐标点上的光强积分值；以及 步骤5 :根据发光二极管光源阵列在各个坐标点上的光强积分值模拟出发光二极管光 源阵列的光场分布图像。
2. 如权利要求1所述的发光二极管光源阵列模拟方法，其特征在于，在步骤2中，进一 步量测单颗发光二极管光源的光场分布图像中各个坐标点所对应的R、G、B三色光阵列值， 然后在步骤4中逐点计算发光二极管光源阵列在各个坐标点上的R、G、B三色光积分值，最 后在步骤5中根据各个坐标点上的R、G、B三色光积分值得出发光二极管光源阵列的CIE频 谱图像。
3. 如权利要求2所述的发光二极管光源阵列模拟方法，其特征在于，在量测单颗发光 二极管光源的光场分布图像中各个坐标点所对应的R、G、B三色光阵列值时，在图像摄取装 置与发光二极管光源之间分别设置红光滤光片、绿光绿光片以及蓝光滤光片，然后根据在 红光滤光片、绿光绿光片以及蓝光滤光片下摄取的单颗发光二极管光源的光场分布图像得 出各个坐标点所对应的R、G、B三色光阵列值。
4. 如权利要求1所述的发光二极管光源阵列模拟方法，其特征在于，所述步骤1利用图 像摄取装置摄取单颗发光二极管光源的光场分布图像。
5. 如权利要求1所述的发光二极管光源阵列模拟方法，其特征在于，还包括步骤6 :提 供一个期望的发光二极管光源阵列的光场分布图像，将步骤5所模拟出的光场分布图像与 期望的发光二极管光源阵列的光场分布图像相比较，若两者不相同，调整发光二极管光源 之间的间距直至模拟出的光场分布图像与期望的发光二极管光源阵列的光场分布图像相 同或者接近。
6. -种发光二极管光源阵列模拟系统，包括： 图像摄取装置，摄取单颗发光二极管光源的光场分布图像； 量测装置，量测上述光场分布图像中各个坐标点所对应的光强度数据； 间距调整装置，将多个发光二极管光源按间距排列成发光二极管光源阵列； 计算装置，根据单颗发光二极管光源的光场分布图像以及发光二极管光源之间的间距 逐点计算发光二极管光源阵列在各个坐标点上的光强积分值；以及 图像模拟装置，根据发光二极管光源阵列在各个坐标点上的光强积分值模拟出发光二 极管光源阵列的光场分布图像。
7. 如权利要求6所述的发光二极管光源阵列模拟系统，其特征在于，所述量测装置进 一步量测单颗发光二极管光源的光场分布图像中各个坐标点所对应的R、G、B三色光阵列 值，然后计算装置逐点计算发光二极管光源阵列在各个坐标点上的R、G、B三色光积分值， 最后图像模拟装置根据各个坐标点上的R、G、B三色光积分值得出发光二极管光源阵列的 CIE频谱图像。
8. 如权利要求7所述的发光二极管光源阵列模拟系统，其特征在于，图像摄取装置与 发光二极管光源之间分别设置红光滤光片、绿光绿光片以及蓝光滤光片，所述量测装置根 据在红光滤光片、绿光绿光片以及蓝光滤光片下摄取的单颗发光二极管光源的光场分布图 像得出各个坐标点所对应的R、G、B三色光阵列值。
9. 如权利要求6所述的发光二极管光源阵列模拟系统，其特征在于，所述图像摄取装 置为电荷耦合影像传 感器。
10. 如权利要求6所述的发光二极管光源阵列模拟系统，其特征在于，还期望的发光二 极管光源阵列的光场分布图像以及比较装置，所述比较装置将期望的发光二极管光源阵列 的光场分布图像与图像模拟装置所模拟出的光场分布图像相比较，若两者不相同，利用间 距调整装置调整发光二极管光源之间的间距直至模拟出的光场分布图像与期望的发光二 极管光源阵列的光场分布图像相同或者接近。
【文档编号】G01M11/02GK104236854SQ201310236050
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2013年6月17日 优先权日:2013年6月17日
【发明者】黄哲瑄 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司