三轴传感器及其制备工艺的制作方法
【专利摘要】本发明揭示了一种三轴传感器及其制备工艺，所述制备工艺包括：在基底上沉积介质材料，形成第一介质层；在第一介质层上形成沟槽阵列；在所述形成沟槽阵列的第一介质层上沉积第二介质材料，形成第二介质层；沉积磁材料，形成磁材料层；沉积保护材料，形成保护材料层，并且把沟槽填实，使保护材料层表面形成平面，使得后续转变成平面工艺；在磁场中进行退火，退火气氛为氮气，或为惰性气体，或为真空；生成磁传感器的图形，形成感应单元的磁材料层，同时通过沟槽的应用形成导磁单元，即在单芯片上形成三轴传感器；制造通孔和电极。本发明提出的三轴传感器及其制备工艺，可优化工艺的流程，并提升传感器的性能。
【专利说明】三轴传感器及其制备工艺
【技术领域】
[0001]本发明属于半导体工艺【技术领域】，涉及一种传感器，尤其涉及一种三轴传感器；同时，本发明还涉及三轴传感器的制备工艺。
【背景技术】
[0002]磁传感器按照其原理，可以分为以下几类:霍尔元件，磁敏二极管，各项异性磁阻元件(AMR)，隧道结磁阻(TMR)元件及巨磁阻(GMR)元件、感应线圈、超导量子干涉磁强计坐寸ο
[0003]电子罗盘是磁传感器的重要应用领域之一，随着近年来消费电子的迅猛发展，除了导航系统之外，还有越来越多的智能手机和平板电脑也开始标配电子罗盘，给用户带来很大的应用便利，近年来，磁传感器的需求也开始从两轴向三轴发展。两轴的磁传感器，即平面磁传感器，可以用来测量平面上的磁场强度和方向，可以用X和Y轴两个方向来表示。
[0004]以下介绍现有磁传感器的工作原理。磁传感器采用各向异性磁致电阻(Anisotropic Magneto-Resistance)材料来检测空间中磁感应强度的大小。这种具有晶体结构的合金材料对外界的磁场很敏感，磁场的强弱变化会导致AMR自身电阻值发生变化。
[0005]在制造、应用过程中，将一个强磁场加在AMR单元上使其在某一方向上磁化，建立起一个主磁域，与主磁域垂直的轴被称为该AMR的敏感轴，如图1所示。为了使测量结果以线性的方式变化，AMR材料上的金属导线呈45°角倾斜排列，电流从这些导线和AMR材料上流过，如图2所示；由初始的强磁场在AMR材料上建立起来的主磁域和电流的方向有45°的夹角。
[0006]当存在外界磁场Ha时，AMR单元上主磁域方向就会发生变化而不再是初始的方向，那么磁场方向M和电流I的夹角Θ也会发生变化，如图3所示。对于AMR材料来说，Θ角的变化会弓I起AMR自身阻值的变化，如图4所示。
[0007]通过对AMR单元电阻变化的测量，可以得到外界磁场。在实际的应用中，为了提高器件的灵敏度等，磁传感器可利用惠斯通电桥检测AMR阻值的变化，如图5所示。R1/R2/R3/R4是初始状态相同的AMR电阻，当检测到外界磁场的时候，R1/R2阻值增加Λ R而R3/R4减少AR。这样在没有外界磁场的情况下，电桥的输出为零；而在有外界磁场时，电桥的输出为一个微小的电压AV。
[0008]目前的三轴传感器是将一个平面(X、Y两轴)传感部件与Z方向的磁传感部件进行系统级封装组合在一起，以实现三轴传感的功能(可参考美国专利US5247278、US5952825、US6529114、US7126330、US7358722);也就是说需要将平面传感部件及Z方向磁传感部件分别设置于两个圆晶或芯片上，最后通过封装连接在一起。目前，在单圆晶/芯片上无法同时实现三轴传感器的制造。
[0009]然而，现有的三轴传感器结构复杂，制造工艺繁琐。有鉴于此，如今迫切需要设计一种新的三轴传感器及其制备工艺，以克服现有器件及工艺的上述缺陷。
【发明内容】
[0010]本发明所要解决的技术问题是:提供一种三轴传感器，可提升传感器的性能，优化制备工艺的流程。
[0011]此外，本发明还提供一种三轴传感器的制备工艺，可优化工艺的流程，并提升制得传感器的性能。
[0012]为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案:
[0013]一种三轴传感器的制备工艺，所述制备工艺包括如下步骤:
[0014]步骤S1、在基底上沉积介质材料，形成第一介质层；
[0015]步骤S2、在第一介质层上形成沟槽阵列；
[0016]步骤S4、沉积磁材料，形成磁材料层；
[0017]步骤S5、沉积保护材料，形成保护材料层，并且把沟槽填实，使保护材料层表面形成平面，使得后续转变成平面工艺；
[0018]步骤S6、在磁场中进行退火，退火气氛为氮气，或为惰性气体，或为真空；
[0019]步骤S7、生成磁传感器的图形，形成感应单元的磁材料层，同时通过沟槽的应用形成导磁单元，即在单芯片上形成三轴传感器；所述导磁单元的主体部分设置于沟槽内，用以收集第三方向的磁信号，并将该磁信号输出给感应单元；所述感应单元靠近沟槽设置，用以接收所述导磁单元输出的第三方向的磁信号，并根据该磁信号测量出第三方向对应的磁场强度及磁场方向；
[0020]步骤S8、制造通孔和电极。
[0021]作为本发明的一种优选方案，步骤S3、在所述形成沟槽阵列的第一介质层上沉积与所述第一介质材料相同或者不同的第二介质材料，形成第二介质层，厚度少于100纳米；
[0022]作为本发明的一种优选方案，所述步骤S7中，感应单元的磁材料层与导磁单元之间设有缝隙，缝隙尺寸在I纳米到5微米之间。
[0023]作为本发明的一种优选方案，步骤SI中，在基底上沉积的介质材料为氧化硅或正硅酸乙酯TEOS。
[0024]作为本发明的一种优选方案，步骤S2中，沟槽的宽度为100?1000纳米。
[0025]作为本发明的一种优选方案，步骤S3中，所述第二介质材料为氧化硅、TE0S、氮化硅、氧化钽、氮化钽、氮氧化硅中的一种或多种。
[0026]作为本发明的一种优选方案，步骤S4中，沉积的磁材料为AMR材料或GMR材料或TMR材料。
[0027]作为本发明的一种优选方案，所述制备工艺在步骤S8后还包括步骤S9:制造更多层的磁材料层、介质材料层IMD和金属层。
[0028]一种三轴传感器，所述三轴传感器包括:
[0029]基底；
[0030]第一介质层，设置于基底表面，第一介质层上设有沟槽阵列；
[0031]第二介质层，设置于所述形成沟槽阵列的第一介质层上；
[0032]导磁单元，其主体部分设置于沟槽内，用以收集第三方向的磁信号，并将该磁信号输出给感应单元；
[0033]感应单元，靠近沟槽设置，与导磁单元之间有缝隙，用以接收所述导磁单元输出的第三方向的磁信号，并根据该磁信号测量出第三方向对应的磁场强度及磁场方向；
[0034]保护材料层，设置于感应单元的磁材料层以及导磁单元上，并将沟槽填满。
[0035]作为本发明的一种优选方案，所述感应单元包括磁材料层及设置于磁材料层上的电极。
[0036]作为本发明的一种优选方案，所述感应单元的磁材料层与导磁单元之间设有缝隙，缝隙尺寸在I纳米到5微米之间。
[0037]本发明的有益效果在于:本发明提出的三轴传感器及其制备工艺，基底上沉积介质材料，然后通过光刻和刻蚀工艺形成沟槽，然后再沟槽里面填充磁性材料，并且把沟槽填实，最终优化工艺的流程和传感器的性能。本发明的优势在于将沟槽填实之后实现了平面工艺，简化了后续多道工艺流程。并且从物理意义上增厚了垂直方向的磁性材料的厚度，使得第三轴的灵敏度得到提升。
【专利附图】
【附图说明】
[0038]图1为现有磁传感装置的磁性材料的示意图。
[0039]图2为现有磁传感装置的磁性材料及导线的结构示意图。
[0040]图3为磁场方向和电流方向的夹角示意图。
[0041]图4为磁性材料的Θ -R特性曲线示意图。
[0042]图5为惠斯通电桥的连接图。
[0043]图6为实施例一中本发明制造工艺步骤S2后的示意图。
[0044]图7为实施例一中本发明制造工艺步骤S3后的示意图。
[0045]图8为实施例一中本发明制造工艺步骤S5后的示意图。
[0046]图9为实施例一中本发明制造工艺步骤S7后的示意图。
[0047]图10为实施例一中本发明制造工艺步骤S7后的俯视图。
【具体实施方式】
[0048]下面结合附图详细说明本发明的优选实施例。
[0049]实施例一
[0050]本发明揭示了一种三轴传感器的制备工艺，具体包括如下步骤:
[0051]【步骤SI】在基底上沉积介质材料，如氧化硅、TE0S，形成第一介质层10；
[0052]【步骤S2】请参阅图6，在第一介质层10上形成沟槽11阵列，尺寸大小(沟槽宽度)可以控制在100纳米、200纳米，或者300纳米，沟槽11的尺寸取决于所需要的三轴传感器的磁性材料的厚度需求。沟槽11的截面可以是长方形、圆形等，短边作为关键尺寸；长边没有限制，短边限制为大于I纳米。
[0053]【步骤S3】请参阅图7，在上述的介质材料(含沟槽)上沉积相同或者不同的第二介质材料，如氧化硅、TE0S、氮化硅、氧化钽、氮化钽、或者氮氧化硅等，厚度少于100纳米(以40纳米为例)，形成第二介质层20。
[0054]【步骤S4】请参阅图8，沉积磁材料，形成磁材料层30，磁材料为AMR，或为GMR，或为TMR材料。
[0055]【步骤S5】沉积保护材料，并且把沟槽填实，形成保护材料层40，使保护材料层40的表面形成平面，使得后续转变成平面工艺，如图8所示。
[0056]【步骤S6】在磁场中进行退火，退火气氛为氮气，或为惰性气体(如氩气)，或为真空。
[0057]【步骤S7】请参阅图9，通过半导体或者与其类似的工艺，形成磁传感器的图形，除了在基底表面形成感应单元32 (X轴Y轴传感器)之外，通过沟槽的应用，也形成导磁单元31 (Z轴传感器)，如图9所示，即在单芯片上形成三轴的传感器，其俯视图如图10所示。
[0058]所述导磁单元31的主体部分设置于沟槽11内，用以收集第三方向(如Z轴方向)的磁信号，并将该磁信号输出给感应单元32。所述感应单元32设置于所述第二介质层20的表面，且靠近沟槽设置，用以接收所述导磁单元31输出的第三方向的磁信号，并根据该磁信号测量出第三方向对应的磁场强度及磁场方向。
[0059]感应单元32与导磁单元31之间有缝隙(缝隙尺寸可以在I纳米到5微米之间，如I纳米、5纳米、I微米、5微米等)，即两者不连通，其优点在于有较好的信噪比，同时因为缝隙的存在，在感应单元32中的电流不会到达导磁单元31，对传感器的灵敏度有帮助。
[0060]【步骤S8】制造通孔和电极。
[0061]【步骤S9】根据实际的需要制造更多层的MD和金属层。
[0062]请再次参阅图9，本发明制备工艺制得的三轴传感器包括基底、第一介质层10、第二介质层20、导磁单元31、感应单元32、保护材料层41、42。
[0063]第一介质层10设置于基底表面，其上设有沟槽11阵列；第二介质层20设置于所述形成沟槽阵列的第一介质层10上。
[0064]导磁单元31的主体部分设置于沟槽11内，用以收集第三方向的磁信号，并将该磁信号输出给感应单元32。
[0065]所述感应单元31包括磁材料层及设置于磁材料层上的电极；感应单元32靠近沟槽11设置，与导磁单元31之间有缝隙(缝隙尺寸可以在I纳米到5微米之间，如I纳米、5纳米、I微米、5微米等)，用以接收所述导磁单元31输出的第三方向的磁信号，并根据该磁信号测量出第三方向对应的磁场强度及磁场方向。
[0066]保护材料层41、42设置于感应单元32的磁材料层以及导磁单元31上，并将沟槽11填满。
[0067]综上所述，本发明提出的三轴传感器及其制备工艺，基底上沉积介质材料，然后通过光刻和刻蚀工艺形成沟槽，然后再沟槽里面填充磁性材料，并且把沟槽填实，最终优化工艺的流程和传感器的性能。
[0068]这里本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或本质特征的情况下，本发明可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本发明范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。
【权利要求】
1.一种三轴传感器的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括如下步骤: 步骤S1、在基底上沉积介质材料，形成第一介质层； 步骤S2、在第一介质层上形成沟槽阵列； 步骤S4、沉积磁材料,形成磁材料层； 步骤S5、沉积保护材料，形成保护材料层，并且把沟槽填实，使保护材料层表面形成平面，使得后续转变成平面工艺； 步骤S6、在磁场中进行退火，退火气氛为氮气，或为惰性气体，或为真空； 步骤S7、生成磁传感器的图形，形成感应单元的磁材料层，同时通过沟槽的应用形成导磁单元，即在单芯片上形成三轴传感器；所述导磁单元的主体部分设置于沟槽内，用以收集第三方向的磁信号，并将该磁信号输出给感应单元；所述感应单元靠近沟槽设置，用以接收所述导磁单兀输出的第三方向的磁信号，并根据该磁信号测量出第三方向对应的磁场强度及磁场方向； 步骤S8、制造通孔和电极。
2.根据权利要求1所述的三轴传感器的制备工艺，其特征在于: 所述方法在步骤S2与步骤S4之间还包括步骤S3、在所述形成沟槽阵列的第一介质层上沉积与所述第一介质材料相同或者不同的第二介质材料，形成第二介质层。
3.根据权利要求2所述的三轴传感器的制备工艺，其特征在于: 步骤S3中，所述第二介质材料为氧化硅、TEOS、氮化硅、氧化钽、氮化钽、氮氧化硅中的一种或多种；第二介质层的厚度少于100纳米。
4.根据权利要求1所述的三轴传感器的制备工艺，其特征在于: 所述步骤S7中，感应单元的磁材料层与导磁单元之间设有缝隙，缝隙尺寸在I纳米到5微米之间。
5.根据权利要求1所述的三轴传感器的制备工艺，其特征在于: 步骤SI中，在基底上沉积的介质材料为氧化硅或正硅酸乙酯TEOS。
6.根据权利要求1所述的三轴传感器的制备工艺，其特征在于: 步骤S2中，沟槽的宽度为100?1000纳米。
7.根据权利要求1所述的三轴传感器的制备工艺，其特征在于: 步骤S4中，沉积的磁材料为AMR材料或GMR材料或TMR材料。
8.根据权利要求1所述的三轴传感器的制备工艺，其特征在于: 所述制备工艺在步骤S8后还包括步骤S9:制造更多层的磁材料层、介质材料层和金属层。
9.一种三轴传感器,其特征在于,所述三轴传感器包括: 基底； 第一介质层，设置于基底表面，第一介质层上设有沟槽阵列； 第二介质层，设置于所述形成沟槽阵列的第一介质层上； 导磁单元，其主体部分设置于沟槽内，用以收集第三方向的磁信号，并将该磁信号输出给感应单元； 感应单元，靠近沟槽设置，与导磁单元之间有缝隙，用以接收所述导磁单元输出的第三方向的磁信号，并根据该磁信号测量出第三方向对应的磁场强度及磁场方向；保护材料层，设置于感应单元的磁材料层以及导磁单元上，并将沟槽填满。
10.根据权利要求9所述的三轴传感器，其特征在于:所述感应单元包括磁材料层及设置于磁材料层上的电极。
11.根据权利要求9所述的三轴传感器，其特征在于:所述感应单元的磁材料层与导磁单元之间设有缝隙，缝隙尺寸在I纳米到5微米之间。
【文档编号】G01R33/02GK104280696SQ201310278214
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2013年7月3日 优先权日:2013年7月3日
【发明者】杨鹤俊, 张挺, 万旭东 申请人:上海矽睿科技有限公司