检查结晶化的装置和方法
【专利摘要】用于检查结晶化的装置包括：衬底，包括半导体层，半导体层包括彼此分离的多个结晶化区域；平台，被配置为改变衬底的位置，衬底放置在平台上；摄影单元，被配置为获取与半导体层有关的图像数据；检查单元，被配置为获取与半导体层有关的检查数据；以及控制单元，被配置为根据摄影单元所获取的图像数据输出与衬底的位置变化有关的变化数据。
【专利说明】检查结晶化的装置和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2013年2月12日向韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2013-0014978号韩国专利申请的优先权，其全部内容通过弓I用并入本文。
【技术领域】
[0003]以下描述涉及检查结晶化的装置和方法。
【背景技术】
[0004]有机发光显示或液晶显示装置通常使用薄膜晶体管(TFT)来控制每一个像素的光发射或光发射强度。TFT包括半导体层、栅电极以及源/漏电极。半导体层通常可由通过使非晶硅结晶化而形成的多晶硅形成。
[0005]使用上面形成有TFT的TFT衬底制造显示装置的传统方法包括在衬底上形成非晶硅层并将非晶硅层结晶化为多晶硅层。
[0006]然而，传统的方法是复杂的并且需要花费大量成本和/或时间来使非晶硅层结晶化为多晶硅层并且接着检查结晶化。因此，期望提供一种装置和方法来减少所涉及的成本和/或时间。
【发明内容】
[0007]本发明的实施方式的一方面针对允许自动检查结晶化的半导体层的用于检查结晶化的装置和方法。
[0008]根据本发明的一个实施方式，提供了一种用于检查结晶化的装置，该装置包括:平台，被配置为改变衬底的位置，该衬底放置在该平台上并且包括半导体层，该半导体层包括彼此分离的多个结晶化分离区域；摄影单元，被配置为获取与该半导体层有关的图像数据；检查单元，被配置为获取与该半导体层有关的检查数据；以及控制单元，被配置为根据该摄影单元所获取的图像数据输出与该衬底的位置的变化有关的变化数据。
[0009]该控制单元可进一步被配置为根据该图像数据中的亮度数据输出该变化数据。
[0010]该控制单元可进一步被配置为输出该变化数据，使得该检查单元能够获取与该多个结晶化分离区域中的至少一个有关的检查数据。
[0011]该控制单元可进一步被配置为确定该多个结晶化分离区域之一是该半导体层的具有位于第二亮度范围内的亮度并定位在该半导体层的具有位于第一亮度范围内的亮度的其它部分之间的部分，其中该第二亮度范围所包括的值大于该第一亮度范围所包括的值。
[0012]该控制单元可进一步被配置为确定该多个结晶化分离区域之一是该半导体层的具有位于峰值亮度之间并位于预设亮度范围内的亮度的部分。
[0013]该摄影单元的位置可相对于该检查单元的位置固定。
[0014]根据本发明的另一个实施方式，提供了一种用于检查结晶化的装置，该装置包括:衬底放置部分，该衬底放置部分上放置有衬底，该衬底包括半导体层，该半导体层包括彼此分离的多个结晶化分离区域；摄影单元，被配置为获取与该半导体层有关的图像数据；检查单元，被配置为获取与该半导体层有关的检查数据；位置改变单元，被配置为改变该摄影单元和该检查单元相对于该衬底放置部分的位置；以及控制单元，被配置为根据该摄影单元所获取的图像数据输出与该摄影单元和该检查单元的位置的变化有关的变化数据。
[0015]该控制单元可进一步被配置为根据该图像数据中的亮度数据输出该变化数据。
[0016]该控制单元可进一步被配置为输出该变化数据，使得该检查单元能够获取与该多个结晶化分离区域中的至少一个有关的检查数据。
[0017]该控制单元可进一步被配置为确定该多个结晶化分离区域之一是该半导体层的具有位于第二亮度范围内的亮度并定位在该半导体层的具有位于第一亮度范围内的亮度的其它部分之间的部分，其中该第二亮度范围所包括的值大于该第一亮度范围所包括的值。
[0018]该控制单元可进一步被配置为确定该多个结晶化分离区域之一是该半导体层的具有位于峰值亮度之间并位于预设亮度范围内的亮度的部分。
[0019]该摄影单元的位置可相对于该检查单元的位置固定。
[0020]根据本发明的又一个实施方式，提供了一种用于检查结晶化的装置，该装置包括:平台，被配置为改变衬底的位置，该衬底放置在该平台上并且包括半导体层，该半导体层包括按一间隔彼此分离的多个结晶化分离区域；摄影单元，被配置为获取与该衬底上的标记的位置有关的图像数据；检查单元，被配置为获取与该半导体层有关的检查数据；以及控制单元，被配置为输出与该衬底的位置的变化有关的变化数据，使得该衬底的位置按该间隔重复地改变。
[0021]该控制单元可进一步被配置为根据该图像数据输出初始变化数据，使得该衬底相对于该检查单元的位置处于设定位置。
[0022]当该衬底处于该设定位置时，该检查单元能够获取与该多个结晶化分离区域中的至少一个有关的检查数据。
[0023]该摄影单元的位置可相对于该检查单元的位置固定。
[0024]根据本发明的又一个实施方式，提供了一种用于检查结晶化的装置，该装置包括:衬底放置部分，该衬底放置部分上放置有衬底，该衬底包括半导体层，该半导体层包括按一间隔彼此分离的多个结晶化分离区域；摄影单元，被配置为获取与该衬底上的标记的位置有关的图像数据；检查单元，被配置为获取与该半导体层有关的检查数据；位置改变单元，被配置为改变该检查单元相对于该衬底放置部分的位置；以及控制单元，被配置为输出与该检查单元的位置的变化有关的变化数据，使得该检查单元的位置按该间隔重复地改变。
[0025]该控制单元可进一步被配置为根据该图像数据输出初始变化数据，使得该检查单元相对于该衬底的位置处于设定位置。
[0026]当该检查单元处于该设定位置时，该检查单元能够获取与该多个结晶化分离区域中的至少一个有关的检查数据。
[0027]该摄影单元的位置可相对于该检查单元的位置固定。
[0028]根据本发明的又一个实施方式，提供了一种检查结晶化的方法，该方法包括:准备衬底，该衬底包括半导体层，该半导体层包括彼此分离的多个结晶化分离区域；根据所获取的与该半导体层有关的图像数据改变该衬底或检查单元中的至少一个的位置以获取与该多个结晶化分离区域中的至少一个有关的检查数据；获取与该多个结晶化分离区域中的至少一个有关的检查数据；根据所获取的与该半导体层有关的图像数据改变该衬底或该检查单元中的至少一个的位置以获取与该多个结晶化分离区域中的另一个有关的检查数据；以及获取与该多个结晶化分离区域中的另一个有关的检查数据。
[0029]可根据所获取的图像数据中的亮度数据改变该衬底或该检查单元中的至少一个的位置。
[0030]通过确定该多个结晶化分离区域之一是该半导体层的具有位于第二亮度范围内的亮度并定位在该半导体层的具有位于第一亮度范围内的亮度的其它部分之间的部分来改变该衬底或该检查单元中的至少一个的位置，其中该第二亮度范围所包括的值大于该第一亮度范围所包括的值。
[0031]通过确定该多个结晶化分离区域之一是该半导体层的具有位于峰值亮度之间并位于一亮度范围内的亮度的部分来改变该衬底或该检查单元中的至少一个的位置。
[0032]改变该衬底或该检查单元中的至少一个的位置以获取与该多个结晶化分离区域中的另一个有关的检查数据以及获取与该多个结晶化分离区域中的另一个有关的检查数据的步骤可被重复。
[0033]根据本发明的又一个实施方式，提供了一种检查结晶化的方法，该方法包括:准备衬底，该衬底包括半导体层，该半导体层包括按一间隔彼此分离的多个结晶化分离区域；根据所获取的与该半导体层有关的图像数据改变该衬底或检查单元中的至少一个的位置以获取与该多个结晶化分离区域中的至少一个有关的检查数据；获取与该多个结晶化分离区域中的至少一个有关的检查数据；按该间隔改变该衬底或该检查单元中的至少一个的位置以获取与该多个结晶化分离区域中的另一个有关的检查数据；以及获取与该多个结晶化分离区域中的另一个有关的检查数据。
[0034]改变该衬底或该检查单元中的至少一个的位置以获取与该多个结晶化分离区域中的另一个有关的检查数据以及获取与该多个结晶化分离区域中的另一个有关的检查数据的步骤可被重复。
[0035]用于检查结晶化的装置和方法允许自动检查结晶化的半导体层。然而，本发明的范围并不被这些效果和方面所限制。
【专利附图】
【附图说明】
[0036]通过参考附图详细描述本发明的示例性实施方式，本发明的上述和其它特征和方面将变得显而易见，其中:
[0037]图1是示意性示出根据本发明的实施方式的用于检查结晶化的装置的概念性侧面视图；
[0038]图2是示出待检查的衬底和半导体层的示意性平面图；
[0039]图3是示出衬底上的半导体层的待检查的部分的照片；
[0040]图4是关于图3所示的半导体层上的位置的相对亮度的曲线图；
[0041]图5是关于半导体层上的位置的相对亮度的曲线图；
[0042]图6是示意性示出根据本发明的另一个实施方式的用于检查结晶化的装置的概念性侧面图；
[0043]图7是示意性示出了根据本发明的又一个实施方式的说明检查结晶化的装置的概念性侧面视图；
[0044]图8是示出待检查的衬底和半导体层的示意性平面图；
[0045]图9是根据本发明实施方式的检查结晶化的方法的流程图；以及
[0046]图10是根据本发明另一个实施方式的检查结晶化的方法的流程图。
【具体实施方式】
[0047]参考示出示例性实施方式的附图，本发明的示例性实施方式将在下面被更加完全地描述。提供这些实施方式使得本公开全面并完整，并且向本领域技术人员全面传达出本发明的范围。然而，本发明能够以不同的形式实施并不应被解释为受限于本文所列举的示例性实施方式。出于清楚的目的，为了方便解释，层和区域以及其它元件的尺寸可能被夸大或缩小。例如，每个元件的尺寸和厚度并不仅限于图中所示的尺寸和厚度。
[0048]在下面的实施方式中，x，y和z轴并不限于正交坐标系中的三个轴，而是可以被解释为包括任何三个合适的轴。例如，X，y和Z轴可以彼此正交或者可以代表彼此不正交的三个不同方向。
[0049]可以理解，当元件例如层、薄膜、区域、或衬底等被称为位于另一个元件“上”或“上方”时，它可是直接位于其它元件之上或者可以存在中间元件。
[0050]这里使用的术语“和/或”包括一个或多个有关的所列出条目的任何或全部组合。在作为一系列元件的前序部分时，表达诸如“至少一个”修饰整个系列的元件并且并不修饰该系列中的单独元件。
[0051]图1是示意性示出根据本发明的实施方式的用于检查结晶化的装置的概念性侧面视图。参考图1，根据本实施方式，用于检查结晶化的装置包括上面设置有衬底的平台100、摄影单元200、检查单元300以及控制单元400。
[0052]例如，在χ-y平面上，衬底10的位置可以变化。衬底10在其上表面(例如，沿+z方向的表面)上具有娃层。娃层可形成在衬底10的整个上表面上或形成在衬底10的绝大部分上表面上以不覆盖该上表面的一部分，例如其边缘。
[0053]可以使用各种合适的方法将衬底10装载在平台100上。例如，当可上下(例如，沿+Z方向)移动的多个销被升起以穿过穿过平台100的多个通孔从平台100的上表面向上(例如，沿+Z方向)突出时，衬底10可通过机器人(例如，运输机器人)放置在该多个销上，并且该多个销可随后被降低(例如，沿-Z方向)以将衬底10设置并支撑在平台100上。
[0054]尽管并未在图1中示出，但衬底10有形成于其上的硅层(例如，半导体层)。半导体层包括多个彼此分离的结晶化区域以及余下的非结晶化区域。例如，非晶硅层可形成在衬底10上，并且仅非晶硅层的一部分(例如，预设部分)被结晶化(例如，选择性地结晶化)。
[0055]可以使用各种合适方法使非晶硅层结晶化。例如，可通过激光束照射非晶硅层以进行结晶化。激光束通常为点光束或线光束。因此，因为非晶硅层的待照射的区域必须进行多次改变，故在非晶硅层上的整个表面上照射激光束需要花费很长时间。
[0056]减少使非晶硅层结晶化所需时间的一个途径是仅在与硅层的上面将设置TFT的部分相对应的区域(例如，设定或预定区域)上照射激光束，而不是照射该硅层的整个表面。这种途径可以显著减少使硅层结晶化所需的时间。然而，这种途径由于缺少对仅分离区域(例如，设定的分离区域)被结晶化的硅层进行自动检查的装置和方法而缺乏效率。
[0057]因为整个表面都被结晶化的硅层在其整个表面具有均匀的特性，故能够通过扫面整个表面自动地检查硅层。相反地，对于具有被结晶化的分离区域和余下的非晶区域的硅层，由于非晶区域中出现(例如，由非晶区域产生)的噪声而无法在硅层上(例如，在整个硅层上)进行自动检查。因此，根据本发明的实施方式的用于检查结晶化的装置或根据本发明的实施方式的用于检查结晶化的方法如下所述将被用于解决该噪声问题和/或以自动检查具有结晶化的分离区域的硅层。
[0058]摄影单元200获取与设置在平台100上的衬底10上的半导体层有关的图像数据。为了完成该步骤，摄影单元200可包括成像装置诸如电荷耦合器件(CCD)或互补金属氧化物半导体(CMOS)成像装置。摄影单元200可定位(例如，设置)在各种位置。例如，如图1所示，摄影单元200可设置在平台100之上(例如，沿+z方向)。
[0059]检查单元300获取与衬底10上的半导体层有关的检查数据。检查单元300可使用各种元件和配置形成。例如，检查单元300可是如图1所示的反射性检查单元并且包括光源310以及检查数据获取器320，其中光源310用于发射设定或预定波长的光，检查数据获取器320用于从由光源310发出并从衬底10上的硅层反射的光获取数据。检查数据获取器320可具有与摄影单元200相似的配置，诸如包括成像装置诸如CXD或CMOS成像装置。检查单元300可使用具有特定波长的光来获取因为硅层的厚度变化而具有光干涉条纹的增强的对比度的数据。因此，获取的与半导体层有关的检查数据的分辨率可以增加。
[0060]检查单元300并不限于反射性检查单元并且可是各种合适的检查单元，例如透射性检查单元，在透射性检查单元中，由高亮度、白色LED光源发出的光穿过衬底10并且使用发出和接收的光之间亮度的不同来获取与半导体层有关的检查数据。
[0061 ] 控制单元400基于由摄影单元200获取的图像数据输出与衬底10设置在平台100上的位置的变化有关的变化数据。
[0062]在根据本实施方式的用于检查结晶化的装置中，因为衬底10上的半导体层具有结晶化的分离区域和剩余的非晶区域而不是具有整个结晶表面，控制单元400基于摄影单元200获取的图像数据输出与衬底10的位置变化有关的变化数据，并且平台100根据从控制单元400输出的变化数据调整衬底10的位置。因此，可以获取仅针对(例如关于)半导体层的结晶化区域的检查数据。换句话说，因为并没有获取针对剩余的非晶区域(例如，非结晶化区域)的检查数据，故可以减少或防止噪声的出现。进一步地，检查单元300仅基于(例如，根据)摄影单元200获取的图形数据检查半导体层的结晶化区域，从而允许更快、自动的检查。
[0063]基于摄影单元200获取的图像数据检查待检查的半导体层的结晶化区域的过程将在下文中详细描述。
[0064]图2示出了具有待检查的半导体层12的衬底10的示意性平面视图。参考图2，半导体层12形成在放置在平台100上的衬底10上。半导体层12包括多个结晶化的分离区域12b以及剩余的非结晶化的区域12a。
[0065]图3是示出衬底上的半导体层12的待检查部分的照片。
[0066]如图3所示，半导体层12内的结晶化区域12b和剩余区域12a具有不同的亮度。更具体地，结晶化区域12b的亮度大于作为非结晶化非晶硅区域的剩余区域12a的亮度。图4是对应于图3的半导体层12上的位置(例如，半导体层12的区域)的相对亮度的图。图3所示的亮度的改变也可从图4的曲线图看出，图4是数字数据的可视表示图。
[0067]控制单元400使用由摄影单元200获取的图像数据中(例如，包含在图像数据中)的亮度数据来输出与衬底10位置变化有关的变化数据。换句话说，控制单元400可以通过使用亮度数据输出变化数据，从而检查单元300获取与半导体层12中的多个分离的结晶化区域12b中的至少一个(例如，一些)有关的检查数据。
[0068]图5是与半导体层12上的位置有关的相对亮度的曲线图。控制单元400可确定半导体层12的部分A2属于多个结晶化分离区域12b (例如，是多个结晶化分离区域12b之一)，其中部分A2具有位于第二亮度范围内的亮度并且位于剩余部分Al之间，部分Al具有位于第一亮度范围内的亮度，第二亮度范围所包含的值大于第一亮度范围所包含的值。可选地，控制单元400可确定部分A2属于多个结晶化分离区域12b (例如，是多个结晶化分离区域12b之一)，其中部分A2的亮度大于亮度水平Bp (例如，预设亮度水平Bp)。
[0069]如上所述，控制单元400使用摄影单元200获取的亮度数据确定多个结晶化分离区域12b的位置并且输出与放置在平台100上的衬底10的位置变化有关的变化数据以从多个结晶化分离区域12b获取检查数据。平台100根据接收到的变化数据改变衬底10的位置，从而可对(例如，仅对)半导体层12内的多个结晶化分离区域12b自动执行检查。为了达到这个目的，摄影单元200的位置可相对于检查单元300的位置固定。
[0070]通过使用与上述方法不同的方法，控制单元400可摄影单元200获取的数据确定多个结晶化分离区域12b的位置。参考图3到5，峰值亮度出现在多个结晶化分离区域12b中的每一个与剩余的非结晶化区域12a之间的边界处。换句话说，尽管结晶化区域A2的亮度大于非结晶化区域Al的亮度，但峰值亮度Pl和P2 (例如，亮度大于结晶化区域A2的亮度)出现在半导体层12的结晶化区域A2和非结晶化区域Al之间的每个边界处。
[0071]通过使用这些特性，控制单元400可确定，在衬底10上的半导体层12的位于半导体层的具有峰值亮度Pl和Pl的部分之间的其它部分Al和A2中，部分A2属于多个结晶化分离区域12b(例如，是多个结晶化分离区域12b之一)，其中部分A2的位于亮度范围(例如，预设或预定亮度范围)内的亮度大于亮度Bp (例如，预设亮度Bp)。
[0072]图6是示意性示出根据本发明的另一个实施方式的用于检查结晶化的装置的概念性侧面图。与参考图1所描述的装置不同之处在于，根据本实施方式的装置进一步包括位置改变单元，位置改变单元相对于衬底放置部分100’改变摄影单元200和检查单元300的位置。另一个不同之处在于，根据本实施方式的装置包括上面固定地放置衬底10的衬底放置部分100’，而不是可改变上面放置的衬底10的位置的平台(图1中的平台100)。因此，在根据本实施方式的用于检查结晶化的装置中，衬底10的位置在检查中始终保持不变。
[0073]根据本实施方式的用于检查结晶化的装置包括摄影单元200、检查单元300以及控制单元400，其中摄影单元200获取与放置在衬底放置部分100’上的衬底10上的半导体层有关的图像数据，检查单元300获取与衬底10上的半导体层有关的检查数据，控制单元400基于由摄影单元200获取的图像数据输出与摄影单元200和检查单元300的位置变化有关的变化数据。位置改变单元根据该变化数据相对于衬底放置部分100’改变摄影单元200和检查单元300的位置，并且检查单元300随后获取与衬底10上的半导体层12内的多个结晶化分离区域12b有关的检查数据。为了达到这个目的，摄影单元200的位置可相对于检查单元300的位置固定，或者反之亦然。
[0074]根据本实施方式，在检查期间，当衬底10放置在衬底放置部分100’上时，衬底10的位置维持不变。因此，摄影单元200和检查单元300相对于衬底放置部分100’的位置通过位置改变单元改变以对衬底10上的半导体层12进行检查或进行衬底10上的半导体层12的检查。因此，因为装置在检查期间并不需要移动衬底10的空间(需要大面积)，故装置的总体尺寸可以显著减少。在接收从控制单元400输出的变化数据之后，位置改变单元改变摄影单元200和检查单元300的位置。
[0075]与从控制单元400输出的位置的变化有关的变化数据可以以与参考图1到5描述的方式相同的方式生成。
[0076]控制单元400使用由摄影单元200获取的图像数据中的亮度数据来输出与摄影单元200和检查单元300的位置变化有关的变化数据。更具体地，当位置改变单元改变摄影单元200和检查单元300的位置时，控制单元400可输出变化数据，从而检查单元300根据该位置变化获取与半导体层12中的多个分离的结晶化区域12b中的至少一个(例如，一些)有关的检查数据。
[0077]为了生成和输出变化数据，如图5所示，控制单元400可确定半导体层12的具有位于第二亮度范围内的亮度并且位于部分Al之间的部分A2属于多个结晶化分离区域12b(例如，是多个结晶化分离区域12b之一)，其中部分Al具有位于第一亮度范围内的亮度，第二亮度范围大于第一亮度范围(例如，第二亮度范围所包含的值大于第一亮度范围所包含的值)。可选地，控制单元400可以确定半导体层12的具有位于亮度范围(例如，预设或预定亮度范围)内的亮度并且位于半导体层的具有峰值亮度Pl和P2的部分之间的部分属于多个结晶化分离区域12b(例如，是多个结晶化分离区域12b之一)。例如，参考图5，控制单元400可确定，在半导体层12的位于半导体层的具有峰值亮度Pl和Pl的部分之间的其它部分Al和A2中，部分A2属于多个结晶化分离区域12b (例如，是多个结晶化分离区域12b之一)，其中部分A2的位于一亮度范围(例如，预设或预定亮度范围)内的亮度大于亮度Bp(例如，预设亮度Bp)。
[0078]虽然上面描述了摄影单元200定位(例如，设置)在平台100或衬底放置部分100’之上，以便观察被放置在平台100或衬底放置部分100’之上的衬底10的上表面，但本发明不限于此。
[0079]是示意性示出了根据本发明的又一个实施方式的说明检查结晶化的装置的概念性侧面视图。参考图7，摄影单元200可位于平台100之下(例如，沿与衬底10被装载到平台100上的方向[+z方向]相反的方向[-Z方向])。在这种情况下，与摄影单元200相对应或用于摄影单元200的通孔IOOa形成在平台100内从而摄影单元200可获取与由平台100支撑的衬底10上的半导体层的至少一部分有关的图像数据。进一步地，当衬底10由玻璃或者透光塑料材料制成时，摄影单元200可获取与衬底10上的半导体层12的至少一部分有关的图像数据。
[0080]根据本实施方式的装置具有与上面参考图1描述的装置相似的配置，但执行与上面参考图1描述的装置不同的操作。
[0081]图8是待检查的衬底10和半导体层12的示意性平面图。例如，如图8所示，放置在平台100上的衬底10可具有形成于其上的标记Ml和M2。标记Ml和M2可形成在衬底10的覆盖有半导体层12的部分处或之上，或者形成在衬底10的未覆盖有半导体层12的外边缘处。
[0082]标记Ml和M2的形成可先于衬底10上的包括非晶硅的半导体层12的形成。可选地，标记Ml和M2的形成可晚于衬底10上的半导体层12的形成但先于用于结晶化的激光束在半导体层12的区域(例如，设定区域)上的照射。在这种情况下，标记Ml和M2可由激光退火装置中的标记形成元件形成或产生。
[0083]当在衬底10上形成上面已产生标记Ml和M2的半导体层12之后，可通过激光束照射半导体层12的区域(例如，设定区域)以进行结晶化。在这种情况下，可以使用Ml和M2作为参考位置，通过激光束照射彼此以一定间隔(例如，有规律间隔)彼此分离的多个区域，从而覆盖在衬底10上的半导体层12可具有形成于其中的多个结晶化分离区域12b。
[0084]衬底10放置在平台100上，其中衬底10具有形成于其上的半导体层12，半导体层12包括通过上述过程形成的结晶化区域12b以及其它非结晶化区域12a。摄影单元200可获取与衬底10上的标记Ml和M2有关的图像数据。该图像数据可提供与标记Ml和M2相对于摄影单元200的位置有关的信息。控制单元400使用由摄影单元200获取的图像数据来输出初始变化数据，使得衬底10相对于检查单元300的位置处于一位置(例如，设定位置)处。
[0085]初始变化数据可被认为是说明平台100使衬底10移动的距离的数据，从而检查单元300获取与半导体层12内的多个结晶化分离区域12b中的至少一个(例如，一些)有关的检查数据。这种初始变化数据可通过使用标记Ml和M2相对于摄影单元200的位置来确定。
[0086]当将衬底10放置在平台100上时，标记Ml和M2相对于摄影单元200的位置可以不总是固定的。在这种情况下，衬底10上的半导体层12的待由检查单元300检查的区域可以是结晶化区域或者不是结晶化区域。因此，在从(例如，使用)由摄影单元200获取的图像数据确定标记Ml和M2相对于摄影单元200的位置之后，控制单元400可输出初始变化数据以控制平台100根据初始变化数据改变衬底10的位置，使得标记Ml和M2相对于摄影单元200被定位在一位置(例如，预设位置)处(例如，检查单元300可获取与多个结晶化分离区域12b中的至少一个有关的检查数据)。
[0087]当衬底10被定位或放置以使得检查单元300获取与放置在平台100上的衬底10上的半导体层12中的多个结晶化分离区域12b中的至少一个(例如，一些)有关的检查数据时，可以对多个结晶化分离区域12b中的其它区域执行后续检查而无需使用摄影单元200。
[0088]更具体地，因为多个结晶化分离区域12b以一定间隔(例如，预定间隔)布置在衬底10上或覆盖衬底10的半导体层12上，故平台100可使衬底10移动相应间隔(例如，预定间隔)(例如，沿-X方向)，使得检查单元300获取仅与半导体层12内的多个结晶化分离区域12b有关的检查数据。在这种情况下，控制单元400可输出与衬底10的位置变化有关的变化数据，以重复地使衬底10的位置改变相应间隔(例如，预定间隔)。为达到这个目的，摄影单元200的位置可相对于检查单元300的位置固定。
[0089]当半导体层12具有按一定间隔(例如，预定间隔)彼此分离的多个结晶化区域时，即使在没有标记Ml和M2的情况下，控制单元400也可使用由摄影单元200获取的亮度数据来确定多个结晶化分离区域12b之一的位置，使得检查单元300获取与相应结晶化区域12b有关的检查数据。其后，平台100可重复地使衬底10移动相应间隔(例如，预定间隔)，使得检查单元300获取与多个结晶化分离区域12b中的剩余区域有关的检查数据。
[0090]虽然根据上面参考图8描述的实施方式的装置包括平台100，但本发明不限于此。例如，根据另一个实施方式的用于检查结晶化的装置可具有与参考图6描述的装置基本相似的配置。具体地，根据本实施方式的装置可进一步包括用于改变摄影单元200和检查单元300相对于衬底放置部分100’的位置的位置改变单元，并且还可包括上面固定地放置有衬底10的衬底放置单元100’，而不是可改变放置在上面的衬底10的位置的平台100。换句话说，根据本实施方式的装置在检查期间可以保持衬底10的位置。
[0091]在根据本实施方式的装置中，摄影单元200获取放置在衬底放置部分100’上的衬底10上的标记Ml和M2的图像数据。图像数据可以提供与标记Ml和M2相对于摄影单元200的位置有关的信息。控制单元400使用摄影单元200所获取的图像数据来输出初始变化数据，使得检查单元300相对于放置在衬底放置部分100’上的衬底10定位(例如，移动以被定位)在一位置(例如，设定位置)处。
[0092]初始变化数据可被认为是说明距离的数据，位置改变单元使检查单元300移动该距离，使得检查单元300获取与半导体层12内的按一定间隔(例如，预定间隔)彼此分离的多个结晶化区域12b中的至少一个(例如，一些)有关的检查数据。这种初始变化数据可以通过使用标记Ml和M2相对于摄影单元200的位置来确定。
[0093]只要衬底10被定位或设置为使检查单元300获取与放置在衬底放置部分100’上的衬底10上的半导体层12内的多个结晶化分离区域12b中的至少一个(例如，一些)有关的检查数据，就可以对多个结晶化分离区域12b中的其它区域执行后续检查而无需使用摄影单元200。更具体地，因为多个结晶化分离区域12b以一定间隔(例如，预定间隔)布置在覆盖衬底10的半导体层12上，故位置改变单元可随后使检查单元300相对于衬底10移动相应间隔(例如，预定间隔)(例如，沿+X方向)，使得检查单元300获取与半导体层12内的多个结晶化分离区域12b中的其它区域有关的检查数据。在这种情况下，控制单元400可输出与检查单元300的位置变化有关的变化数据以便根据相应间隔(例如，预定间隔)重复地改变检查单元300的位置。
[0094]根据本实施方式的装置中，摄影单元200相对于检查单元300的位置可不必维持不变(例如，可以变化)。例如，位置改变单元可在检查期间和/或完成检查之后改变检查单元300的位置，例如在开始另一个检查之前使检查单元300向后移动回其初始位置，使得检查单元300相对于摄影单元200的位置在开始检查之前可以总是保持不变。当需要时，摄影单元200和检查单元300相对于衬底10的位置可是固定的，并且在这种情况下，位置改变单元可以一起(例如，同时地或共同地)移动摄影单元200和检查单元300。
[0095]根据本实施方式的装置中，当衬底10放置在衬底放置部分100’上时，衬底10的位置保持固定，相反地，位置改变单元改变摄影单元200和/或检查单元300相对于衬底放置部分100’的位置，从而对形成于衬底10上的半导体层12执行检查。因此，装置的总体尺寸可显著的减少，因为在检查期间，该装置不需要用于移动衬底10的空间。位置改变单元在接收到从控制单元400输出的变化数据之后改变摄影单元200和/或检查单元300的位置。[0096]当半导体层10具有按一定间隔(例如，预定间隔)彼此分离的多个结晶化区域时，即使在没有标记Ml和M2的情况下，控制单元400也可以使用摄影单元200所获取的亮度数据来验证多个结晶化分离区域的位置，使得检查单元300获取与相应结晶化区域有关的检查数据。其后，位置改变单元可使检查单元300移动相应间隔(例如，预定间隔)，使得检查单元300获取与多个结晶化分离区域中的剩余区域有关的检查数据。
[0097]虽然上文描述了摄影单元200被定位(例如，设置)在平台100或衬底放置部分100’上以便观察放置在平台100或衬底放置部分100’上的衬底10的上表面，但本发明不限于此。例如，在用于对上面形成有包括多个结晶化分离区域12b的半导体层12的衬底10进行结晶化检查的装置中，如图7所示，摄影单元200可定位在平台100之下(例如，沿与衬底10被装载在平台100上的方向[+z方向]相反的方向[-Z方向])。
[0098]图9是根据本发明的实施方式的检查结晶化的方法的流程图。
[0099]参考图9，在根据本实施方式的检查结晶化的方法中，准备上面形成有具有多个结晶化分离区域的半导体层的衬底(S10)。接着，基于所获取的与衬底上的半导体层有关的图像数据改变衬底和检查单元中的至少一个的位置，从而获取与半导体层中的多个结晶化分离区域中的至少一个(例如,一些)有关的检查数据(S20)。
[0100]随后，获取与多个结晶化分离区域中的至少一个(例如，一些)有关的检查数据(S30)。接着确定检查是否完成(S40)，并且如果检查完成，则该方法结束。相反地，如果检查没有完成并且将要获取与其它结晶化分离区域有关的检查数据，则该方法继续(或者返回)至操作S20以基于所获取的与衬底上的半导体层有关的图像数据改变衬底和检查单元中的至少一个的位置。接着，获取与半导体层中的多个结晶化分离区域中的其它区域有关的检查数据(S30)。通过以这种方式重复执行操作S20和S30，可实现结晶化的整个检查。
[0101]在操作S20中，通过基于所获取的与衬底上的半导体层有关的图像数据改变衬底和检查单元中的至少一个的位置，可使用或通过所获取的图像数据中的亮度数据改变衬底和检查单元的位置。
[0102]更具体地，如上所述参考图5，在操作S20中，可通过确定半导体层的具有位于第二亮度范围内的亮度并且位于具有位于第一亮度范围内的亮度的剩余部分Al之间的部分A2是多个结晶化分离区域之一改变来衬底或检查单元的位置，其中第二亮度范围大于第一亮度范围。可选地，在操作S20中，可通过确定在半导体层的位于半导体层的具有峰值亮度Pl和P2的其它部分之间的部分Al和A2中具有位于一亮度范围(例如，预定亮度范围)内的大于亮度Bp (例如，设定亮度Bp)的亮度的部分A2是多个结晶化分离区域之一(例如，控制单元可以确定多个结晶化分离区域之一是半导体层的具有位于峰值亮度之间并位于预设亮度范围内的亮度的部分)来改变衬底或检查单元的位置。
[0103]根据本实施方式的检查结晶化的方法可防止由于检查非结晶化区域而导致的噪声的产生并且允许检查多个结晶化分离区域，即使在半导体层有多个分离区域而不是整个区域被结晶化时。该方法也可允许对多个结晶化分离区域进行自动的结晶化检查。
[0104]图10是根据本发明的另一个实施方式的检查结晶化的方法的流程图。
[0105]参考图10，根据本实施方式检查结晶化的方法中，准备上面形成有具有按一定间隔(例如，预定间隔)彼此分离的多个结晶化分离区域的半导体层的衬底(S10)。接着，基于所获取的与衬底上的标记有关的图像数据改变衬底和检查单元中的至少一个的位置，以获取与半导体层中的多个结晶化分离区域中的至少一个有关的检查数据(S22)，如上面参考图8所述。
[0106]随后，获取与半导体层中的多个结晶化分离区域中的至少一个有关的检查数据(S32)。随后使衬底和检查单元中的至少一个的位置改变一定间隔(例如，预定间隔)以便获取与多个结晶化分离区域中的另一个区域有关的检查数据(S24)，并且获取与多个结晶化分离区域中的另一个区域有关的检查数据。(S34)
[0107]其后，确定检查是否完成(S40)，并且如果检查完成，则该方法结束。相反地，如果检查没有完成并且将要获取与多个结晶化分离区域中的另一个区域有关的检查数据，则该方法继续(或者返回)至操作S24以便使衬底和检查单元中的至少一个的位置改变一定间隔(例如，预定间隔)。接着，获取与半导体层中的多个结晶化分离区域中的其它区域有关的检查数据(S34)。通过以这种方式重复地执行操作S24和S34，可实现结晶化的整个检查。
[0108]根据本实施方式的检查结晶化的方法可防止由于检查非结晶化区域而导致的噪声的产生并且允许检查多个结晶化分离区域，即使在半导体层有多个分离区域被结晶化而不是半导体层的整个区域都被结晶化时。根据本实施方式的方法也可允许对多个结晶化分离区域进行的结晶化的自动检查。
[0109]虽然本发明已经被具体示出并参考其示例性实施方式进行了描述，但本领域的技术人员应当理解，可做出各种各样形式上或细节上的改变而不背离由所附权利要求或其等同所限定的本发明的精神和范围。
【权利要求】
1.一种用于检查结晶化的装置，所述装置包括: 平台，被配置为改变衬底的位置，所述衬底放置在所述平台上并且包括半导体层，所述半导体层包括彼此分离的多个结晶化分离区域； 摄影单元，被配置为获取与所述半导体层有关的图像数据； 检查单元，被配置为获取与所述半导体层有关的检查数据；以及 控制单元，被配 置为根据所述摄影单元所获取的图像数据输出与所述衬底的位置的变化有关的变化数据。
2.如权利要求1所述的装置，其中，所述控制单元进一步被配置为根据所述图像数据中的亮度数据输出所述变化数据。
3.如权利要求2所述的装置，其中，所述控制单元进一步被配置为输出所述变化数据，使得所述检查单元能够获取与所述多个结晶化分离区域中的至少一个有关的检查数据。
4.如权利要求3所述的装置，其中，所述控制单元进一步被配置为确定所述多个结晶化分离区域之一是所述半导体层的具有位于第二亮度范围内的亮度并定位在所述半导体层的具有位于第一亮度范围内的亮度的其它部分之间的部分，其中所述第二亮度范围所包括的值大于所述第一亮度范围所包括的值。
5.如权利要求3所述的装置，其中，所述控制单元进一步被配置为确定所述多个结晶化分离区域之一是所述半导体层的具有位于峰值亮度之间并位于预设亮度范围内的亮度的部分。
6.如权利要求1所述的装置，其中，所述摄影单元的位置相对于所述检查单元的位置固定。
7.一种用于检查结晶化的装置，所述装置包括: 衬底放置部分，所述衬底放置部分上放置有衬底，所述衬底包括半导体层，所述半导体层包括彼此分离的多个结晶化分离区域； 摄影单元，被配置为获取与所述半导体层有关的图像数据； 检查单元，被配置为获取与所述半导体层有关的检查数据； 位置改变单元，被配置为改变所述摄影单元和所述检查单元相对于所述衬底放置部分的位置；以及 控制单元，被配置为根据所述摄影单元所获取的图像数据输出与所述摄影单元和所述检查单元的位置的变化有关的变化数据。
8.如权利要求7所述的装置，其中，所述控制单元进一步被配置为根据所述图像数据中的亮度数据输出所述变化数据。
9.如权利要求8所述的装置，其中，所述控制单元进一步被配置为输出所述变化数据，使得所述检查单元能够获取与所述多个结晶化分离区域中的至少一个有关的检查数据。
10.如权利要求9所述的装置，其中，所述控制单元进一步被配置为确定所述多个结晶化分离区域之一是所述半导体层的具有位于第二亮度范围内的亮度并定位在所述半导体层的具有位于第一亮度范围内的亮度的其它部分之间的部分，其中所述第二亮度范围所包括的值大于所述第一亮度范围所包括的值。
11.如权利要求9所述的装置，其中，所述控制单元进一步被配置为确定所述多个结晶化分离区域之一是所述半导体层的具有位于峰值亮度之间并位于预设亮度范围内的亮度的部分。
12.如权利要求7所述的装置，其中，所述摄影单元的位置相对于所述检查单元的位置固定。
13.一种用于检查结晶化的装置，所述装置包括: 平台，被配置为改变衬底的位置，所述衬底放置在所述平台上并且包括半导体层，所述半导体层包括按一间隔彼此分离的多个结晶化分离区域； 摄影单元，被配置为获取与所述衬底上的标记的位置有关的图像数据； 检查单元，被配置为获取与所述半导体层有关的检查数据；以及控制单元，被配置为输出与所述衬底的位置的变化有关的变化数据，使得所述衬底的位置按所述间隔重复地改变。
14.如权利要求13所述的装置，其中，所述控制单元进一步被配置为根据所述图像数据输出初始变化数据，使得所述衬底相对于所述检查单元的位置处于设定位置。
15.`如权利要求14所述的装置，其中，当所述衬底处于所述设定位置时，所述检查单元能够获取与所述多个结晶化分离区域中的至少一个有关的检查数据。
16.如权利要求13所述的装置，其中，所述摄影单元的位置相对于所述检查单元的位置固定。
17.一种用于检查结晶化的装置，所述装置包括: 衬底放置部分，所述衬底放置部分上放置有衬底，所述衬底包括半导体层，所述半导体层包括按一间隔彼此分离的多个结晶化分离区域； 摄影单元，被配置为获取与所述衬底上的标记的位置有关的图像数据； 检查单元，被配置为获取与所述半导体层有关的检查数据； 位置改变单元，被配置为改变所述检查单元相对于所述衬底放置部分的位置；以及控制单元，被配置为输出与所述检查单元的位置的变化有关的变化数据，使得所述检查单元的位置按所述间隔重复地改变。
18.如权利要求17所述的装置，其中，所述控制单元进一步被配置为根据所述图像数据输出初始变化数据，使得所述检查单元相对于所述衬底的位置处于设定位置。
19.如权利要求18所述的装置，其中，当所述检查单元处于所述设定位置时，所述检查单元能够获取与所述多个结晶化分离区域中的至少一个有关的检查数据。
20.如权利要求17所述的装置，其中，所述摄影单元的位置相对于所述检查单元的位置固定。
21.一种检查结晶化的方法，所述方法包括: 准备衬底，所述衬底包括半导体层，所述半导体层包括彼此分离的多个结晶化分离区域； 根据所获取的与所述半导体层有关的图像数据改变所述衬底或检查单元中的至少一个的位置以获取与所述多个结晶化分离区域中的至少一个有关的检查数据； 获取与所述多个结晶化分离区域中的至少一个有关的检查数据； 根据所获取的与所述半导体层有关的图像数据改变所述衬底或所述检查单元中的至少一个的位置以获取与所述多个结晶化分离区域中的另一个有关的检查数据；以及获取与所述多个结晶化分离区域中的另一个有关的检查数据。
22.如权利要求21所述的方法，其中，根据所获取的图像数据中的亮度数据改变所述衬底或所述检查单元中的至少一个的位置。
23.如权利要求22所述的方法，其中，通过确定所述多个结晶化分离区域之一是所述半导体层的具有位于第二亮度范围内的亮度并定位在所述半导体层的具有位于第一亮度范围内的亮度的其它部分之间的部分来改变所述衬底或所述检查单元中的至少一个的位置，其中所述第二亮度范围所包括的值大于所述第一亮度范围所包括的值。
24.如权利要求22所述的方法，其中，通过确定所述多个结晶化分离区域之一是所述半导体层的具有位于峰值亮度之间并位于一亮度范围内的亮度的部分来改变所述衬底或所述检查单元中的至少一个的位置。
25.如权利要求21所述的方法，其中，改变所述衬底或所述检查单元中的至少一个的位置以获取与所述多个结晶化分离区域中的另一个有关的检查数据以及获取与所述多个结晶化分离区域中的另一个有关的检查数据的步骤被重复。
26.—种 检查结晶化的方法，所述方法包括: 准备衬底，所述衬底包括半导体层，所述半导体层包括按一间隔彼此分离的多个结晶化分离区域； 根据所获取的与所述半导体层有关的图像数据改变所述衬底或检查单元中的至少一个的位置以获取与所述多个结晶化分离区域中的至少一个有关的检查数据； 获取与所述多个结晶化分离区域中的至少一个有关的检查数据； 按所述间隔改变所述衬底或所述检查单元中的至少一个的位置以获取与所述多个结晶化分离区域中的另一个有关的检查数据；以及 获取与所述多个结晶化分离区域中的另一个有关的检查数据。
27.如权利要求26所述的方法，其中，改变所述衬底或所述检查单元中的至少一个的位置以获取与所述多个结晶化分离区域中的另一个有关的检查数据以及获取与所述多个结晶化分离区域中的另一个有关的检查数据的步骤被重复。
【文档编号】G01N21/84GK103985654SQ201310337242
【公开日】2014年8月13日 申请日期:2013年8月5日 优先权日:2013年2月12日
【发明者】秋秉权, 朴喆镐, 孙希根, 金度烨 申请人:三星显示有限公司