一种薄膜电容热冲击试验的tanδ控制方法
【专利摘要】本发明涉及一种薄膜电容热冲击试验的tanδ控制方法，包括对薄膜电容器的薄膜进行金属喷镀，及对金属喷镀后的薄膜电容进行热冲击试验。相对现有技术，本发明在薄膜电容热冲击试验中能控制tan?δ的增加。
【专利说明】一种薄膜电容热冲击试验的tan δ控制方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及薄膜电容热冲击试验，具体涉及一种薄膜电容热冲击试验的tan δ控制方法。
【背景技术】
[0002]在汽车行业，汽车所用的平滑电容器和滤波电容器已经开始倾向于选用薄膜电容器，基本选用tan δ (tan δ为介质损耗角正切，指电介质在单位时间内每单元体积中，将电能转化为热能而消耗的能量，δ是介电损耗角)低，纹波电流大的聚丙烯薄膜电容，但是聚丙烯薄膜电容在135°C左右会收缩、到160°C会融化，在热冲击试验过程中聚丙烯薄膜电容的薄膜和金属喷镀的热收缩率不一样，层与层之间会出现剥离，并且因此完成热冲击试验有一定困难。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是提供一种薄膜电容热冲击试验中能控制tan δ增加的控制方法。
[0004]本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种薄膜电容热冲击试验的tan δ控制方法，包括以下步骤:
[0005]喷镀金属:对薄膜电容器的薄膜进行金属喷镀，被喷镀的金属与薄膜电容上的蒸镀金属为同种金属；
[0006]热冲击:对金属喷镀后的薄膜电容进行热冲击试验，使金属喷镀后的薄膜电容从温度负40度匀速升温至125度，再从125度匀速降温至负40度，整个周期持续30分钟。
[0007]所述喷镀金属:对薄膜电容器的薄膜进行金属喷镀，被喷镀的金属与薄膜电容上的蒸镀金属为同种Al金属。
[0008]所述喷镀金属:对薄膜电容器的薄膜进行金属喷镀，被喷镀的金属与薄膜电容上的蒸镀金属为同种Al和Si的合金。
[0009]本发明的有益效果是:喷镀和蒸镀金属为相同的金属，能配合薄膜的膨胀收缩，也能控制薄膜电容的膨胀，降低tan δ。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为本发明的介质损耗角正切变化率的示意图；
[0011]图2为本发明静电容量变化率的示意图；
[0012]图3为绝缘抵抗变化率的示意图。
【具体实施方式】
[0013]以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。[0014]一种薄膜电容热冲击试验的tan δ控制方法，包括以下步骤:
[0015]喷镀金属:对薄膜电容器的薄膜进行金属喷镀，被喷镀的金属与薄膜电容上的蒸镀金属为同种金属；
[0016]热冲击:对金属喷镀后的薄膜电容进行热冲击试验，使金属喷镀后的薄膜电容从温度负40度匀速升温至125度，再从125度匀速降温至负40度，整个周期持续30分钟。
[0017]所述喷镀金属:对薄膜电容器的薄膜进行金属喷镀，被喷镀的金属与薄膜电容上的蒸镀金属同为金属Al。
[0018]所述喷镀金属:对薄膜电容器的薄膜进行金属喷镀，被喷镀的金属与薄膜电容上的蒸镀金属同为Al和Si的合金，所述Al和Si合金包括S1、Fe、Cu、Mn、Mg、Zn，其中Al的质量百分比为85.65%?87.65%，Si的质量百分比为11?13%，Fe的质量百分比为0.8%，Cu的质量百分比为0.3%，Mn的质量百分比为0.15%，Mg的质量百分比为0.1%。
[0019]所述tan δ的考量参数包括静电容量、绝缘抵抗，所述tan δ为介质损耗角正切。
[0020]实施例1:对薄膜电容器的薄膜进行金属喷镀，使喷镀的金属与薄膜电容上的蒸镀金属同为金属Al，并对该薄膜电容器进行热冲击试验，试验过程对介质损耗角正切、静电容量、绝缘抵抗进行检测，并将得到的检测数据与原有条件热冲击试验数据和改变温度热冲击试验数据进行对比，得到如下数据图表:
[0021]如图1所示，设置有三种控制方法进行热冲击试验，在热冲击金属喷镀变更控制方法这一项，也就是将喷镀的金属与薄膜电容上的蒸镀金属设置为同种金属，介质损耗角正切变化率小，表现最稳定；
[0022]如图2所示，设置有三种控制方法进行热冲击试验，在热冲击金属喷镀变更控制方法这一项，也就是将喷镀的金属与薄膜电容上的蒸镀金属设置为同种金属，静电容量变化率适中，表现稳定；
[0023]如图3所示，设置有三种控制方法进行热冲击试验，在热冲击金属喷镀变更控制方法这一项，也就是将喷镀的金属与薄膜电容上的蒸镀金属设置为同种金属，绝缘抵抗显示稳定。
[0024]实施本方法，在热冲击试验中，使喷镀和蒸镀金属为相同的金属Al，能配合薄膜的膨胀收缩，也能控制薄膜电容的膨胀，降低tan δ。
[0025]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种薄膜电容热冲击试验的tan δ控制方法，其特征在于，包括以下步骤: 喷镀金属:对薄膜电容器的薄膜进行金属喷镀，被喷镀的金属与薄膜电容上的蒸镀金属为同种金属； 热冲击:对金属喷镀后的薄膜电容进行热冲击试验，使金属喷镀后的薄膜电容从温度负40度匀速升温至125度，再从125度匀速降温至负40度，整个周期持续30分钟。
2.根据权利要求1所述一种薄膜电容热冲击试验的tanδ控制方法，其特征在于，所述喷镀金属:对薄膜电容器的薄膜进行金属喷镀，被喷镀的金属与薄膜电容上的蒸镀金属同为金属Al。
3.根据权利要求1或2任一所述一种薄膜电容热冲击试验的tanδ控制方法，其特征在于，所述喷镀金属:对薄膜电容器的薄膜进行金属喷镀，被喷镀的金属与薄膜电容上的蒸镀金属同为Al和Si的合金。
【文档编号】G01R31/00GK103954857SQ201410130200
【公开日】2014年7月30日 申请日期:2014年4月1日 优先权日:2014年4月1日
【发明者】陈重生 申请人:扬州日精电子有限公司