NTC温度变送器的制作方法

本发明涉一种温度变送器，特别涉及一种ntc温度变送器。

背景技术：

ntc是指随温度上升电阻呈指数关系减小、具有负温度系数的热敏电阻现象和材料。该材料是利用锰、铜、硅、钴、铁、镍、锌等两种或两种以上的金属氧化物进行充分混合、成型、烧结等工艺而成的半导体陶瓷，可制成具有负温度系数（ntc）的热敏电阻。ntc温度变送器是以ntc热敏电阻为主要部件的温度变送器，但是现有的ntc温度变送器测量精度并不高。

技术实现要素：

本发明克服了现有技术中的不足，提供了一种ntc温度变送器，提高了测量精度。

为了解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：一种ntc温度变送器，包括外壳、ntc热敏电阻、vref、电阻r、a/d电路、单片机、d/a电路、v/i电路转换电路，其特征在于：所述ntc热敏电阻与电阻r并联，然后与vref并联，其连接点处连接a/d电路，所述单片机的输入端连接a/d电路，所述单片机的输出端连d/a电路输入点，d/a电路输出点连接v/i电路转换电路的输入点。

所述ntc热敏电阻，按重量份数计，包括如下组份：二氧化锰45~50份，氧化铜5~10份，三氧化二钴1~5份，氧化镍20~25份，无水乙醇100~150份。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明的ntc线性度得到很好的提高，从而提高了温度变送器的测量精度。

附图说明

图1是本发明的电路结构示意图。

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

具体实施方式

实施例1

如图1所示，一种ntc温度变送器，一种ntc温度变送器，包括外壳、ntc热敏电阻、vref、电阻r、a/d电路、单片机、d/a电路、v/i电路转换电路，其特征在于：所述ntc热敏电阻与电阻r并联，然后与vref并联，其连接点处连接a/d电路，所述单片机的输入端连接a/d电路，所述单片机的输出端连d/a电路输入点，d/a电路输出点连接v/i电路转换电路的输入点。

其中，所述ntc热敏电阻，按重量份数计，包括如下组份：二氧化锰45份，氧化铜5份，三氧化二钴1份，氧化镍20份，无水乙醇100份。

实施例2

如图1所示，一种ntc温度变送器，一种ntc温度变送器，包括外壳、ntc热敏电阻、vref、电阻r、a/d电路、单片机、d/a电路、v/i电路转换电路，其特征在于：所述ntc热敏电阻与电阻r并联，然后与vref并联，其连接点处连接a/d电路，所述单片机的输入端连接a/d电路，所述单片机的输出端连d/a电路输入点，d/a电路输出点连接v/i电路转换电路的输入点。

所述ntc热敏电阻，按重量份数计，包括如下组份：二氧化锰50份，氧化铜10份，三氧化二钴5份，氧化镍25份，无水乙醇150份。

实施例3

如图1所示，一种ntc温度变送器，一种ntc温度变送器，包括外壳、ntc热敏电阻、vref、电阻r、a/d电路、单片机、d/a电路、v/i电路转换电路，其特征在于：所述ntc热敏电阻与电阻r并联，然后与vref并联，其连接点处连接a/d电路，所述单片机的输入端连接a/d电路，所述单片机的输出端连d/a电路输入点，d/a电路输出点连接v/i电路转换电路的输入点。

所述ntc热敏电阻，按重量份数计，包括如下组份：二氧化锰48份，氧化铜8份，三氧化二钴3份，氧化镍23份，无水乙醇125份。

本发明未经描述的技术特征可以通过或采用现有技术实现，在此不再赘述，当然，上述具体实施方式并非是对本发明的限制，本发明也并不仅限于上述具体实施方式，本技术领域的普通技术人员在本发明的实质范围内所做出的变化、改型、添加或替换，也应落入本发明的保护范围内。

技术特征：

技术总结
本发明涉及温度变送器，特别涉及一种NTC温度变送器，包括外壳、NTC热敏电阻、VREF、电阻R、A/D电路、单片机、D/A电路、V/I电路转换电路，其特征在于：所述NTC热敏电阻与电阻R并联，然后与VREF并联，其连接点处连接A/D电路，所述单片机的输入端连接A/D电路，所述单片机的输出端连D/A电路输入点，D/A电路输出点连接V/I电路转换电路的输入点。本发明的NTC线性度得到很好的提高，从而提高了温度变送器的测量精度。

技术研发人员：姜赟
受保护的技术使用者：鄄城上德仪表有限公司
技术研发日：2017.09.28
技术公布日：2019.04.05