低温磁热效应测量仪用导热装置的制作方法

文档序号:18136816发布日期:2019-07-10 10:41阅读:242来源:国知局
低温磁热效应测量仪用导热装置的制作方法

本发明涉及一种磁热效应测量仪,具体是,涉及一种低温磁热效应测量仪用导热装置。



背景技术:

室温磁制冷是一种固态制冷技术,是有望取代传统的气体压缩式制冷技术的新型制冷技术。随着新材料新技术的发展,最近十几年,室温磁制冷技术开发受到各国普遍重视,并且取得长足进展。该项技术符合当今可持续发展的时代要求,被认为是一种有希望取代传统制冷技术的绿色制冷技术。

室温及中低温磁制冷机所用的制冷介质是固体材料,衡量材料磁热性能的参数为等温磁熵变和绝热温变。通常测量方法分为直接测量法和间接测量法,间接测量法通常耗时而且测量成本较高。

专利号200520008166.4公开了一种永磁式磁热效应直接测量仪器,产品采用直接测量法,直接测量法快速方便,测量成本低。但是,产品只能测量室温附近的磁热材料性能,中低温磁热效应直接测量装置尚未出现,不利于中低温磁热材料的研究开发。

根据磁热效应原理,磁热材料在变化的磁场作用下,会产生升温或降温的现象。采用固定式磁场系统的磁热效应测量仪,由样品进出磁场产生磁场变化,因此需要样品移动进出磁场。样品杆前端有样品室,其内放置样品。样品随样品杆移动进出磁场,样品上粘贴的温度传感器采集温度变化信号。测量时需要采集不同温度点下的磁热效应,因此需要在不同温度点下反复进出磁场,测量样品时往往由于导热管内温度不均匀会引起测量误差。



技术实现要素:

本发明所解决的技术问题是提供一种低温磁热效应测量仪用导热装置,适用于液氮制冷的低温磁热效应测量仪,当带样品在管中移动时,样品的环境温度基本均匀,有利于提高测量精度。

技术方案如下:

一种低温磁热效应测量仪用导热装置,包括:液氮罐和导热管,导热管的端部连接在液氮罐的底部。

进一步,液氮罐的底部和导热管的端部分别连接在导热板两侧。

进一步,液氮罐采用金属材质,导热板和导热管采用铜质材料。

进一步,液氮罐一端封闭,另一端设置有开口,开口处设置有法兰,法兰设置有法兰通孔,开口处设置有密封盖,密封盖通过螺栓连接在法兰通孔。

进一步,液氮罐一端封闭,另一端设置有开口,在开口处设置一个密封旋盖。

进一步,导热板连接在液氮罐的封闭端,导热管一端开口处与导热板密闭连接。

本发明技术效果包括:

本发明适用于液氮制冷的低温磁热效应测量仪,当测量样品磁热效应时,样品在导热管移动,使得样品周围的环境温度基本保持均匀,有利于提高测量精度。

附图说明

图1是本发明中低温磁热效应测量仪用导热装置的结构示意图。

具体实施方式

以下描述充分地示出本发明的具体实施方案,以使本领域的技术人员能够实践和再现。

如图1所示,是本发明中低温磁热效应测量仪用导热装置的结构示意图。

低温磁热效应测量仪用导热装置结构包括:液氮罐1、导热板2、导热管3;液氮罐1的底部和导热管3的端部分别连接在导热板2两侧。

液氮罐1为金属材质,导热板2、导热管3的材质选用铜金属,通过导热板2将液氮的温度导出,将液氮的温度传递到导热管3上,在导热管3中形成基本均匀的冷的温度环境。

液氮罐1一端封闭,另一端设置有开口11,开口11处设置有法兰12,法兰设置有法兰通孔13。开口11处可以设置密封盖,密封盖通过螺栓连接在法兰通孔13处,通密封盖将液氮罐1形成一个密封的容器。或者在开口11处设置一个密封旋盖,通过密封旋盖将液氮罐1形成一个密封的容器。

导热板2连接在液氮罐1的封闭端,导热管3一端开口处与导热板2密闭连接。导热管3通过导热板2与上部液氮罐1紧密连接。

本发明作为低温磁热效应测量仪的组成部分,用于低温磁热效应测量,当测量材料磁热效应时,装有样品的样品杆在导热管3内移动,在样品周围环境温度基本保持均匀,有利于提高测量精度。该装置配套在真空状态下时,与其他用液氮冷却的装置相比,液氮消耗较小,有利于降低测量成本。

本发明所用的术语是说明和示例性、而非限制性的术语。由于本发明能够以多种形式具体实施而不脱离发明的精神或实质,所以应当理解,上述实施例不限于任何前述的细节,而应在随附权利要求所限定的精神和范围内广泛地解释,因此落入权利要求或其等效范围内的全部变化和改型都应为随附权利要求所涵盖。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种低温磁热效应测量仪用导热装置,包括:液氮罐和导热管,导热管的端部连接在液氮罐的底部。本发明适用于液氮制冷的低温磁热效应测量仪,当带样品在管中移动时,样品的环境温度基本均匀,有利于提高测量精度。

技术研发人员:金培育;黄焦宏;刘翠兰;程娟;张英德;闫宏伟;李兆杰;张成;戴默涵;王哲;王强;邓沅;徐卫东
受保护的技术使用者:包头稀土研究院;瑞科稀土冶金及功能材料国家工程研究中心有限公司
技术研发日:2019.04.08
技术公布日:2019.07.09
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