电容式真空规的膜片及其电容式真空规的制作方法

文档序号:34591055发布日期:2023-06-28 17:25阅读:63来源:国知局
电容式真空规的膜片及其电容式真空规的制作方法

本发明涉及真空规,尤其涉及一种电容式真空规的膜片及其电容式真空规。


背景技术:

1、真空规可用于检测气体或者液体的压力,实际使用过程中,会涉及到硫酸、硝酸、氢氯酸、氢溴酸、氢碘酸、高氯酸,氢氧化钠,二氧化硫、三氧化硫、二氧化氮等具有刻蚀性的物质,它们会造成真空规的测量隔膜被腐蚀掉,从而降低真空规的灵敏度,导致真空规失效,因此真空规具有抗刻蚀十分重要。目前的薄膜真空规管薄膜主要使用金属薄片,但是金属薄片应力比较低,容易产生机械疲劳,并且易被腐蚀。

2、在现有技术中,在专利(cn 107843385 a)中,采用三氧化二铝薄膜作为真空规管薄膜,能够极大提高薄膜的应力次数;三氧化二铝薄膜的表面镀金,可以有效地保证薄膜无漏气、无放气,外壳的材料为哈氏合金、镍铜合金,具有很好的耐蚀性能,能应用于苛刻的腐蚀环境中。但是,由于三氧化二铝的杨氏模量为370gpa,比常用的金属膜的杨氏模量大,在实际应用中,膜应变小,测试精度低,实际上是牺牲精度换取耐刻蚀性,况且,对三氧化二铝薄膜镀金,只能提高一定的耐刻蚀性,但是由于金能够被hf(氢氟酸)刻蚀,从而限制了实际应用。

3、在专利(cn 107976279 a)中,通过预先设置前级腔室,在前级腔室中设置前级隔膜,前级隔膜与测量隔膜之间形成压力传导腔,压力传导腔内填充有压力传导液。即使腐蚀性气体或高温气体造成前级隔膜损坏,位于前级腔室中也便于前级隔膜更换,不会影响到真空规隔膜。但是,采用牺牲前级隔膜保护真空规隔膜的方式,增加了工艺的复杂性,并增大了成本。

4、在专利(cn 107845459 a)中,采用蓝宝石材料的薄膜片作为可变电极,具有应力次数高和耐腐蚀的优点,但是采用蓝宝石材料制作薄膜片,增大了成本。


技术实现思路

1、本发明提供一种电容式真空规的膜片及其电容式真空规,用以解决现有技术中现有技术中真空规的隔膜应变小或抗刻蚀性差或成本高的缺陷,通过石英材质制作的膜片层作为隔膜,并在膜片层位于被测空间的一端设置抗刻蚀层,有效地提高了真空规的抗刻蚀性或防腐蚀性,并提高了膜片的应力次数,从而使真空规具有精度高、抗刻蚀性、寿命长、可重复使用、稳定性好及其实际应用广的特点,从而有效降低了真空规的成本。

2、本发明提供一种电容式真空规的膜片,包括:

3、膜片层,用于将真空规的内部空间分为真空空间和被测空间,所述膜片层的材质为石英材质;

4、抗刻蚀层,设置在所述膜片层远离固定电极的一端;

5、导电层,设置在所述膜片层靠近所述固定电极的一端,用于与真空规的电极柱电连接。

6、根据本发明提供的一种电容式真空规的膜片,所述抗刻蚀层质量比所述导电层的质量小5%,且所述抗刻蚀层的厚度小于所述膜片层的厚度。

7、根据本发明提供的一种电容式真空规的膜片,所述膜片层、所述抗刻蚀层和所述导电层的横截面形状和尺寸相一致。

8、根据本发明提供的一种电容式真空规的膜片,所述抗刻蚀层的材质为y2o3、al2o3、yf2、er2o3、gd2o、ruo2、tr2o3、zr2o3、aln、sic、si2n3、呋喃粉、金属、合金和不锈钢中的一种或多种。

9、根据本发明提供的一种电容式真空规的膜片,所述导电层的材质为金属或导电浆料。

10、根据本发明提供的一种电容式真空规的膜片,所述抗刻蚀层溅射或热熔或烧结或焊接在所述膜片层上。

11、根据本发明提供的一种电容式真空规的膜片,所述导电层溅射或热熔或烧结或焊接在所述膜片层上。

12、根据本发明提供的一种电容式真空规的膜片,所述膜片层的表面粗糙度小于或等于10μm。

13、根据本发明提供的一种电容式真空规的膜片,所述膜片层的弓高小于或等于10mm。

14、本发明还提供一种电容式真空规,包括隔膜,所述隔膜为如上述任意一项所述的电容式真空规的膜片。

15、本发明提供的电容式真空规的膜片及其电容式真空规,通过石英材质制作的膜片层作为隔膜,并在膜片层位于被测空间的一端设置抗刻蚀层,有效地提高了真空规的抗刻蚀性或防腐蚀性,并提高了膜片的应力次数,从而使真空规具有精度高、抗刻蚀性、寿命长、可重复使用、稳定性好及其实际应用广的特点,有效降低了真空规的成本。



技术特征:

1.一种电容式真空规的膜片,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电容式真空规的膜片,其特征在于,所述抗刻蚀层的质量比所述导电层的质量小5%,且所述抗刻蚀层的厚度小于所述膜片层的厚度。

3.根据权利要求1所述的电容式真空规的膜片,其特征在于,所述膜片层、所述抗刻蚀层和所述导电层的横截面形状和尺寸相一致。

4.根据权利要求1所述的电容式真空规的膜片,其特征在于,所述抗刻蚀层的材质为y2o3、al2o3、yf2、er2o3、gd2o、ruo2、tr2o3、zr2o3、aln、sic、si2n3、呋喃粉、金属、合金和不锈钢中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的电容式真空规的膜片,其特征在于,所述导电层的材质为金属或导电浆料。

6.根据权利要求1所述的电容式真空规的膜片,其特征在于,所述抗刻蚀层溅射或热熔或烧结或焊接在所述膜片层上。

7.根据权利要求1所述的电容式真空规的膜片,其特征在于,所述导电层溅射或热熔或烧结或焊接在所述膜片层上。

8.根据权利要求1所述的电容式真空规的膜片,其特征在于,所述膜片层的表面粗糙度小于或等于10μm。

9.根据权利要求1所述的电容式真空规的膜片,其特征在于,所述膜片层的弓高小于或等于10mm。

10.一种电容式真空规,其特征在于,包括隔膜,所述隔膜为如权利要求1-9任意一项所述的电容式真空规的膜片。


技术总结
本发明提供一种电容式真空规的膜片及其电容式真空规,包括膜片层、抗刻蚀层和导电层,膜片层用于将真空规的内部空间分为真空空间和被测空间,所述膜片层的材质为石英材质;抗刻蚀层设置在所述膜片层远离固定电极的一端;导电层设置在所述膜片层靠近所述固定电极的一端,用于与真空规的电极柱电连接。通过石英材质制作的膜片层作为隔膜,并在膜片层位于被测空间的一端设置抗刻蚀层,有效地提高了真空规的抗刻蚀性或防腐蚀性,并提高了膜片的应力次数,从而使真空规具有精度高、抗刻蚀性、寿命长、可重复使用、稳定性好及其实际应用广的特点,有效降低了真空规的成本。

技术研发人员:曹文静,林立男,姜浩延,张琳琳,陶硕,廖兴才
受保护的技术使用者:北京晨晶电子有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/13
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