校正装置及校正方法与流程

文档序号:34912980发布日期:2023-07-27 22:20阅读:28来源:国知局
校正装置及校正方法与流程

本公开涉及半导体,尤其涉及一种校正装置及校正方法。


背景技术:

1、在半导体结构的制程工艺中,需要对不同制程中的半导体结构进行刻蚀。刻蚀技术可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀,且刻蚀技术是半导体制造工艺、微电子制造工艺以及微纳米级制造工艺中的重要步骤。

2、而在对半导体结构进行刻蚀过程中,需要对边缘环和静电卡盘之间的相对间距进行校正调整。

3、目前对边缘环的校正调整方式中包括通过目测方式放置边缘环,并利用游标卡尺等对边缘环的边缘与静电卡盘的边缘之间的相对间距进行测量,从而对边缘环的位置进行校正调整。

4、但上述边缘环的相对位置的校正调整的方式存在测量误差,从而使得后续半导体结构的关键尺寸不易控制,进而降低了半导体结构的性能和良率。


技术实现思路

1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

2、本公开提供一种校正装置及校正方法。

3、本公开实施例的第一方面提供了一种校正装置,用于校正半导体设备的边缘环与功能器件之间的相对位置,所述校正装置包括:多个支撑杆,所述多个支撑杆的一端的位置相对固定,所述多个支撑杆的另一端分别安装在所述功能器件的多个安装孔中,所述支撑杆相对所述功能器件倾斜设置;

4、多个检测装置,所述检测装置设置于所述支撑杆上,所述检测装置与所述支撑杆一一对应设置,所述检测装置用于检测所述检测装置与所述边缘环之间的第一距离信息;

5、控制器,分别与所述多个检测装置电连接。

6、根据本公开的一些实施例,所述检测装置包括检测单元,所述检测单元能够相对所述支撑杆转动,所述检测单元用于检测所述检测单元与所述边缘环之间的第一距离信息。

7、根据本公开的一些实施例,所述检测单元包括激光测距传感器。

8、根据本公开的一些实施例,所述检测装置还包括显示单元,所述显示单元与所述检测单元通信连接;

9、所述显示单元用于显示所述第一距离信息。

10、根据本公开的一些实施例,所述多个支撑杆与所述功能器件之间形成的夹角均相同。

11、根据本公开的一些实施例,所述多个支撑杆的远离所述功能器件的一端具有交点;或者,

12、所述多个支撑杆的远离所述功能器件的一端的延伸线具有交点;或者,

13、所述多个支撑杆位于所述功能器件上的正投影具有中点。

14、根据本公开的一些实施例,所述交点或中点位于经过所述功能器件的中心点的垂线上。

15、根据本公开的一些实施例,所述校正装置还包括固定件,所述固定件用于固定多个所述支撑杆的远离所述功能器件的一端。

16、根据本公开的一些实施例,所述固定件包括固定座,所述固定座上设有多个插接孔,其中,所述多个支撑杆的一端分别插接于多个所述插接孔内。

17、根据本公开的一些实施例,所述校正装置还包括多个锁紧件,所述支撑杆通过所述锁紧件固定于所述固定座上。

18、根据本公开的一些实施例,所述支撑杆的个数至少为三个。

19、本公开的第二方面提供了一种校正方法,应用于如上所述的校正装置,所述校正方法包括:

20、获取各所述检测装置检测到的第一距离信息,所述第一距离信息用于表征各所述检测装置到所述边缘环之间的距离;

21、获取每个支撑杆的第二距离信息,所述第二距离信息用于表征所述支撑杆的两个端部与功能器件之间的几何位置关系;

22、根据所述第一距离信息和所述第二距离信息,确定所述支撑杆所在区域内所述功能器件与所述边缘环之间的相对间距;

23、根据各所述相对间距之间的差值,对所述边缘环的位置进行调整。

24、根据本公开的一些实施例,所述根据各所述相对间距之间的差值,对所述边缘环的位置进行调整,包括:

25、当所述差值超出预设阈值范围时,调整所述边缘环的位置。

26、根据本公开的一些实施例,所述获取每个支撑杆的第二距离信息,所述第二距离信息用于表征所述支撑杆的两个端部与功能器件之间的几何位置关系,包括:

27、获取第一长度,所述第一长度用于表征所述检测装置与所述功能器件上的安装孔之间的距离;

28、获取所述支撑杆的倾斜角度,所述倾斜角度用于表征所述支撑杆与所述功能器件之间的锐角;

29、获取第二长度,所述第二长度用于表征所述安装孔与所述功能器件边缘的距离。

30、根据本公开的一些实施例,所述根据所述第一距离信息和所述第二距离信息,确定所述支撑杆所在区域内所述功能器件与所述边缘环之间的相对间距,包括:

31、根据所述第一距离信息、所述第一长度、所述倾斜角度、所述第二长度,确定所述相对间距。

32、本公开实施例所提供的校正装置和校正方法中,在每个支撑杆上设置一个检测装置,利用检测装置,获取该检测装置与边缘环的边缘位置的第一距离信息,而后通过多个第一距离信息的对比,对边缘环的相对位置进行校正,有效提高了测量精度,进而保证半导体结构关键尺寸的一致性,并提高半导体结构的良率。

33、在阅读并理解了附图和详细描述后,可以明白其他方面。



技术特征:

1.一种校正装置,其特征在于,用于校正半导体设备的边缘环与功能器件之间的相对位置,所述校正装置包括:多个支撑杆,所述多个支撑杆的一端的位置相对固定,所述多个支撑杆的另一端分别安装在所述功能器件的多个安装孔中,所述支撑杆相对所述功能器件倾斜设置;

2.根据权利要求1所述的校正装置,其特征在于,所述检测装置包括检测单元,所述检测单元能够相对所述支撑杆转动,所述检测单元用于检测所述检测单元与所述边缘环之间的第一距离信息。

3.根据权利要求2所述的校正装置,其特征在于,所述检测单元包括激光测距传感器。

4.根据权利要求2所述的校正装置,其特征在于,所述检测装置还包括显示单元,所述显示单元与所述检测单元通信连接;

5.根据权利要求1所述的校正装置,其特征在于,所述多个支撑杆与所述功能器件之间形成的夹角均相同。

6.根据权利要求1所述的校正装置,其特征在于,所述多个支撑杆的远离所述功能器件的一端具有交点;或者,

7.根据权利要求6所述的校正装置,其特征在于,所述交点或中点位于经过所述功能器件的中心点的垂线上。

8.根据权利要求1所述的校正装置,其特征在于,所述校正装置还包括固定件,所述固定件用于固定多个所述支撑杆的远离所述功能器件的一端。

9.根据权利要求8所述的校正装置,其特征在于,所述固定件包括固定座,所述固定座上设有多个插接孔,其中,所述多个支撑杆的一端分别插接于多个所述插接孔内。

10.根据权利要求9所述的校正装置,其特征在于,所述校正装置还包括多个锁紧件,所述支撑杆通过所述锁紧件固定于所述固定座上。

11.根据权利要求1-10任一项所述的校正装置,其特征在于,所述支撑杆的个数至少为三个。

12.一种校正方法,其特征在于,应用于如权利要求1-11任一项所述的校正装置,所述校正方法包括:

13.根据权利要求12所述的校正方法,其特征在于,所述根据各所述相对间距之间的差值,对所述边缘环的位置进行调整,包括:

14.根据权利要求12所述的校正方法,其特征在于,所述获取每个支撑杆的第二距离信息,所述第二距离信息用于表征所述支撑杆的两个端部与功能器件之间的几何位置关系,包括:

15.根据权利要求14所述的校正方法,其特征在于,所述根据所述第一距离信息和所述第二距离信息,确定所述支撑杆所在区域内所述功能器件与所述边缘环之间的相对间距,包括:


技术总结
本公开提供了一种校正装置及校正方法,涉及半导体技术领域。该校正装置用于校正半导体设备的边缘环与功能器件之间的相对位置,校正装置包括:支撑杆、检测装置和控制器,多个支撑杆的一端相对固定,另一端分别安装在功能器件的多个安装孔中,支撑杆倾斜设置;多个检测装置一一对应置设在多个支撑杆上,检测装置用于检测检测装置与边缘环之间的第一距离信息;控制器分别与多个检测装置电连接。本公开通过每个支撑杆上的检测装置进行检测,获取该检测装置与边缘环之间的第一距离信息,而后通过多个第一距离信息完成对边缘环的位置校正,有效提高了测量精度,进而保证半导体结构关键尺寸的一致性,有效提高半导体结构的良率。

技术研发人员:董帮亮,汪兵
受保护的技术使用者:长鑫存储技术有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/13
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