半导体器件的衬底端识别方法及装置与流程

本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件的衬底端识别方法及装置。

背景技术：

1、在对半导体器件进行测试的过程中，需要先确定半导体器件的端口，进而根据所确定的端口，进一步对半导体器件进行后续电性测试。

2、现有技术中，由于半导体器件的根据漏极端或者源极端可以分别与衬底端之间形成pn结，则当确定半导体器件的漏极端或者源极端等端口后，可以通过确定漏极端或者源极端与待识别的衬底端之间具有的pn结特性，来确定该待识别的衬底端为半导体器件的衬底端。

3、但是，采用现有技术，当两个半导体器件相邻设置时，一个半导体器件的漏极端或者源极端，还可以与另一个半导体器件的衬底端之间形成pn结，而通过pn结特性确定半导体器件的衬底端时，会将一个半导体器件的衬底端错误地识别为另一个半导体器件的衬底端，进而影响后续进行的电性测试的结果。因此，如何更加准确地识别半导体器件的衬底端，是本领域需要解决的技术问题。

技术实现思路

1、本公开提供一种半导体器件的衬底端识别方法，用于解决现有技术中识别半导体器件的衬底端存在错误而不准确的问题。

2、本公开第一方面提供一种半导体器件的衬底端识别方法，包括：当向所述半导体器件的漏极端输入第一电压、源极端接地、栅极端输入第二电压、向待识别的衬底端输入第三电压时，确定所述半导体器件的第一临限电压，以及所述第二电压在预设区间变化时，所述半导体器件的漏极端的第一漏极电流；当向所述半导体器件的漏极端输入所述第一电压、源极端接地、栅极端输入所述第二电压、向待识别的衬底端输入第四电压时，确定所述半导体器件的第二临限电压，以及所述第二电压在所述预设区间变化时，所述半导体器件的漏极端的第二漏极电流；当所述第一临限电压、所述第二临限电压、所述第一漏极电流和所述第二漏极电流满足第一预设条件，确定所述待识别的衬底端为所述半导体器件的衬底端。

3、在本公开第一方面一实施例中，所述第一预设条件包括：所述第一临限电压与所述第二临限电压不同；当所述第二电压在所述半导体器件的线性区内变化，所述第一漏极电流于所述第二漏极电流不同。

4、在本公开第一方面一实施例中，所述第一预设条件包括：所述第一临限电压与所述第二临限电压之差大第一阈值；当所述第二电压在所述半导体器件的线性区内变化，所述第一漏极电流与所述第二漏极电流之差大于第二阈值。

5、在本公开第一方面一实施例中，所述第三电压为0v；所述第四电压的绝对值大于所述第三电压且小于1v。

6、在本公开第一方面一实施例中，所述半导体器件包括：衬底为第一类型的金氧半场效晶体管mosfet。

7、在本公开第一方面一实施例中，还包括：获取半导体版图的图像，所述半导体版图包括所述半导体器件；根据所述图像，确定所述半导体器件的漏极端、源极端、栅极端和多个待识别的衬底端；依次确定每个所述衬底端是否为所述半导体器件的衬底端。

8、在本公开第一方面一实施例中，还包括：当所述图像中，两个衬底端之间的区域内的器件符合第二预设条件，确定所述两个衬底端之间的区域包括第二类型阱。

9、在本公开第一方面一实施例中，所述第二预设条件包括：所述两个衬底端之间的区域内，包括至少一排器件，每一排器件包括类型相同的至少两个器件。

10、本公开第二方面提供一种半导体器件的衬底端识别装置，包括：获取模块，用于当向所述半导体器件的漏极端输入第一电压、源极端接地、栅极端输入第二电压、向待识别的衬底端输入第三电压时，确定所述半导体器件的第一临限电压，以及所述第二电压在预设区间变化时，所述半导体器件的漏极端的第一漏极电流；当向所述半导体器件的漏极端输入所述第一电压、源极端接地、栅极端输入所述第二电压、向待识别的衬底端输入第四电压时，确定所述半导体器件的第二临限电压，以及所述第二电压在所述预设区间变化时，所述半导体器件的漏极端的第二漏极电流；识别模块，用于判断所述第一临限电压、所述第二临限电压、所述第一漏极电流和所述第二漏极电流是否满足预设条件，当所述第一临限电压、所述第二临限电压、所述第一漏极电流和所述第二漏极电流满足预设条件，确定所述待识别的衬底端为所述半导体器件的衬底端。

11、在本公开第二方面一实施例中，所述第一预设条件包括：所述第一临限电压与所述第二临限电压不同；当所述第二电压在所述半导体器件的线性区内变化，所述第一漏极电流于所述第二漏极电流不同。

12、在本公开第二方面一实施例中，所述第一预设条件包括：所述第一临限电压与所述第二临限电压之差大第一阈值；当所述第二电压在所述半导体器件的线性区内变化，所述第一漏极电流与所述第二漏极电流之差大于第二阈值。

13、在本公开第二方面一实施例中，所述第三电压为0v；所述第四电压的绝对值大于所述第三电压且小于1v。

14、在本公开第二方面一实施例中，所述半导体器件包括：衬底为第一类型的金氧半场效晶体管mosfet。

15、在本公开第二方面一实施例中，还包括：图像采集模块，用于获取半导体版图的图像，所述半导体版图包括所述半导体器件；图像识别模块，用于根据所述图像，确定所述半导体器件的漏极端、源极端、栅极端和多个待识别的衬底端；所述识别模块还用于，依次确定每个所述衬底端是否为所述半导体器件的衬底端。

16、在本公开第二方面一实施例中，所述识别模块还用于，当所述图像中，两个衬底端之间的区域内的器件符合第二预设条件，确定所述两个衬底端之间的区域包括第二类型阱。

17、在本公开第二方面一实施例中，所述第二预设条件包括：所述两个衬底端之间的区域内，包括至少一排器件，每一排器件包括至少两个器件，且至少两个器件的类型相同。

18、综上，本公开提供的半导体器件的衬底端识别方法及装置，基于半导体器件的基体效应，在向待识别的衬底端加入偏压和不加入偏压的两种测试情况下，对得到的临限电压和漏极电流进行比较，并根据当前半导体器件是否存在基体效应进行判断，从而确定能够让半导体器件出现基体效应的待识别的衬底端为该半导体器件的衬底端。进而能够消除了相关技术中使用pn结特性确定半导体器件的衬底端时可能发生的错误识别，提高了半导体器件的衬底端识别的准确率，保证了后续对半导体器件进行电性测试的有效性。

技术特征：

1.一种半导体器件的衬底端识别方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设条件包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设条件包括：

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二预设条件包括：

9.一种半导体器件的衬底端识别装置，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述第一预设条件包括：

11.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述第一预设条件包括：

12.根据权利要求10或11所述的装置，其特征在于，

13.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，

14.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，还包括：

15.根据权利要求14所述的装置，其特征在于，所述识别模块还用于，

16.根据权利要求15所述的装置，其特征在于，所述第二预设条件包括：

技术总结
本公开提供一种半导体器件的衬底端识别方法及装置，基于半导体器件的基体效应，在向待识别的衬底端加入偏压和不加入偏压的两种测试情况下，对得到的临限电压和漏极电流进行比较，并根据当前半导体器件是否存在基体效应进行判断，从而确定能够让半导体器件出现基体效应的待识别的衬底端为该半导体器件的衬底端，提高了半导体器件的衬底端识别的准确率，保证了后续对半导体器件进行电性测试的有效性。

技术研发人员：白新
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15