输入传感器短路检查方法与流程

1.一个或多个实施例总体上涉及输入传感器短路检查模块和使用输入传感器短路检查模块的输入传感器短路检查方法，并且更具体地，涉及能够检测微短路的输入传感器短路检查模块和使用输入传感器短路检查模块的输入传感器短路检查方法。


背景技术：

2.正在开发各种显示模块以用于诸如电视、移动电话、平板计算机、导航装置、智能手表和游戏控制台等的多媒体装置(或与该多媒体装置一起使用)。传统的显示模块通常包括像素和驱动电路。另外，显示模块可以包括识别用户的触摸的输入传感器和用于输入传感器的驱动电路。
3.在本部分中公开的上述信息仅用于理解本发明构思的背景，并且因此可能包含不形成现有技术的信息。


技术实现要素：

4.一个或多个实施例提供了一种在驱动电路中的能够检测输入传感器的微短路的短路检查模块。
5.一个或多个实施例提供了一种能够检测输入传感器的微短路的短路检查方法。
6.根据实施例，一种输入传感器短路检查方法包括：设定用于检测包括多个电极的输入传感器的短路的检查频率；在检查模式下，以设定的所述检查频率驱动所述输入传感器；以及在所述检查模式下，基于在所述输入传感器的所述多个电极之中的相邻电极之间充电的电容来检测所述输入传感器的所述短路。
7.根据实施例，一种输入传感器短路检查模块包括频率设定器、传感器驱动器和短路检测器。所述频率设定器配置为设定用于检测输入传感器的短路的检查频率。所述输入传感器包括多个电极。所述传感器驱动器配置为在检查模式下，以所述检查频率驱动所述输入传感器。所述短路检测器配置为在所述检查模式下，基于在所述多个电极之中的相邻电极之间充电的电容来检测所述短路。
8.根据实施例，一种设备包括至少一个处理器和至少一个存储器，所述至少一个存储器包括一个或多个系列的一个或多个指令，所述一个或多个系列的一个或多个指令响应于由所述至少一个处理器执行而使所述设备至少：设定用于检测输入传感器的短路的检查频率，所述输入传感器包括多个电极；在检查模式下，以设定的所述检查频率驱动所述输入传感器；以及在所述检查模式下，基于在所述多个电极之中的相邻电极之间充电的电容来检测所述输入传感器的所述短路。
9.前面的总体描述和下面的详细描述是说明性的和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的主题的进一步解释。
附图说明
10.包括附图以提供对根据本发明构思的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明构思的实施例，并且与描述一起用于解释本发明构思的原理。
11.图1是根据实施例的显示装置的组合透视图。
12.图2a是根据实施例的显示装置的分解透视图。
13.图2b是根据实施例的图2a的显示装置的沿着剖切线i-i'截取的剖视图。
14.图2c是根据实施例的图2a的显示装置的沿着剖切线ii-ii'截取的剖视图。
15.图3是根据实施例的显示面板的平面图。
16.图4是根据实施例的输入传感器的平面图。
17.图5a和图5b是示出根据实施例的输入传感器的检查模式的图。
18.图6是示出根据实施例的输入传感器的短路检查模块的框图。
19.图7是示出根据实施例的输入传感器的短路检查方法的流程图。
20.图8是示出根据实施例的输入传感器的短路检测操作的流程图。
21.图9是示出根据实施例的输入传感器的短路检查结果的曲线图。
具体实施方式
22.在以下描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种实施例的透彻理解。如在此使用的，术语“实施例”和“实施方式”可以互换使用，并且是采用在此公开的一个或多个本发明构思的非限制性示例。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或者具有一个或多个等效布置的情况下实践各种实施例。在其他情况中，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免不必要地模糊各种实施例。此外，各种实施例可以是不同的，但不必是排他的。例如，在不脱离本发明构思的情况下，可以在另一实施例中使用或实现实施例的特定形状、配置和特性。
23.除非另有说明，否则所示实施例将被理解为提供一些实施例的变化细节的示例特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离本发明构思的情况下，可以另外组合、分离、互换和/或重新布置各种图示的特征、组件、模块、层、膜、面板、区、方面等(在下文中，单独地或共同地称为“元件”或“多个元件”)。
24.通常在附图中提供交叉影线和/或阴影的使用以阐明相邻元件之间的边界。因此，除非指明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。因此，相应元件的尺寸和相对尺寸不一定限于附图中所示的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实现实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，可以基本同时执行两个连续描述的工艺或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外，相同的附图标记表示相同的元件。
25.当诸如层的元件被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件时，它可以直接在所述另一元件上、直接连接到或直接耦接到所述另一元件，或者可以存在居间元件。然而，当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件
时，不存在居间元件。用于描述元件之间的关系的其他术语和/或短语(例如，“在
……
之间”与“直接在
……
之间”、“与
……
相邻”与“与
……
直接相邻”、“在
……
上”与“直接在
……
上”等)应当以类似的方式进行解释。此外，术语“连接”可以指物理连接、电连接和/或流体连接。另外，第一方向dr1、第二方向dr2和第三方向dr3不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更宽泛的含义进行解释。例如，第一方向dr1、第二方向dr2和第三方向dr3可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“x、y和z中的至少一个(种/者)”和“选自由x、y和z组成的组中的至少一个(种/者)”可以被解释为仅x、仅y、仅z，或者x、y和z中的两个(种/者)或更多个(种/者)的任何组合(诸如以xyz、xyy、yz和zz为例)。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任何组合和所有组合。
26.尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
27.为了描述的目的，可以在此使用诸如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“在
……
下面”、“下”、“在
……
上方”、“上”、“在
……
之上”、“高于”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，并且从而描述如附图中所示的一个元件与另一个(多个)元件的关系。除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在还涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，术语“在
……
下方”可以涵盖在
……
上方和在
……
下方两种方位。此外，设备可以另外定向(例如，旋转90度或在其他方位处)，并且因此，在此使用的空间相对术语被相应地解释。
28.在此使用的术语是为了描述一些实施例的目的，而不旨在进行限制。如在此使用的，单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式，除非上下文另有明确说明。此外，当在本说明书中使用术语“包括”、“包含”、“含有”和/或“具有”时，说明存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还要注意的是，如在此使用的，术语“基本”、“大约”和其他类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且因此用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
29.在此参考作为理想化实施例和/或中间结构的示意性图示的剖视图、等距视图、透视图、平面图和/或分解图来描述各种实施例。因此，将预期由于例如制造技术和/或公差而导致的图示的形状的变化。因此，在此公开的实施例不应被解释为限于特定示出的区的形状，而是包括由例如制造引起的形状偏差。为此，附图中所示的区本质上可以是示意性的，并且这些区的形状可能不反映装置的区的实际形状，并且因此不旨在进行限制。
30.除非另有定义，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的领域中的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与其在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的意义进行解释，除非在此明确地如此定义。
31.按照本领域中的惯例，在附图中根据功能块、单元和/或模块描述和示出了一些实施例。本领域技术人员将理解的是，这些块、单元和/或模块由电子(或光学)电路(诸如逻辑电路、分立组件、微处理器、硬布线电路、存储元件和布线连接等)物理地实现，这些电子(或
光学)电路可以使用基于半导体的制造技术或其他制造技术形成。在块、单元和/或模块由微处理器或其他类似硬件实现的情况下，它们可以使用软件(例如，微代码)来编程和控制以执行在此讨论的各种功能，并且可以可选地由固件和/或软件驱动。还预期的是，每一个块、单元和/或模块可以由专用硬件实现，或者作为用于执行一些功能的专用硬件和用于执行其他功能的处理器(例如，一个或多个编程的微处理器和相关电路)的组合来实现。此外，在不脱离本发明构思的情况下，一些实施例的每一个块、单元和/或模块可以物理地分离成两个或更多个相互作用和离散的块、单元和/或模块。此外，在不脱离本发明构思的情况下，一些实施例的块、单元和/或模块可以物理地组合成更复杂的块、单元和/或模块。
32.在下文中，将参考附图详细地解释各种实施例。
33.图1是根据实施例的显示装置dd的组合透视图。
34.参照图1，显示装置dd可以具有包括平行于第一方向dr1的短边和平行于第二方向dr2的长边的矩形形状。然而，显示装置dd的形状不限于此。
35.图1示出了显示装置dd是智能电话，但是实施例不限于此。例如，显示装置dd可以包括(或是)诸如电视、监视器等的大型显示装置或者诸如平板计算机、汽车导航系统、智能手表、游戏控制台等的小型或中型显示装置。
36.如图1中所示，显示装置dd可以包括与第一方向dr1和第二方向dr2中的每一者平行的显示表面is。显示表面is可以朝向第三方向dr3显示图像im。其上显示图像im的显示表面is可以对应于显示装置dd的前表面。
37.在一些实施例中，基于其中显示图像im的第三方向dr3来限定每一个构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)。前表面和后表面可以在第三方向dr3上彼此背对，并且前表面和后表面中的每一者的法线方向可以平行于第三方向dr3。
38.第三方向dr3上的前表面和后表面之间的距离可以对应于显示装置dd的在第三方向dr3上的厚度。由第一方向dr1、第二方向dr2和第三方向dr3指示的方向是相对概念，并且可以改变为不同的方向。
39.显示装置dd的显示表面is可以被划分为多个区域。显示装置dd的显示表面is可以被划分为透明区域ta和边框区域bza。
40.透明区域ta可以是其中显示图像im的区域，并且用户通过透明区域ta识别图像im。尽管透明区域ta被示出为具有带有被倒圆的顶点的矩形形状，但是实施例不限于此。例如，透明区域ta可以具有各种形状，并且不限于任何一个实施例。如图所示，作为示例，透明区域ta具有带有被倒圆的顶点的矩形形状，并且如前所述，透明区域ta可以具有各种形状，并且不限于任何一个实施例。
41.边框区域bza是与透明区域ta相邻的区域，并且是其中不显示图像im的区域。边框区域bza可以具有给定的颜色。边框区域bza可以围绕透明区域ta。因此，透明区域ta的形状可以由边框区域bza限定；然而，实施例不限于此。例如，边框区域bza可以仅与透明区域ta的一侧相邻设置，或者可以被省略。
42.根据一些实施例的显示装置dd可以感测从外部施加的用户输入tc。用户输入tc可以包括各种类型的外部输入，诸如用户的身体的一部分、光、热、笔和/或压力等。如图1中所见，用户输入tc被示出为施加到前表面的用户的手指。然而，这是通过示例的方式示出的，并且如上所述，可以以各种类型提供用户输入tc。另外，显示装置dd可以依据显示装置dd的
结构感测施加到显示装置dd的侧表面edc或后表面的用户输入tc，但是同样地，实施例不限于此。
43.显示装置dd可以激活显示表面is以显示图像im并且可以感测(例如，同时感测)用户输入tc。示出了在显示图像im的透明区域ta中提供用于感测用户输入tc的区域，然而，这是通过示例的方式示出的。例如，可以在边框区域bza、显示表面is的所有区域或任何其他合适的布置中提供用于感测用户输入tc的区域。
44.图2a是根据实施例的显示装置dd的分解透视图。图2b是根据实施例的图2a的显示装置dd的沿着剖切线i-i'截取的剖视图。图2c是根据实施例的图2a的显示装置dd的沿着剖切线ii-ii'截取的剖视图。
45.参照图2a和图2b，显示装置dd可以包括窗wm、防反射膜rpp、显示模块dm、柔性电路膜fcb和功能层fl。
46.窗wm可以设置在显示模块dm上。窗wm可以从外部保护显示模块dm。窗wm可以包括光学透明绝缘材料。因此，用户可以通过窗wm容易地识别经由显示模块dm生成的图像(例如，图1中所示的图像im)。窗wm传输来自显示模块dm的图像，并且减轻外部冲击，从而防止显示模块dm由于外部冲击而损坏或出故障。外部冲击是可以表示为压力、应力等的来自外部的力，并且指另外有可能导致显示模块dm的缺陷的力。
47.在实施例中，窗wm可以包括玻璃和合成树脂中的至少一种。例如，窗wm可以包括玻璃、聚酰亚胺(pi)和聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)中的至少一种。例如，窗wm可以是薄玻璃或合成树脂膜。
48.窗wm可以具有多层结构或单层结构。例如，窗wm可以包括用粘合剂结合的多个合成树脂膜或者用粘合剂结合的玻璃基底和合成树脂膜。窗wm可以由柔性材料制成。
49.例如，窗wm可以包括用于限定边框区域bza的光阻挡图案wbm。光阻挡图案wbm可以是有色有机层，并且可以例如通过涂覆方法形成。
50.在实施例中，用于阻挡外部光反射的防反射膜rpp可以设置在显示模块dm和窗wm之间。
51.第二粘合膜af2可以设置在窗wm和防反射膜rpp之间。第二粘合膜af2可以包括光学透明粘合剂(oca)膜、光学透明树脂(ocr)膜和压敏粘合剂(psa)膜中的至少一种；然而，实施例不限于此。
52.防反射膜rpp可以防止(或减少)由于通过显示装置dd的前表面入射的外部光而从外部视觉上识别到构成显示模块dm的元件的问题。防反射膜rpp可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以是膜型或液晶涂层型，并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型或液晶涂层型。膜型可以包括拉伸的合成树脂膜，并且液晶涂层型可以包括以给定布置(given arrangement)所布置的液晶。延迟器和偏振器可以实现为一个偏振膜。还可以在防反射膜rpp上或下方设置保护膜。
53.防反射膜rpp可以设置在显示模块dm上。第一粘合膜af1可以设置在显示模块dm和防反射膜rpp之间。第一粘合膜af1可以包括光学透明粘合剂(oca)膜、光学透明树脂(ocr)膜和压敏粘合剂(psa)膜中的至少一种，但是实施例不限于此。
54.显示模块dm包括显示面板dp和输入传感器isp。显示面板dp可以生成图像im，并且输入传感器isp可以感测从外部施加的外部输入(诸如图1中所示的用户输入tc)。外部输入
可以是用户输入，并且可以包括例如诸如用户身体的一部分、光、热、笔和/或压力等的各种类型的输入。
55.根据实施例的显示面板dp可以是发光显示面板，但不受特别限制。例如，显示面板dp可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包括有机发光材料，并且量子点发光显示面板的发光层可以包括量子点、量子棒等。在下文中，显示面板dp将被描述为有机发光显示面板。
56.输入传感器isp可以设置在显示面板dp上。在实施例中，输入传感器isp可以直接设置在显示面板dp上。例如，输入传感器isp可以通过连续工艺形成在显示面板dp上。为了本公开的目的，短语“直接设置在
……
上”或“在
……
上直接设置”可以被理解为第三组件不设置在输入传感器isp和显示面板dp之间。
57.然而，实施例不限于上述配置。例如，可以在输入传感器isp和显示面板dp之间设置粘合膜。在这种情况下，输入传感器isp不是通过与显示面板dp连续的工艺制造的，而是通过与显示面板dp分开的工艺制造的，并且然后可以设置在例如显示面板dp的上表面上，并通过粘合膜与显示面板dp的上表面耦接。
58.图2c示出了根据实施例的显示模块dm的示例的剖视图。作为示例，示出了显示模块dm包括显示面板dp和直接设置在显示面板dp上的输入传感器isp，但是实施例不限于此。
59.参照图2c，显示面板dp可以包括基体层bl、电路层dp-cl、发光装置层dp-oled和封装层tfl。
60.基体层bl可以提供基体表面，电路层dp-cl设置在该基体表面上。基体层bl可以包括合成树脂层。基体层bl可以具有多层结构。例如，基体层bl可以具有合成树脂层、粘合层和合成树脂层的三层结构。例如，合成树脂层可以是聚酰亚胺类树脂层，但是合成树脂层的材料不被特别限制。合成树脂层可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。附加地或可选地，基体层bl可以包括玻璃基底或有机/无机复合材料基底。
61.电路层dp-cl可以设置在基体层bl上。电路层dp-cl可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线。通过诸如涂覆或沉积的方法在基体层bl上形成绝缘层、半导体层和导电层，并且然后，可以通过多个光刻工艺选择性地图案化绝缘层、半导体层和导电层。此后，可以形成包括在电路层dp-cl中的半导体图案、导电图案和信号线。
62.在基体层bl的上表面上形成至少一个无机层。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。无机层可以形成为多个层。多个无机层可以构成屏障层和/或缓冲层。缓冲层bfl可以改善基体层bl和半导体图案之间的结合力。缓冲层bfl可以包括氧化硅层和氮化硅层中的至少一者。在一些实施例中，氧化硅层和氮化硅层可以交替地堆叠以形成缓冲层bfl。尽管电路层dp-cl被示出为包括缓冲层bfl，但是实施例不限于此，并且可以省略缓冲层bfl。
63.半导体图案可以设置在缓冲层bfl上。半导体图案可以包括多晶硅；然而，实施例不限于此。例如，半导体图案可以包括非晶硅或金属氧化物。
64.图2c仅示出了一些半导体图案，并且其他半导体图案可以进一步设置在其他区域中。半导体图案可以以限定的布置跨像素布置。半导体图案可以根据其是否被掺杂而具有
不同的电性质。半导体图案可以包括具有高导电率的第一区和具有低导电率的第二区。第一区可以掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂。p型晶体管包括掺杂有p型掺杂剂的掺杂区。第二区可以是非掺杂区，或者可以相比第一区以更低的浓度被掺杂。
65.第一区具有比第二区的导电率大的导电率，并且充当电极或信号线的作用。第二区可以对应于晶体管的有源区(或沟道区)。因此，半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区，并且半导体图案的其他部分可以是晶体管的源极区或漏极区。
66.多个像素中的每一个可以具有包括例如七个晶体管、一个电容器和发光装置的等效电路，但是可以以各种形式修改像素的等效电路。图2c示出包括在像素中的一个晶体管tr和发光装置ed。
67.晶体管tr的源极区sr、沟道区chr和漏极区dr可以由半导体图案形成。在剖视图中，源极区sr和漏极区dr可以自沟道区chr(或沟道区chr的相对两侧)提供在相反的方向上。图2c示出了电路线scl的与半导体图案设置在同一层上的部分。虽然未单独示出，但是电路线scl可以在平面上电连接到晶体管tr。
68.第一绝缘层il1可以设置在缓冲层bfl上。第一绝缘层il1可以公共地与多个像素重叠，并且可以覆盖半导体图案。第一绝缘层il1可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层或多层结构。第一绝缘层il1可以包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种的材料。在一些实施例中，第一绝缘层il1可以是形成为氧化硅层的单层。和第一绝缘层il1一样，稍后将描述的电路层dp-cl的绝缘层可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层或多层结构。无机层可以包括上述材料中的至少一种，但不限于此。
69.晶体管tr的栅极ge设置在第一绝缘层il1上。栅极ge可以是金属图案的一部分。栅极ge与沟道区chr重叠。在掺杂半导体图案的工艺中，栅极ge可以用作掩模。
70.第二绝缘层il2设置在第一绝缘层il1上，并且可以覆盖栅极ge。第二绝缘层il2可以公共地与多个像素重叠。第二绝缘层il2可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层或多层结构。在一些实施例中，第二绝缘层il2可以是形成为氧化硅层的单层。
71.第三绝缘层il3可以设置在第二绝缘层il2上，并且在一些实施例中，第三绝缘层il3可以是形成为氧化硅层的单层。第一连接电极cne1可以设置在第三绝缘层il3上。第一连接电极cne1可以通过穿过第一绝缘层il1、第二绝缘层il2和第三绝缘层il3的接触孔cnt1连接到电路线scl。
72.第四绝缘层il4可以设置在第三绝缘层il3上，并且可以覆盖第一连接电极cne1。第四绝缘层il4可以是形成为氧化硅层的单层。
73.第五绝缘层il5可以设置在第四绝缘层il4上。第五绝缘层il5可以是有机层。
74.第二连接电极cne2可以设置在第五绝缘层il5上。第二连接电极cne2可以通过穿过第四绝缘层il4和第五绝缘层il5的接触孔cnt2连接到第一连接电极cne1。
75.第六绝缘层il6设置在第五绝缘层il5上，并且可以覆盖第二连接电极cne2。第六绝缘层il6可以是有机层。
76.发光装置层dp-oled可以设置在电路层dp-cl上。发光装置层dp-oled可以包括发光装置ed。例如，发光装置层dp-oled可以包括有机发光材料、量子点、量子棒和/或微led。发光装置ed可以包括第一电极ae、发射层el和第二电极ce。
77.第一电极ae可以设置在第六绝缘层il6上。第一电极ae可以通过穿过第六绝缘层il6的接触孔cnt3连接到第二连接电极cne2。
78.像素限定层il7设置在第六绝缘层il6上，并且可以覆盖第一电极ae的一部分。在像素限定层il7中限定开口op7。像素限定层il7的开口op7暴露第一电极ae的至少一部分。在一些实施例中，发射区域pxa被限定为与第一电极ae的由开口op7暴露的部分区域对应。非发射区域npxa可以围绕发射区域pxa。
79.发射层el可以设置在第一电极ae上。发射层el可以设置在开口op7中。例如，发射层el可以单独地形成在多个像素中的每一个中。当发射层el单独地形成在多个像素中的每一个中时，多个发射层el中的每一个可以发射例如蓝色、红色和绿色之中的至少一种颜色的光。然而，实施例不限于此。例如，发射层el可以连接到多个像素并公共地提供。在这种情况下，发射层el可以提供例如蓝光或白光。
80.第二电极ce可以设置在发射层el上。第二电极ce可以具有整体形状，并且可以公共地设置在多个像素中。公共电压可以施加到第二电极ce，并且第二电极ce可以被称为公共电极。
81.在一些实施例中，空穴控制层可以设置在第一电极ae和发射层el之间。空穴控制层可以公共地设置在发射区域pxa和非发射区域npxa中。空穴控制层可以包括空穴传输层，并且还可以包括空穴注入层。电子控制层可以设置在发射层el和第二电极ce之间。电子控制层可以包括电子传输层，并且还可以包括电子注入层。空穴控制层和电子控制层可以使用例如开口掩模而公共地形成在多个像素中。
82.封装层tfl可以设置在发光装置层dp-oled上。封装层tfl可以包括顺序地堆叠的无机层、有机层和无机层，但是构成封装层tfl的层不限于此。
83.无机层可以保护发光装置层dp-oled免受湿气和氧的影响，并且有机层可以保护发光装置层dp-oled免受外来物质(诸如灰尘颗粒)的影响。无机层可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的至少一种。有机层可以包括但不限于丙烯酸类有机层。
84.输入传感器isp可以直接设置在显示面板dp上。输入传感器isp可以包括基体层bs、第一导电层icl1、第一传感器绝缘层iil1、第二导电层icl2和第二传感器绝缘层iil2。
85.基体层bs可以是包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种的无机层。可选地，基体层bs可以是包括环氧类树脂、丙烯酸类树脂和酰亚胺类树脂中的至少一种的有机层。基体层bs可以具有单层结构或沿着第三方向dr3堆叠的多层结构。
86.第一导电层icl1和第二导电层icl2中的每一者可以包括具有单层结构(也称为单层导电层)或沿着第三方向dr3堆叠的多层结构(也称为多层导电层)的多个图案。第二导电层icl2可以通过穿过第一传感器绝缘层iil1的接触孔th连接到第一导电层icl1。
87.单层导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜和铝中的至少一种或者它们的任何合适的合金。透明导电层可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟锌锡(izto)等。另外，透明导电层可以包括诸如聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(pedot)的导电聚合物、金属纳米线、石墨烯等。
88.多层导电层可以包括金属层。金属层可以具有例如钛/铝/钛的三层结构。多层导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
89.第一传感器绝缘层iil1覆盖第一导电层icl1，并且第二传感器绝缘层iil2覆盖第二导电层icl2。尽管第一传感器绝缘层iil1和第二传感器绝缘层iil2各自被示出为单层，但是实施例不限于此。
90.第一传感器绝缘层iil1和第二传感器绝缘层iil2中的至少一者可以包括无机层。该无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
91.第一传感器绝缘层iil1和第二传感器绝缘层iil2中的任何一者可以包括有机层。该有机层可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。
92.再次参照图2a，显示模块dm可以响应于电信号显示图像，并且可以发送/接收关于外部输入的信息。显示模块dm可以被限定为包括有源区域aa和外围区域naa。有源区域aa可以被限定为发射从显示模块dm提供的图像的区域。
93.外围区域naa与有源区域aa相邻。例如，外围区域naa可以围绕有源区域aa。然而，这通过示例的方式示出，并且外围区域naa可以被限定为各种形状，并且不限于任何一个实施例。根据实施例，显示模块dm的有源区域aa可以对应于透明区域ta的至少一部分。
94.功能层fl可以设置在显示模块dm的后表面上。功能层fl可以包括至少一个层。例如，功能层fl可以是金属层或垫层。金属层可以支撑显示模块dm。垫层可以包括聚合物材料以吸收外部冲击。另外，功能层fl还可以包括粘合层。
95.柔性电路膜fcb连接到显示模块dm。柔性电路膜fcb可以电连接到显示模块dm。柔性电路膜fcb可以通过结合工艺结合到显示模块dm的外围区域naa。
96.柔性电路膜fcb还可以包括面板驱动芯片dic和传感器驱动芯片tic。面板驱动芯片dic可以是安装在柔性电路膜fcb上并电连接到显示面板dp的驱动芯片。面板驱动芯片dic可以包括用于驱动显示面板dp的像素的驱动元件，例如数据驱动电路。尽管图2a示出了其中面板驱动芯片dic安装在柔性电路膜fcb上的结构，但是实施例不限于此。例如，面板驱动芯片dic可以设置在显示面板dp上。
97.传感器驱动芯片tic可以是安装在柔性电路膜fcb上并电连接到输入传感器isp的驱动芯片。在实施例中，传感器驱动芯片tic可以通过感测线电连接到输入传感器isp的电极，以将驱动信号提供到该电极。传感器驱动芯片tic可以控制输入传感器isp的整体驱动。除了驱动输入传感器isp之外，传感器驱动芯片tic还可以检查输入传感器isp的短路。在实施例中，传感器驱动芯片tic可以在检查模式下以低频率驱动输入传感器isp，以检查在输入传感器isp的多个电极之间是否已经发生短路。稍后将给出更详细的描述。
98.柔性电路膜fcb还可以包括安装在柔性电路膜fcb上的多个驱动元件。多个驱动元件可以包括电路单元，该电路单元将从外部输入的信号转换为用于面板驱动芯片dic和传感器驱动芯片tic的信号或者转换用于驱动显示面板dp的信号。柔性电路膜fcb可以弯曲，并且可以设置在显示模块dm的后表面上。
99.图3是根据实施例的显示面板dp的平面图。图4是根据实施例的输入传感器isp的平面图。
100.参照图3和图4，显示面板dp可以包括驱动电路gdc、多条信号线sgl、多个像素px和
焊盘部pld。焊盘部pld设置在外围区域naa中，并且包括连接到多条信号线sgl之中的对应信号线的像素焊盘d-pd。
101.像素px设置在有源区域aa中。多个像素px中的每一个包括图2c中所示的发光装置层dp-oled的发光装置ed和与该发光装置ed连接的像素驱动电路。驱动电路gdc、信号线sgl、焊盘部pld和像素驱动电路可以包括在图2c中所示的电路层dp-cl中。
102.驱动电路gdc可以包括栅极驱动电路。栅极驱动电路生成多个栅极信号(在下文中，栅极信号)，并且将多个栅极信号顺序地输出到稍后将描述的多条栅极线gl(在下文中，栅极线)。栅极驱动电路还可以将另一控制信号输出到像素驱动电路。
103.信号线sgl包括栅极线gl、数据线dl、电源线pl和控制信号线csl。多条栅极线gl中的一条栅极线gl连接到多个像素px之中的对应的像素px，并且多条数据线dl中的一条数据线dl连接到多个像素px之中的对应的像素px。电源线pl连接到多个像素px。控制信号线csl可以将控制信号提供到栅极驱动电路。信号线sgl与有源区域aa和外围区域naa重叠。
104.焊盘部pld是与柔性电路膜fcb(参照图2a)连接的部分，并且可以包括用于将柔性电路膜fcb电连接到显示面板dp的像素焊盘d-pd和用于将柔性电路膜fcb电连接到输入传感器isp的输入焊盘i-pd。
105.像素焊盘d-pd通过信号线sgl连接到对应的像素px。此外，驱动电路gdc可以连接到多个像素焊盘d-pd中的任何一个。
106.参照图4，根据实施例的输入传感器isp可以包括第一感测电极ie1-1、ie1-2、ie1-3、ie1-4和ie1-5、连接到第一感测电极ie1-1至ie1-5的第一感测线sl1-1、sl1-2、sl1-3、sl1-4和sl1-5、第二感测电极ie2-1、ie2-2、ie2-3和ie2-4以及连接到第二感测电极ie2-1至ie2-4的第二感测线sl2-1、sl2-2、sl2-3和sl2-4。作为示例，输入传感器isp还可以包括连接到第二感测电极ie2-1至ie2-4的第三感测线sl2-5、sl2-6、sl2-7和sl2-8。在这种情况下，第二感测线sl2-1至sl2-4连接到第二感测电极ie2-1至ie2-4的一端，并且第三感测线sl2-5至sl2-8可以连接到第二感测电极ie2-1至ie2-4的另一端。
107.第一感测电极ie1-1至ie1-5和第二感测电极ie2-1至ie2-4可以设置为彼此交叉。第一感测电极ie1-1至ie1-5在第二方向dr2上布置(例如，彼此间隔开)并且分别在第一方向dr1上延伸。第二感测电极ie2-1至ie2-4在第一方向dr1上布置并且分别在第二方向dr2上延伸。第一感测电极ie1-1至ie1-5和第二感测电极ie2-1至ie2-4可以彼此隔离以形成电容。
108.第一感测电极ie1-1至ie1-5中的每一个包括设置在有源区域aa中的第一传感器部sp1和第一连接部cp1。第二感测电极ie2-1至ie2-4中的每一个包括设置在有源区域aa中的第二传感器部sp2和第二连接部cp2。在多个第一传感器部sp1之中，设置在第一感测电极ie1-1至ie1-5之中的每一个第一感测电极的两端处的两个第一传感器部sp1可以各自具有小于设置在所述每一个第一感测电极的中心部分处的第一传感器部sp1的尺寸的尺寸，例如可以各自具有设置在所述每一个第一感测电极的中心部分处的第一传感器部sp1的尺寸的1/2的尺寸。在多个第二传感器部sp2之中，设置在第二感测电极ie2-1至ie2-4之中的每一个第二感测电极的两端处的两个第二传感器部sp2可以各自具有小于设置在所述每一个第二感测电极的中心部分处的第二传感器部sp2的尺寸的尺寸，例如可以各自具有设置在所述每一个第二感测电极的中心部分处的第二传感器部sp2的尺寸的1/2的尺寸。
109.图4示出了根据实施例的第一感测电极ie1-1至ie1-5和第二感测电极ie2-1至ie2-4的形状，但是该形状不限于此。在实施例中，第一感测电极ie1-1至ie1-5和/或第二感测电极ie2-1至ie2-4具有其中传感器部和连接部之间没有区别的形状(例如，条形)。尽管示例性地示出了菱形形状的第一传感器部sp1和第二传感器部sp2，但是实施例不限于此。例如，第一传感器部sp1和第二传感器部sp2可以具有不同的多边形形状。例如，第一传感器部sp1和第二传感器部sp2可以具有条形或任何其他合适的形状。
110.在第一感测电极ie1-1至ie1-5中的每一个中，多个第一传感器部sp1沿着第一方向dr1布置，并且在第二感测电极ie2-1至ie2-4中的每一个中，多个第二传感器部sp2沿着第二方向dr2布置。多个第一连接部cp1中的每一个可以将相邻的第一传感器部sp1连接，并且多个第二连接部cp2中的每一个可以将相邻的第二传感器部sp2连接。
111.在实施例中，第一感测电极ie1-1至ie1-5和第二感测电极ie2-1至ie2-4可以具有网格形状。由于第一感测电极ie1-1至ie1-5和第二感测电极ie2-1至ie2-4具有网格形状，因此可以减小在感测电极(例如，第一感测电极ie1-1至ie1-5和第二感测电极ie2-1至ie2-4中的一个或多个)和显示面板dp(参照图2c)之间形成的电容cb(参照图2c)。
112.网格形状的第一感测电极ie1-1至ie1-5和第二感测电极ie2-1至ie2-4中的每一个可以具有单层结构(也称为单层导电层)或沿着第三方向dr3堆叠的多层结构(也称为多层导电层)。单层导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝和它们的合金中的至少一种。透明导电层可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟锌锡(izto)等。另外，透明导电层可以包括诸如聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(pedot)的导电聚合物、金属纳米线、石墨烯等。
113.第一感测线sl1-1至sl1-5可以分别连接到第一感测电极ie1-1至ie1-5的一端。在另一实施例中，输入传感器isp还可以包括连接到第一感测电极ie1-1至ie1-5的另一端的感测线。
114.第一感测线sl1-1至sl1-5、第二感测线sl2-1至sl2-4和第三感测线sl2-5至sl2-8可以设置在外围区域naa中。焊盘部pld可以包括从第一感测线sl1-1至sl1-5、第二感测线sl2-1至sl2-4和第三感测线sl2-5至sl2-8的一端延伸并且设置在外围区域naa中的输入焊盘i-pd。
115.图5a和图5b是示出根据实施例的输入传感器isp(参照图4)的检查模式的图。图5a示出第一感测电极ie1-1至ie1-3和第二感测电极ie2-1至ie2-3。图5b示出了限定在第一感测电极ie1-1和第二感测电极ie2-1之间的一个节点nd的放大图。
116.参照图5a和图5b，输入传感器isp(参照图4)可以包括彼此交叉的条形的第一感测电极ie1-1至ie1-3和第二感测电极ie2-1至ie2-3。第一感测电极ie1-1至ie1-3和第二感测电极ie2-1至ie2-3可以电连接到传感器驱动芯片tic。传感器驱动芯片tic驱动第一感测电极ie1-1至ie1-3和第二感测电极ie2-1至ie2-3。例如，传感器驱动芯片tic可以将驱动信号施加到第一感测电极ie1-1至ie1-3和第二感测电极ie2-1至ie2-3中的任何一者，并且可以通过从第一感测电极ie1-1至ie1-3和第二感测电极ie2-1至ie2-3中的另一者接收感测信号来驱动输入传感器isp。通过第一感测电极ie1-1至ie1-3和第二感测电极ie2-1至ie2-3之间的电容的变化，可以获得当检测到对输入传感器isp的输入时接收的感测信号。
117.在实施例中，第一感测电极ie1-1至ie1-3和第二感测电极ie2-1至ie2-3之间的电
容器cp可以被充入电荷。当在用于感测输入的感测模式下驱动输入传感器isp时从外部施加输入(例如，用户的触摸)时，在第一感测电极ie1-1至ie1-3和第二感测电极ie2-1至ie2-3之间充电的电容可以改变。在这种情况下，输入传感器isp可以通过电容的变化来感测外部输入。
118.第一感测电极ie1-1至ie1-3和第二感测电极ie2-1至ie2-3可以彼此绝缘。输入传感器isp可以包括在第一感测电极ie1-1至ie1-3和第二感测电极ie2-1至ie2-3之间的交流(ac)部分中充电的电容器cp以及在直流(dc)部分中充电的电阻器rt。例如，第一感测电极ie1-1至ie1-3和第二感测电极ie2-1至ie2-3交叉所在的多个节点nd中的每一个可以包括电容器cp和电阻器rt。在这种情况下，可以通过将设置在多个节点nd中的每一个中的电容器cp和电阻器rt中充入的充电量相加来确定在输入传感器isp中充电的电容。因此，在输入传感器isp的第一感测电极ie1-1至ie1-3和第二感测电极ie2-1至ie2-3之间充电的电容可以依据电阻器rt的充电量的变化而变化。
119.当在输入传感器isp中发生短路时，电阻器rt的电阻可以收敛到零。输入传感器isp的短路可能发生在第一感测电极ie1-1至ie1-3中的一个或多个和/或第二感测电极ie2-1至ie2-3中的一个或多个之间，但不限于此。例如，短路可能发生在第一感测电极ie1-1至ie1-3之间，并且可能发生在第二感测电极ie2-1至ie2-3之间。
120.当短路的节点包括具有小的电阻值的电阻器rt时，与其他相邻节点中的电荷量相比，短路的节点中的电荷量将显著更大。例如，随着电阻器rt的电阻值减小，可以更容易地检测短路。当电阻器rt的电阻值达到几兆欧姆(mohm)(例如，表1中的1mohm至20mohm)时，这被称为微短路，并且在高频率驱动情况下可能难以检测短路。将更详细地描述在以作为检查频率的低频率驱动的检查模式下驱动输入传感器isp并检测微短路的方法。
121.在检查模式下，传感器驱动芯片tic可以以检查频率驱动输入传感器isp。检查频率可以小于或等于驱动频率并且大于或等于参考频率。在这种情况下，驱动频率可以是用于输入传感器isp以感测外部输入的最小频率。参考频率可以与传感器驱动芯片tic针对输入传感器isp可以设定的频率的最小值对应。例如，检查频率可以与由传感器驱动芯片tic支持的频率范围内的最低频率对应。例如，检查频率可以对应于5千赫兹(khz)至100khz。在用于检测外部输入的最小驱动频率的情况下，它通常可以对应于100khz至150khz。由传感器驱动芯片tic支持的最小频率范围可以对应于5khz至10khz。
122.在实施例中，处于检查频率下的输入传感器isp可以不执行用于检测外部输入的驱动。例如，输入传感器isp在以检查频率驱动的检查模式下可能无法感测外部输入。例如，传感器驱动芯片tic可以在检查模式下停止输入传感器isp的多个功能之中的除了微短路的检测之外的输入传感器isp的所有其他功能。
123.表1示出了当在输入传感器isp的特定节点处发生短路时，依据短路电阻所检测到的电容和其他相邻节点的电容之间的差。表1示出了根据实施例的当传感器驱动芯片tic根据输入装置的短路检查方法在检查模式下以具有5khz至100khz的低频率的检查频率驱动输入传感器isp时检测到的电容。例如，表1提供了针对第一感测电极ie1-1和第二感测电极ie2-1之间的短路中的每一个短路电阻测得的电容。注意，在表1中没有为测得的电容提供测量单位，因为它在上下文中与检测相邻节点之间的测得的电容的差是不相关的。
124.短路电阻电容与相邻节点的电容差
20mω5663518mω5714116mω5956514mω64711712mω65812810mω7882588mω9053756mω11175874mω161010802mω302024801mω43923850
125.表1
126.参照表1，可以看出，当短路电阻增大时，与其他相邻节点的电容差减小。在这种情况下，其他相邻节点的电容可以对应于未发生短路的正常节点的电容。可以依据与相邻节点的电容差来检测输入传感器isp的特定节点处的短路。例如，在具有高短路电阻的微短路的情况下，因为与其他相邻节点的电容差小，所以短路检测相对困难。根据根据一些实施例的输入传感器isp的短路检查方法，即使当短路电阻高达20mω时，与相邻节点的电容差也为35，使得该电容差被清楚地揭示。
127.在一个实施例中，当特定节点处的电容和其他相邻节点的电容之间的差超过预定标准(或阈值)时，输入传感器isp的短路检查模块600(参照图6)将对应的节点确定为发生短路的节点。例如，当特定节点的电容比其他相邻节点的电容大7或更多时，输入传感器isp的短路检查模块600可以将对应的节点确定为短路。稍后将给出更详细的描述。
128.图6是示出根据实施例的输入传感器isp(参照图4)的短路检查模块600的框图。图7是示出根据实施例的输入传感器isp(参照图4)的短路检查方法的流程图。
129.参照图6，传感器驱动芯片tic可以包括输入传感器isp的短路检查模块600。在实施例中，输入传感器isp的短路检查模块600可以在检测输入传感器isp的短路时从传感器驱动芯片tic接收命令。输入传感器isp的短路检查模块600可以包括频率设定器610、传感器驱动器620和短路检测器630。
130.频率设定器610可以将输入传感器isp(参照图4)的频率设定为检查频率。频率设定器610可以将检查频率设定为低频率。例如，频率设定器610可以将输入传感器isp的频率设定为5khz至100khz。
131.传感器驱动器620可以以检查频率驱动输入传感器isp。例如，传感器驱动器620可以在检查模式下驱动输入传感器isp。在这种情况下，检查模式可以表示其中以小于驱动频率的检查频率驱动输入传感器isp并且不执行检测外部输入的功能的状态。
132.短路检测器630可以在检查模式下检测输入传感器isp的短路。短路检测器630可以基于输入传感器isp的第一感测电极ie1-1至ie1-5和第二感测电极ie2-1至ie2-4之间的电容来检测短路。例如，短路检测器630可以基于在第一感测电极ie1-1至ie1-5和第二感测电极ie2-1至ie2-4之间限定的多个节点nd(参照图5a和图5b)的电容来检测在特定节点中发生的短路。例如，当在特定节点中充电的电容与其他相邻节点的电容相差超过预定标准
时，短路检测器630可以确定在对应的节点中发生短路。
133.在图7中，在输入传感器isp的短路检查的方法中，可以在检查模式下以检查频率驱动输入传感器isp以检查输入传感器isp的短路。
134.频率设定器610可以将输入传感器isp的驱动频率设定为检查频率(操作s710)。检查频率可以对应于5khz至100khz的低频率。
135.传感器驱动器620可以在检查模式下驱动输入传感器isp(操作s720)。检查模式可以对应于其中不用于检测输入传感器isp中的短路的所有其他功能被去激活的状态。
136.短路检测器630可以检测多个节点nd的电容差，并且可以确定其中发生电容差超过某一水平的特定节点具有短路(操作s730)。
137.图8是示出根据实施例的输入传感器isp(参照图4)的短路检测操作的流程图。例如，图8示出了根据实施例的其中图7的短路检测器630检测输入传感器isp的短路的操作。
138.短路检测器630可以测量多个节点nd(参照图5a和图5b)中的每一个中的电容(操作s810)。
139.短路检测器630可以通过将在每一个节点处测得的多个电容彼此进行比较来检测电容差(操作s820)。
140.短路检测器630可以检测具有与在相邻节点中测得的电容的差超过预定标准的电容的特定节点(操作s830)。
141.短路检测器630可以将检测到的特定节点确定为短路的节点(操作s840)。
142.图9是示出根据实施例的输入传感器的短路检查结果的曲线图。
143.输入传感器的短路检查方法还可以包括采样操作。采样操作可以由短路检测器630(参照图6)执行。在采样操作中，短路检测器630可以以检查频率多次测量多个节点nd(参照图5a和图5b)的电容。短路检测器630可以测量多个节点nd中的每一个处的电容，可以执行两次或更多次用于检测测量的电容之间的差的采样spl，并且可以确定(例如，计算)与检测到的电容的差相关联的平均值。
144.短路检测器630可以调整用于测量多个节点nd中的电容的采样spl的次数。例如，短路检测器630可以将采样spl的次数调整为25次或100次。采样spl的次数可以与输入传感器的在检查模式下的驱动时间成比例。当驱动时间较长时，检查时间增加，但是短路的检测信号稳定，并且可以提高检查准确度。
145.在实施例中，短路检测器630可以基于检查频率来调整采样spl的次数。短路检测器630可以随着检查频率减小而减少采样spl的次数。随着检查频率减小，短路的节点的电容和相邻正常节点的电容之间的差可以增大。另外，随着采样spl的次数的增加，可以准确地测量多个节点nd之间的电容差。因此，短路检测器630可以通过减小检查频率或增加采样spl的次数来提高短路检测的准确度。例如，短路检测器630可以在检查频率接近5khz时将采样spl的次数确定为25，并且可以在检查频率接近100khz时将采样spl的次数确定为100。
146.图9以图表方式示出了在其中检查频率和采样spl的次数不同的不同条件1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19和20下的微短路的检测方面(detection aspect)。
147.在图9中，y轴的偏差可以表示与其他相邻节点的电容差。x轴上的模块可以表示从条件1至20的不同节点nd(参照图5a和图5b)。模块可以对应于当模块从条件1前进至条件20
时短路严重的情况。参照图9，直到条件10的情况是正常的，并且条件11至20可以对应于短路的节点。在实施例中，当特定节点的电容与其他相邻节点的电容相比超过预定标准usl时，可以确定输入传感器短路。在这种情况下，预定标准usl可以对应于电容差的上限，例如，可以对应于7。例如，在图9中，与具有超过7的偏差的条件对应的条件11至20可以确定为微短路。
148.图9示出了取决于条件1至6的偏差。在条件1的情况下，示出了在15khz的检查频率下根据100次的采样spl的次数在每一个模块中检测到的偏差。在条件2的情况下，示出了在15khz的检查频率下根据25次的采样spl的次数在每一个模块中检测到的偏差(与相邻节点的电容差)。参照条件1和条件2，在15khz的频率下根据采样spl的次数的曲线图中的差异是微小的。
149.在条件3和条件4的情况下，在10khz的检查频率下采样次数分别为100次和25次。在条件3和条件4中，可以看出，与条件1和条件2相比，随着频率减小，偏差变得更大。
150.在条件5和条件6的情况下，示出了在5khz的最低频率下分别根据100次和25次的采样spl的次数的偏差。在曲线图中，可以看出，根据采样spl的次数的差异，条件5和条件6中的差异呈现出大于条件1和条件2中的差异。这是因为随着检查频率减小，可以更精确地测量偏差。
151.根据各种实施例的输入传感器isp的短路检查模块600(参照图6)可以以比用于检测输入传感器isp的输入的最小驱动频率低的检查频率驱动输入传感器isp，以检测微短路。输入传感器isp的短路检查模块600可以以检查频率增加或减少用于检测在多个节点中充电的电容之间的差的采样spl的次数，每一个节点配置有多个电极。在实施例中，通过适当地调整检查频率和采样spl的次数，输入传感器isp的短路检查模块600可以提高检测准确度并且可以同时节省检查时间。
152.根据各种实施例，输入传感器的短路检查模块和使用短路检查模块的输入传感器的短路检查方法可以通过以低频率驱动输入传感器来有效地检测在输入传感器中的多个电极之间发生的微短路。
153.尽管在此已经描述了某些实施例和实施方式，但是根据该描述，其他实施例和修改将是明显的。因此，本发明构思不限于这类实施例，而是限于所附权利要求以及对于本领域普通技术人员而言将明显的各种显而易见的修改和等同布置的更宽范围。