一种防灰尘沉积的MEMS热式流量传感器的制作方法

一种防灰尘沉积的mems热式流量传感器
技术领域
1.本实用新型涉及流量传感器相关技术领域，具体涉及一种防灰尘沉积的mems热式流量传感器。


背景技术：

2.流量测量在日常生活、工业领域应用十分广泛。根据测量原理的不同，流量检测方式可分为涡轮式、涡街式、超声波式、传热式等，其中热式流量传感器因结构简单、无机械零部件和测量精度高，近年来得到广泛应用。随着上世纪90年代mems技术的兴起，应用mems技术制作各种类型的热式流量传感器，其具有测量精度高、功耗低、检测性能好等特点，使得基于mems技术的热式流量传感器得到了很大发展。
3.目前市场上的mems热式流量传感器大部分采用的芯片封装方式为表面贴装方式，此种封装结构因芯片突出于电路板表面，易导致灰尘及污染物在芯片与电路板结合处沉积，从而影响传感器的测试精度，严重时甚至会堵塞传感器流道。


技术实现要素：

4.为了解决上述内容中提到的问题，本实用新型提供了一种防灰尘沉积的mems热式流量传感器，其将芯片封装于电路板的凹槽内，使芯片的敏感面与电路板表面平齐，防止了灰尘、污染物在芯片与电路板结合处沉积，保证了传感器的测量精度，同时拓宽了流量传感器的量程。
5.其技术方案是这样的：
6.一种防灰尘沉积的mems热式流量传感器，其包括芯片和电路板，其特征在于：所述电路板上设置有凹槽，所述mems热式流量芯片封装于凹槽内。
7.进一步的，所述凹槽的尺寸与mems热式流量芯片尺寸相一致。
8.进一步的，所述凹槽内设置有金属镀层位。
9.进一步的，所述电路板上还有与mems热式流量芯片相对应的电极焊盘。
10.进一步的，所述mems热式流量芯片顶部设置有碳化硅保护层。
11.本实用新型的有益效果为：
12.1、本实用新型通过将芯片本体封装于电路板的凹槽内，使芯片的敏感面与电路板表面平齐，防止了灰尘污染物在芯片与电路板结合处沉积，保证了传感器的测量精度，同时拓宽了流量传感器的量程。
13.2、本实用新型通过在芯片本体顶部设置碳化硅保护层，进一步避免了灰尘污染物的聚集。
附图说明
14.图1为本实用新型传感器的剖视示意图；
15.图2为本实用新型中电路板的俯视示意图；
16.图3为本实用新型中芯片的剖视示意图。
具体实施方式
17.下面结合实施例对本实用新型做进一步的描述。
18.以下实施例用于说明本实用新型，但不能用来限制本实用新型的保护范围。实施例中的条件可以根据具体条件做进一步的调整，在本实用新型的构思前提下对本实用新型的方法简单改进都属于本实用新型要求保护的范围。
19.如图1-2所示，一种防灰尘沉积的mems热式流量传感器，其包括mems热式流量芯片35和电路板17，所述电路板17上设置有凹槽19，所述mems热式流量芯片35封装于凹槽19内，使mems热式流量芯片35的敏感面与电路板17表面基本平齐，防止了灰尘污染物在mems热式流量芯片35与电路板17结合处沉积，保证了传感器的测量精度，同时拓宽了流量传感器的量程。
20.所述凹槽19的尺寸与mems热式流量芯片35尺寸相一致。
21.所述凹槽19内设置有金属镀层位20，用于mems热式流量芯片35定位。
22.所述电路板17上还有与mems热式流量芯片35相对应的电极焊盘18，用于打线连接。
23.如图3所示，所述mems热式流量芯片35顶部设置有碳化硅保护层16，避免了灰尘污染物的聚集。所述mems热式流量芯片35包括硅片结构1，所述硅片结构1上部设置有隔热层2，所述隔热层2的上表面设置有支撑层36，所述支撑层36上表面设置有中心热源5、热电堆37和电极pad（未在图中示出）。
24.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。


技术特征：
1.一种防灰尘沉积的mems热式流量传感器，其包括mems热式流量芯片和电路板，其特征在于：所述电路板上设置有凹槽，所述mems热式流量芯片封装于凹槽内；所述凹槽的尺寸与mems热式流量芯片尺寸相一致；所述mems热式流量芯片顶部设置有碳化硅保护层。2.根据权利要求1所述的一种防灰尘沉积的mems热式流量传感器，其特征在于：所述凹槽内设置有金属镀层位。3.根据权利要求1所述的一种防灰尘沉积的mems热式流量传感器，其特征在于：所述电路板上还有与mems热式流量芯片相对应的电极焊盘。

技术总结
本实用新型提供了一种防灰尘沉积的MEMS热式流量传感器，其将芯片封装于电路板的凹槽内，使芯片的敏感面与电路板表面平齐，防止了灰尘、污染物在芯片与电路板结合处沉积，保证了传感器的测量精度，同时拓宽了流量传感器的量程，其包括芯片和电路板，其特征在于：所述电路板上设置有凹槽，所述芯片封装于凹槽内。所述芯片封装于凹槽内。所述芯片封装于凹槽内。


技术研发人员：杨绍松 刘同庆 曹锦云 柳雪
受保护的技术使用者：无锡芯感智半导体有限公司
技术研发日：2022.06.16
技术公布日：2022/10/28