水平或垂直堆叠管芯的热管理的制作方法

背景技术：

1、在多芯片模块中，其中多个管芯相互堆叠(例如，垂直堆叠)或沿其两侧堆叠(例如，水平堆叠)在单个封装中，第一管芯集(侵略者管芯)中的热点可影响第二管芯集(例如，受害者管芯)的热约束。现有方案在其各个管芯的热点附近使用热传感器，而不考虑水平和/或垂直栈中相邻管芯的热影响。因此，多芯片模块的性能管理(例如，频率和/或电压控制)不准确，并且在一些情况下可导致可靠性问题，在其他情况下可导致低性能设置。

技术实现思路

技术特征：

1.一种装置，包括：

2.如权利要求1所述的装置，其中，来自所述第二管芯的所述遥测温度数据包括所述第二管芯中多个域的所有温度的级别，其中所述第二管芯中的所述多个域是所述第一管芯的片的侵略者。

3.如权利要求2所述的装置，其中，所述级别是以下各项中的一项：最大级别、最小级别、或最大级别与最小级别之间的级别。

4.如权利要求2所述的装置，其中，所述第一管芯的域是所述第一管芯的所述片的一部分，其中所述功率管理单元将所述第一管芯的所述片的温度映射到所述第一管芯的域。

5.如权利要求4所述的装置，其中，所述功率管理单元将防护带添加到所述片的温度。

6.如权利要求1所述的装置，其中，所述第二管芯是侵略者管芯，并且其中所述第一管芯是受害者管芯。

7.如权利要求1所述的装置，其中，当所述第二管芯进入低功率状态时，所述第二管芯的所述遥测数据无效。

8.如权利要求7所述的装置，其中，所述功率管理单元被通知所述第二管芯的所述遥测数据无效。

9.如权利要求1至8中的任一项所述的装置，其中，所述功率管理单元用于在所述解析温度高于阈值时调整所述第一管芯的性能。

10.如权利要求1至8中的任一项所述的装置，其中，所述功率管理单元用于在所述解析温度高于阈值时调整所述第一管芯的域的电压、频率、带宽或刷新率。

11.如权利要求1至8中的任一项所述的装置，其中，所述栈是垂直栈或水平栈。

12.一种机器可读存储介质，具有存储于其上的机器可执行指令，所述机器可执行指令被执行时，使一个或多个处理器执行包括以下步骤的方法：

13.如权利要求12所述的机器可读存储介质，其中，来自所述第二管芯的所述遥测温度数据包括所述第二管芯中多个域的所有温度的级别，其中所述第二管芯中的所述多个域是所述第一管芯的片的侵略者。

14.如权利要求13所述的机器可读存储介质，其中，所述级别是以下各项中的一项：最大级别、最小级别、或最大级别与最小级别之间的级别。

15.如权利要求13所述的机器可读存储介质，其中，所述级别一个或多个温度级别。

16.如权利要求14所述的机器可读存储介质，其中，所述第一管芯的域是所述第一管芯的所述片的一部分，其中所述方法包括将所述第一管芯的所述片的温度映射到所述第一管芯的域。

17.如权利要求16所述的机器可读存储介质，具有存储于其上的机器可执行指令，所述机器可执行指令被执行时，使所述一个或多个处理器执行包括以下步骤的进一步方法：

18.如权利要求12所述的机器可读存储介质，其中，所述第二管芯是侵略者管芯，并且其中所述第一管芯是受害者管芯。

19.如权利要求12所述的机器可读存储介质，其中，当所述第二管芯进入低功率状态时，所述第二管芯的所述遥测数据无效。

20.如权利要求12至19中的任一项所述的机器可读存储介质，具有存储于其上的机器可执行指令，所述机器可执行指令被执行时，使所述一个或多个处理器执行包括以下步骤的进一步方法：

21.一种系统，包括：

22.如权利要求21所述的系统，其中：

23.一种机器可读存储介质，具有存储于其上的机器可执行指令，所述机器可执行指令被执行时，使一个或多个处理器执行包括以下步骤的方法：

24.如权利要求23所述的机器可读存储介质，其中，来自所述第二管芯的所述遥测温度数据包括所述第二管芯中多个域的所有温度的级别，其中所述第二管芯中的所述多个域是所述第一管芯的片的侵略者。

25.如权利要求23或24所述的机器可读存储介质，其中，调整所述区域的性能包括：如果解析温度高于阈值，则调整所述第一管芯的域的电压、频率、带宽或刷新率，其中所述解析温度基于所述第一温度、所述第二温度和所述遥测温度d。

技术总结
用于多芯片模块的热管理方案了解栈(水平栈和/或垂直栈)中的各种管芯以及它们生成的热量、受害者管芯中的本地热点以及(一个或多个)侵略者管芯中的热点。每个受害者管芯从位于侵略者管芯中的热传感器以及受害者管芯中的本地热传感器接收遥测信息。遥测信息用于实现虚拟感测方案，其中目标管芯(例如，受害者管芯)和/或其知识产权(IP)域的温度被估计或计算。然后，估计或计算的温度用于栈中的受害者管芯和/或侵略者管芯的性能管理。

技术研发人员：S·S·达希亚,S·冈瑟,J·塞博特,R·奥斯本,S·凯勒,J·伊恩
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16