激光束量测系统、激光束系统、EUV辐射源和光刻设备的制作方法

本发明涉及一种可以被应用在用于euv辐射源的激光束系统中的激光束量测系统。该激光束量测系统可以评估用于照射目标(例如euv辐射源中的目标)的多个激光束的特性。

背景技术：

1、光刻设备是构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(ic)。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如掩模)处的图案投影到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

2、为了将图案投影于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定可以形成于衬底上的特征的最小尺寸。相比于可以例如使用波长为193nm的辐射的光刻设备，使用波长在4-20nm的范围内(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外(euv)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。

3、为了获得所需的euv辐射，euv光刻设备使用euv辐射源。这种辐射源可以通过用激光脉冲以锡液滴作为目标来产生euv辐射的脉冲。在已知的辐射源中，euv辐射是通过由第一激光脉冲(其可以被称为预脉冲)照射锡液滴，然后由第二激光脉冲(其可以被称为主脉冲)照射锡液滴产生。为了确保激光脉冲能量有效地转换成euv辐射，需要激光束脉冲和目标之间的准确对准。用于确定这种对准的已知系统可能易于产生由激光束信号到量测系统的复杂路由引入的测量误差。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种激光束量测系统，所述激光束量测系统能够使激光束脉冲更准确地对准目标(诸如euv辐射源的燃料)。因此，根据本发明的一方面，提供了一种激光束量测系统。该激光束量测系统被配置为与激光束系统协作，该激光束系统被配置为沿着两个独立的光学路径将第一激光束脉冲和第二激光束脉冲顺序地引导到目标。该系统激光束系统可以是euv源的一部分，并且目标可以是用于产生euv辐射的任何类型的燃料，例如锡液滴。因此，激光束量测系统可以在euv源上使用或者可以适用于euv源。所述激光束量测系统包括：

2、束控向装置，所述束控向装置被配置为：

3、沿着第一方向重定向所述第一激光束脉冲的反射的一部分，所述反射是从所述目标反射，

4、沿着第一方向反射所述第二激光束脉冲的一部分，

5、检测系统，所述检测系统被配置为

6、接收第二激光束的反射部分，

7、接收第一激光束的重定向部分，以及

8、确定所述第一激光束脉冲的反射与所述第二激光束脉冲之间的相对取向。可以基于所接收的束进行所述确定。

9、根据本发明的另一方面，提供了一种激光束量测系统，所述激光束量测系统被配置为与激光束系统协作，所述激光束系统被配置为沿着两个独立的光学路径将第一激光束脉冲和第二激光束脉冲顺序地引导到目标，所述激光束量测系统包括：

10、第一光学元件，所述第一光学元件被配置为：

11、沿着第一方向反射所述第二激光束脉冲的一部分；

12、接收所述第一激光束脉冲的反射，所述反射是从所述目标反射；

13、沿着与所述第一方向实质上相反的方向反射所述第一激光束脉冲的反射的一部分；

14、反向反射器，所述反向反射器被配置为：

15、接收所述第一激光束脉冲的反射的部分，以及

16、实质上沿着所述第一方向反向反射所述第一激光束脉冲的反射的部分；

17、其中所述第一光学元件还被配置为：

18、接收所述第一激光束脉冲的反射的反向反射部分，以及

19、实质上沿着所述第一方向透射所述第一激光束脉冲的反射的反向反射部分的一部分。

20、根据本发明的另一方面，提供了一种激光束系统，所述激光束系统包括：

21、第一激光束源，所述第一激光束源被配置为产生多个第一激光束脉冲；

22、第二激光束源，所述第二激光束源被配置为产生多个第二激光束脉冲；

23、光学组件，所述光学组件被配置为将所述多个第一激光束脉冲和所述多个第二激光束脉冲引导到相应的多个目标；

24、控制系统，所述控制系统被配置为控制所述第一激光束源、所述第二激光束源和所述光学组件，以将所述多个第一激光束脉冲中的第一激光束脉冲和所述多个第二激光束脉冲中的第二激光束脉冲顺序地引导到所述多个目标中的目标，以及

25、根据本发明的激光束量测系统。

26、根据本发明的又一方面，提供了一种euv辐射源，所述euv辐射源包括：

27、根据本发明的激光束系统，以及

28、燃料发射器，所述燃料发射器被配置为产生多个目标。

29、根据本发明的再一方面，提供了一种光刻系统，所述光刻系统包括：

30、根据本发明的euv辐射源，以及

31、光刻设备。

技术特征：

1.一种激光束量测系统，所述激光束量测系统被配置为与激光束系统协作，所述激光束系统被配置为沿着两个独立的光学路径将第一激光束脉冲和第二激光束脉冲顺序地引导到目标，所述激光束量测系统包括：

2.根据权利要求1所述的激光束量测系统，其中所述束控向装置包括：

3.根据前述权利要求中任一项所述的激光束量测系统，其中所述检测系统被配置为：

4.根据权利要求3所述的激光束量测系统，其中所述第一传感器被配置为提供，表示所述第一激光束的重定向部分在所述第一传感器上的位置或所述第一激光束脉冲的反射的反向反射部分的部分在所述第一传感器上的位置的第一信号，以及

5.根据前述权利要求中任一项所述的激光束量测系统，其中所述第一光学元件被配置为透射至少90％的所述第二激光束脉冲，并且其中，所述第一光学元件被配置为透射10％-90％的所述第一激光束脉冲，优选为透射40％-60％的所述第一激光束脉冲。

6.根据前述权利要求中任一项所述的激光束量测系统，还包括第二光学元件，所述第二光学元件被配置为：

7.根据权利要求6所述的激光束量测系统，其中所述第二激光束脉冲的反射部分的部分和所述第一激光束的重定向部分或所述第一激光束脉冲的反射的反向反射部分的部分被重定向到实质上相同的方向上。

8.根据前述权利要求中任一项所述的激光束量测系统，其中所述第一光学元件包括接收所述第一激光束脉冲的反射的第一表面以及接收所述第二激光束脉冲的第二表面。

9.一种激光束系统，包括：

10.根据权利要求9所述的激光束系统，其中所述光学组件被配置为：

11.根据权利要求10所述的激光束系统，其中所述激光束量测系统的所述第一光学元件被布置在所述第二光学路径中。

12.根据权利要求11所述的激光束系统，其中所述光学组件包括被布置在所述第二光学路径中的第一引导元件，所述第一引导元件被配置为：

13.根据权利要求9至12中任一项所述的激光束系统，其中所述多个第一激光束脉冲的辐射波长不同于所述多个第二激光束脉冲的辐射波长。

14.根据权利要求13所述的激光束系统，其中所述多个第二激光束脉冲的辐射波长是所述多个第一激光束脉冲的辐射波长的约10倍。

15.一种euv辐射源，所述euv辐射源包括：

技术总结
一种激光束量测系统(500)，该激光束量测系统被配置为与激光束系统协作，该激光束系统被配置为沿着两个独立的光学路径将第一激光束脉冲和第二激光束脉冲(430)顺序地引导到目标，该激光束量测系统包括束控向装置(470)和检测系统(510)。还描述了包括激光束量测系统和EUV源的激光束系统。

技术研发人员：W·P·贝克,K·P·阿南丹,V·P·甘古利
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15