荧光检测装置及荧光检测方法与流程

文档序号:36959981发布日期:2024-02-07 13:04阅读:20来源:国知局
荧光检测装置及荧光检测方法与流程

本发明涉及荧光检测装置及荧光检测方法。


背景技术:

1、已知有一种利用激发态电子返回基态时放出的荧光来进行分析的方法。例如,关于从nv中心放出的荧光强度能在磁共振下得以的荧光体,已知一种具有氮空位中心(nv中心)的金刚石,该氮空位中心包含取代了碳原子的氮和与该氮邻接的空位。目前正对具有nv中心的微小金刚石(纳米金刚石)研究其各种应用方法,比如将其用作发生荧光的标记物、磁感应子等。

2、在将纳米金刚石用作发生荧光的标记物的情况下,存在难以区别从nv中心放出的荧光和从nv中心以外区域放出的荧光的问题。在专利文献1中,公开了能够选择性地对目标荧光进行视野观察的荧光显微镜。该技术中,通过对测定对象中包含的nv中心照射高频磁场,能够改变从nv中心放出的荧光的强度,从而与从nv中心以外区域放出的强度不变的荧光区别开。

3、(现有技术文献)

4、专利文献1:日本特开2011-180570号公报


技术实现思路

1、(发明要解决的问题)

2、但是,上述现有技术仅能够检测从nv中心放出的荧光,并不将从nv中心以外区域放出的荧光(背景光)作为测定数据来处理,因此存在无法得到盖过信噪比snr(signal tonoise ratio)的信号/背景光比(signal to background ratio)的问题。

3、本发明的一个方式的目的在于,提供一种识别从测定对象放出的荧光的技术,该技术通过进行连同背景光在内的数据处理而提高了测定精度。

4、(用以解决问题的技术手段)

5、为了解决上述课题,本发明的一个方式的荧光检测装置具备:第1生成部,其生成经过了强度调制的用以激励荧光体的激励光,其中该荧光体的荧光强度在磁共振下变动;以及第2生成部,其生成磁场或电磁波,其中所述磁场或所述电磁波引起所述磁共振来改变从所述荧光体放出的荧光的强度。

6、为了解决上述课题,本发明的一个方式的荧光检测方法是检测来自荧光体的荧光的方法,其中该荧光体的荧光强度在磁共振下变动,该荧光检测方法包括:改变背景光强度的步骤、以及改变从所述荧光体放出的荧光的强度的步骤。

7、(发明效果)

8、根据本发明的一个方式,能够提供一种识别从测定对象放出的荧光的技术,该技术通过进行连同背景光在内的数据处理而提高了测定精度。



技术特征:

1.一种荧光检测装置,其具备:

2.根据权利要求1所述的荧光检测装置,其中,

3.根据权利要求1所述的荧光检测装置,其中,

4.根据权利要求2所述的荧光检测装置,其中,

5.根据权利要求3所述的荧光检测装置,其中,

6.根据权利要求4或5所述的荧光检测装置,其中,

7.根据权利要求1~6中任一项所述的荧光检测装置,其中,

8.一种荧光检测方法,其包括:

9.一种荧光检测方法,其检测来自荧光体的荧光,其中该荧光体的荧光强度在磁共振下变动,


技术总结
本发明提供一种识别从测定对象放出的荧光的技术,该技术通过进行连同背景光在内的数据处理而提高了测定精度。荧光检测装置(1)具备:第1生成部(11),其生成经过了强度调制的用以激励荧光体的激励光,其中该荧光体的荧光强度在磁共振下变动;以及第2生成部(12),其生成磁场或电磁波,其中该磁场或该电磁波引起磁共振来改变从荧光体放出的荧光的强度。

技术研发人员:五十岚龙治,柳瑶美,神长辉一
受保护的技术使用者:国立研究开发法人量子科学技术研究开发机构
技术研发日:
技术公布日:2024/2/6
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