本发明涉及冶金辅料,尤其涉及一种结晶器保护渣渣膜结晶性能分析的方法。
背景技术:
1、目前,国内外关于保护渣渣膜传热和润滑的研究,大多为实验室研究;针对实验室研究的小样的保护渣结晶,主要通过结晶器渣膜热流模拟设备获取实验渣的固态渣膜,然后运用光学显微镜观测渣膜的矿物组成、形态及分层结构;其次采用光学显微镜目估法统计渣膜结晶率;具体方法是,选取四至五个视场进行观察,取结晶层厚度与渣膜总厚度比值平均值作为渣膜结晶率大小。
2、而实验室获得的渣膜结构与实际结晶器中的渣膜结构,因冷却速度不同而存在差异。实验室研究的保护渣结晶分析,首先不具备现场指导价值;其次,该方法所测试样品用样极少,由于操作或者其他原因易造成实验结果的不稳定。针对目前目估法估算结晶率大小具有人为因素较大,实验结果具有不可靠性,且分析不够细致,并不能对保护渣的设计或生产具有实际的指导意义。
3、因此,有必要从生产实际出发,探究一种分析结晶器中保护渣渣膜结构特征,并能详细分析渣膜结构的方法;从而,为生产过程中改善浇铸条件以及铸坯质量提供理论依据和指导。
技术实现思路
1、本发明的目的是为了解决现有技术中,保护渣渣膜结晶性能分析存在不足的问题,而提出的一种结晶器保护渣渣膜结晶性能分析的方法。
2、为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
3、一种结晶器保护渣渣膜结晶性能分析的方法,包括以下步骤:
4、s1、取样:现场取出位于结晶器壁弯月面下方中间位置的固态渣膜;
5、s2、镶嵌:将样品固定到模具中,并加入树脂镶嵌;
6、s3、磨抛:将镶嵌后的样品磨抛,至光学显微镜下看不到明显划痕;
7、s4、图像分析:通过图像法进行结晶性能分析。
8、优选的,在步骤s2中:
9、取树脂和凝固液,加入模具中对样品进行镶嵌。
10、优选的,在步骤s2中:
11、所述模具的腔体为圆柱结构,样品垂直放入模具内。
12、优选的,在步骤s2中:
13、临时夹持固定住样品的顶端,使其保持为垂直状态;
14、在加入树脂后,修整样品的垂直状态,并取消临时固定。
15、优选的,在步骤s2中:
16、人工手持夹子进行临时固定,并通过夹子调整树脂中样品的垂直状态;在调整完毕后,将夹子移走。
17、优选的,在步骤s3中:
18、将镶嵌在树脂内的样品,在切割机中沿着渣膜断面方向进行切割,保持渣膜一面平整;
19、之后,再放入抛磨机中进行打磨;直至表面在光学显微镜下看不到明显划痕,且明显能看到固态渣膜的三层结构。
20、优选的,在步骤s4中:
21、将所制备的渣膜样品,通过图像法进行分析,计算出渣膜中每层结构的占比;
22、同时,通过图像法分析结晶层中每种晶型的不同形貌,计算出每种晶型在视野中的占比。
23、优选的,在步骤s4中,分析晶型的占比时:
24、通过图像分析软件,识别出不同矿相、不同相貌的晶体,计算得出不同形貌的结晶率占比。
25、与现有技术相比,本发明提供了一种结晶器保护渣渣膜结晶性能分析的方法,具备以下有益效果。
26、1、本发明,通过直观、简单的方法,能够针对现场取回渣膜进行结晶状况分析,以及对结晶层的晶型、不同保护渣配方的结晶倾向性进行定量分析。
27、2、本发明,克服了实验室过程中渣膜取样的随机性和不均匀性;可以精确测量结晶层、玻璃层、结晶层的3层结构,以及每层结构的占比;可以精准观察结晶层中不同形貌的晶体,通过图像法辨别晶型占比含量。
28、3、本发明,现场取样依托实际工况、环境,具有确切的指导价值,不受实验环境的人为因素干扰,结果可靠;能够提供更加细致、多样的样品,对保护渣的设计或生产提供实际的指导意义。
29、4、本发明,将样品镶嵌在树脂内,使得整体便于夹持、控制,以进行后续的磨抛工序;同时,树脂对渣膜提供保护,避免出现折断、掉块、缺口等现象,更进一步便于后续的操作;包裹后的样品,更加可控的进行精度调整,抛面效果良好。
30、本发明的其他优点、目标和特征,在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述;并且在某种程度上,基于对下文的考察研究,对本领域技术人员而言将是显而易见的;或者,可以从本发明的实践中得到教导。
1.一种结晶器保护渣渣膜结晶性能分析的方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的结晶器保护渣渣膜结晶性能分析的方法,其特征在于,在步骤s2中:
3.根据权利要求1所述的结晶器保护渣渣膜结晶性能分析的方法,其特征在于,在步骤s2中:
4.根据权利要求3所述的结晶器保护渣渣膜结晶性能分析的方法,其特征在于,在步骤s2中:
5.根据权利要求4所述的结晶器保护渣渣膜结晶性能分析的方法,其特征在于,在步骤s2中:
6.根据权利要求1所述的结晶器保护渣渣膜结晶性能分析的方法,其特征在于,在步骤s3中:
7.根据权利要求1所述的结晶器保护渣渣膜结晶性能分析的方法,其特征在于,在步骤s4中:
8.根据权利要求7所述的结晶器保护渣渣膜结晶性能分析的方法,其特征在于,在步骤s4中,分析晶型的占比时: