光电耦合器性能测试方法、系统、电子设备及存储介质与流程

文档序号:35129714发布日期:2023-08-15 01:29阅读:41来源:国知局
光电耦合器性能测试方法、系统、电子设备及存储介质与流程

本申请涉及光电耦合器测试,特别涉及一种光电耦合器性能测试方法、系统、电子设备及存储介质。


背景技术:

1、光电耦合器是以光为媒介来传输电信号的器件,通常把发光器与受光器封装在同一管壳内。当输入端施加相应的电信号时发光器发出光线,受光器接受光线之后产生光电流,从输出端流出,从而实现了“电—光—电”转换。

2、随着光电耦合器的广泛应用,对其可靠性的要求也越来越高,因此对光电耦合器的关键参数,例如,工作电压、响应速度、响应电压稳定性等的测量技术就变得尤为重要。


技术实现思路

1、为了实现对光电耦合器的测试,本申请提供了一种光电耦合器性能测试方法、光电耦合器性能测试系统、电子设备及计算机可读存储介质。

2、根据本申请实施例的一方面,公开了一种光电耦合器性能测试方法,所述光电耦合器性能测试方法包括:

3、对光电耦合器的输入端施加逐渐增大的输入电压,获取所述光电耦合器的输出端的响应电压,并基于所述响应电压确定所述光电耦合器的工作电压;

4、对所述光电耦合器的输入端施加所述工作电压,以获得所述光电耦合器的导通响应时间、关断响应时间以及响应电压稳定性中的至少一者。

5、在一种示例性实施例中,所述对所述光电耦合器的输入端施加所述工作电压,以获得所述光电耦合器的导通响应时间、关断响应时间以及响应电压稳定性中的至少一者,包括:

6、对所述光电耦合器的输入端施加所述工作电压,获取所述光电耦合器的输出端的响应电压上升至第一电压所需的响应时间,作为导通响应时间;和/或,

7、对所述光电耦合器的输入端施加所述工作电压的情况下,在所述光电耦合器的输出端的响应电压达到额定输出电压值预设时间之后,停止对所述光电耦合器的输入端施加所述工作电压,并获取所述光电耦合器的输出端的响应电压下降至第二电压所需的响应时间,作为关断响应时间;和/或,

8、对所述光电耦合器的输入端施加所述工作电压的情况下,在所述光电耦合器的输出端的响应电压达到所述额定输出电压值后,获取所述光电耦合器的输出端在多个时刻的响应电压,基于所述多个时刻的响应电压确定所述光电耦合器的响应电压稳定性。

9、在一种示例性实施例中,所述基于所述多个时刻的响应电压确定所述光电耦合器的响应电压稳定性,包括:

10、获取所述多个时刻的响应电压的方差;

11、基于所述方差确定所述光电耦合器的响应电压稳定性。

12、在一种示例性实施例中,所述工作电压为所述光电耦合器的输出端的两响应电压之间的差值与所述两响应电压对应的输入电压差值的比值下降至tan40°时的输入电压;和/或,所述第一电压为所述光电耦合器的输出端两响应电压之间的差值与所述两响应电压对应的采样时间差值的比值下降至tan10°时的响应电压;和/或,所述第二电压为零。

13、在一种示例性实施例中,所述光电耦合器性能测试方法还包括:

14、绘制表征所述光电耦合器的输出端的响应电压随所述逐渐增大的输入电压变化的电压曲线;和/或,

15、绘制对所述光电耦合器的输入端施加所述工作电压时所述光电耦合器的输出端的响应电压随时间变化的电压曲线;和/或,

16、绘制停止对所述光电耦合器的输入端施加所述工作电压的情况下所述光电耦合器的输出端的响应电压随时间变化的电压曲线。

17、根据本申请实施例的一方面,公开了一种光电耦合器性能测试系统,所述光电耦合器性能测试系统包括测试座和主控模块,所述测试座用于连接光电耦合器;所述主控模块电连接所述测试座,被配置为执行如上所述的光电耦合器性能测试方法。

18、在一种示例性实施例中,所述测试座包括座体和设置在所述座体的多个测试单元,所述测试单元具有第一输入连接端子、第二输入连接端子、第一输出连接端子以及第二输出连接端子,所述第一输入连接端子电连接所述主控模块,所述第二输入连接端子串联第一电阻,所述第一电阻的另一端接地,所述第一输出连接端子串联第二电阻,所述第二电阻的另一端接电源,所述第二输出连接端子电连接所述主控模块。

19、在一种示例性实施例中,所述多个测试单元包括第一测试单元和第二测试单元,所述第一测试单元的第一输入连接端子、第二输入连接端与第一输出连接端子、第二输出连接端子位置相对;所述第二测试单元的第一输入连接端子、第二输入连接端与第一输出连接端子、第二输出连接端子位置错开,且所述第二测试单元还具有电源连接端子,所述电源连接端子连接电源。

20、在一种示例性实施例中,所述光电耦合器性能测试系统还包括模拟复用单元,所述模拟复用单元连接在所述主控模块和所述多个测试单元之间,用于选择性将所述主控模块和各所述测试单元之间的连接回路导通或断开。

21、根据本申请实施例的一方面,公开了一种电子设备,包括一个或多个处理器和存储器,所述存储器用于存储一个或多个计算机程序,当所述一个或多个计算机程序被所述一个或多个处理器执行时,使得所述处理器实现前述的光电耦合器性能测试方法。

22、根据本申请实施例的一方面,公开了一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有计算机可读指令,当所述计算机可读指令被计算机的处理器执行时,使所述计算机执行前述的光电耦合器性能测试方法。

23、本申请的实施例提供的技术方案至少包括以下有益效果:

24、本申请提供的技术方案,首先对光电耦合器的输入端施加逐渐增大的输入电压,基于光电耦合器的输出端的响应电压确定光电耦合器的工作电压,再对光电耦合器的输入端施加所确定的工作电压,从而进一步获得其他性能参数,例如导通响应时间、关断响应时间、响应电压稳定性等,实现了对光电耦合器的工作电压等性能参数的测试,以进一步评估光电耦合器是否合格;且,本申请在所确定的光电耦合器的工作电压下进行其他性能参数的测试,测试结果准确性更高。

25、应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的,并不能限制本申请。



技术特征:

1.一种光电耦合器性能测试方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的光电耦合器性能测试方法,其特征在于,所述对所述光电耦合器的输入端施加所述工作电压,以获得所述光电耦合器的导通响应时间、关断响应时间以及响应电压稳定性中的至少一者,包括:

3.根据权利要求2所述的光电耦合器性能测试方法,其特征在于,所述基于所述多个时刻的响应电压确定所述光电耦合器的响应电压稳定性,包括:

4.根据权利要求2所述的光电耦合器性能测试方法,其特征在于,所述工作电压为所述光电耦合器的输出端的两响应电压之间的差值与所述两响应电压对应的输入电压差值的比值下降至tan40°时的输入电压;

5.根据权利要求2所述的光电耦合器性能测试方法,其特征在于,还包括:

6.一种光电耦合器性能测试系统,其特征在于,包括:

7.根据权利要求6所述的光电耦合器性能测试系统,其特征在于,所述测试座包括:

8.根据权利要求7所述的光电耦合器性能测试系统,其特征在于,所述多个测试单元包括:

9.一种电子设备,其特征在于,包括:

10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质存储有计算机可读指令,当所述计算机可读指令被计算机的处理器执行时,使所述计算机执行如权利要求1至5任一项所述的光电耦合器性能测试方法。


技术总结
本申请揭示一种光电耦合器性能测试方法、测试系统、电子设备及计算机可读存储介质,该方案首先对光电耦合器的输入端施加逐渐增大的输入电压,基于光电耦合器的输出端的响应电压确定光电耦合器的工作电压,再对光电耦合器的输入端施加所确定的工作电压,从而进一步获得其他性能参数,例如导通响应时间、关断响应时间、响应电压稳定性等,实现了对光电耦合器的工作电压等性能参数的测试,以进一步评估光电耦合器是否合格;且,本申请在所确定的光电耦合器的工作电压下进行其他性能参数的测试,测试结果准确性更高。

技术研发人员:宋修扬,孙军旗,赵利,张军,袁海兵,孙玉群,鲁艳春
受保护的技术使用者:北海惠科半导体科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/14
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1