ISFET阵列传感器芯片的状态检测方法及相关装置与流程

本申请涉及电子元件，特别涉及一种isfet阵列传感器芯片的状态检测方法、状态检测装置、检测设备以及计算机可读存储介质。

背景技术：

1、随着电子技术的不断发展，出现了越来越多的电子元件。其中，isfet(ionsensitive field effect transistor，离子敏场效应晶体管)是一种微电子离子选择性敏感元件，其制作方法是去掉普通mosfet的金属栅极，在绝缘层上修饰特定的离子敏感膜，将敏感膜与待测样品接触，测得的漏源电流与响应离子的浓度会呈线性关系，从而可以检测特定离子的浓度。近年来isfet作为生物传感器的一个分支，可以用来检测h+、na+、cl-等无机离子，也可以检测抗原抗体反应、微生物等，因此isfet在临床医学、工业控制、环境监测等研究中应用广泛。

2、相关技术中，当对isfet阵列传感器芯片进行电学性能验证时，将裸露的isfet悬浮栅放置在空气中，通过配置相应的电压电流、时钟等信号来检测输出电压。但此时isfet阵列芯片的输出电压一般接近0v或电源电压，而芯片电学检测信号正常及芯片电路短路/断路均会造成该情况，无法判断芯片状况，降低了对芯片状态检测的准确性。

3、因此，如何提高对芯片状态检测的准确性是本领域技术人员关注的重点问题。

技术实现思路

1、本申请的目的是提供一种isfet阵列传感器芯片的状态检测方法、状态检测装置、检测设备以及计算机可读存储介质，以提高对芯片状态检测的准确性。

2、为解决上述技术问题，本申请提供一种isfet阵列传感器芯片的状态检测方法，包括：

3、基于从芯片中随机选择的阵元的施加电压作为正常工作电压；

4、基于预设规则从所述芯片中选择多个待检测阵元；

5、基于所述正常工作电压对所述多个阵元进行状态检测，得到检测结果。

6、可选的，基于从芯片中随机选择的阵元的施加电压作为正常工作电压，包括：

7、从所述芯片中随机选择多个阵元；

8、从所述多个阵元的栅极引出的施加电压作为所述正常工作电压。

9、可选的，基于预设规则从所述芯片中选择多个待检测阵元，包括：

10、基于所述预设规则从所述芯片中选择多个阵元行；

11、将所述多个阵元行的阵元作为所述多个待检测阵元。

12、可选的，基于预设规则从所述芯片中选择多个待检测阵元，包括：

13、基于所述预设规则从所述芯片中选择多个阵元列；

14、将所述多个阵元列的阵元作为所述多个待检测阵元。

15、可选的，基于预设规则从所述芯片中选择多个待检测阵元，包括：

16、基于所述预设规则从所述芯片中选择最外环的多层阵元；

17、将所述多个多层阵元作为所述多个待检测阵元。

18、可选的，基于所述正常工作电压对所述多个阵元进行状态检测，得到检测结果，包括：

19、对所述芯片配置对应的电压电流和时钟信号；

20、基于所述电压电流、所述时钟信号以及所述正常工作电压对所述多个阵元进行状态检测，得到所述检测结果。

21、可选的，基于所述正常工作电压对所述多个阵元进行状态检测，得到检测结果，包括：

22、对每次选择得到的多个待检测阵元进行状态检测，得到单次检测结果，直至将所有的阵元检测完成，得到所述检测结果。

23、本申请还提供一种isfet阵列传感器芯片的状态检测装置，包括：

24、工作电压确定模块，用于基于从芯片中随机选择的阵元的施加电压作为正常工作电压；

25、阵元选择模块，用于基于预设规则从所述芯片中选择多个待检测阵元；

26、状态检测模块，用于基于所述正常工作电压对所述多个阵元进行状态检测，得到检测结果。

27、本申请还提供一种检测设备，包括：

28、存储器，用于存储计算机程序；

29、处理器，用于执行所述计算机程序时实现如上所述的状态检测方法的步骤。

30、本申请还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上所述的状态检测方法的步骤。

31、本申请所提供的一种isfet阵列传感器芯片的状态检测方法，包括：基于从芯片中随机选择的阵元的施加电压作为正常工作电压；基于预设规则从所述芯片中选择多个待检测阵元；基于所述正常工作电压对所述多个阵元进行状态检测，得到检测结果。

32、通过随机选择的阵元的施加电压作为进行状态检测的正常工作电压，避免了选择基准电压不准确的问题，然后基于预设规则从所述芯片中选择多个待检测阵元；基于所述正常工作电压对所述多个阵元进行状态检测，得到检测结果，而不是按照顺序对阵元进行检测，避免最初进行检测的信号丢失的问题，提高对芯片状态检测的准确性。

33、本申请还提供一种isfet阵列传感器芯片的状态检测装置、检测设备以及计算机可读存储介质，具有以上有益效果，在此不作赘述。

技术特征：

1.一种isfet阵列传感器芯片的状态检测方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的状态检测方法，其特征在于，基于从芯片中随机选择的阵元的施加电压作为正常工作电压，包括：

3.根据权利要求1所述的状态检测方法，其特征在于，基于预设规则从所述芯片中选择多个待检测阵元，包括：

4.根据权利要求1所述的状态检测方法，其特征在于，基于预设规则从所述芯片中选择多个待检测阵元，包括：

5.根据权利要求1所述的状态检测方法，其特征在于，基于预设规则从所述芯片中选择多个待检测阵元，包括：

6.根据权利要求1所述的状态检测方法，其特征在于，基于所述正常工作电压对所述多个阵元进行状态检测，得到检测结果，包括：

7.根据权利要求1所述的状态检测方法，其特征在于，基于所述正常工作电压对所述多个阵元进行状态检测，得到检测结果，包括：

8.一种isfet阵列传感器芯片的状态检测装置，其特征在于，包括：

9.一种检测设备，其特征在于，包括：

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述的状态检测方法的步骤。

技术总结
本申请公开了一种ISFET阵列传感器芯片的状态检测方法，包括：基于从芯片中随机选择的阵元的施加电压作为正常工作电压；基于预设规则从芯片中选择多个待检测阵元；基于正常工作电压对多个阵元进行状态检测，得到检测结果。通过随机选择的阵元的施加电压作为进行状态检测的正常工作电压，避免了选择基准电压不准确的问题，然后基于预设规则从芯片中选择多个待检测阵元；基于正常工作电压对多个阵元进行状态检测，得到检测结果，而不是按照顺序对阵元进行检测，避免最初进行检测的信号丢失的问题，提高对芯片状态检测的准确性。本申请还公开一种ISFET阵列传感器芯片的状态检测装置、检测设备以及计算机可读存储介质。

技术研发人员：袁欣欣
受保护的技术使用者：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13