利用软门级偏压防止MOS泄漏的方法与流程

本发明涉及稳压装置，尤其涉及利用软门级偏压防止mos泄漏的方法。

背景技术：

1、在一ttl兼容的芯片中，该芯片上的每一输入/输出引脚经常直接地与一反相器连接，构成一输入缓冲器的一部份。通常，反相器由一pmos晶体管的漏极与一nmos晶体管的漏极互相连接而成。该pmos组件的源极与电源连接而该nmos组件的源极接地。在一由5v电源驱动的典型ttl兼容芯片中，一输入信号的电压在任何地方都介乎-0.5v到0.8v之间。假如一低位输入信号接近其合理值上限的0.8v，在反相器中的pmos晶体管会导通，而预期会关闭的nmos晶体管会因为其栅极电压高于其临界电压而局部导通。结果是泄漏电流会从电源流过pmos晶体管，然后通过nmos晶体管流到地线，从而容易导致损坏。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供利用软门级偏压防止mos泄漏的方法，旨在可以很好地对mos管的结构进行改进，提高测试开发效率，以防止mos管泄漏，从而可以提高mos管的使用寿命。

2、为实现上述目的，本发明提供了利用软门级偏压防止mos泄漏的方法，包括对mos管的漏电流进行测试；

3、基于测试结果对mos管的结构进行改进，得到改进mos管；

4、在改进mos管的门级和源极之间添加一个电容器，得到第二mos管；

5、对第二mos管的结构进行实验验证。

6、其中，在所述对第二mos管的结构进行实验验证之后，所述方法还包括：对实验数据进行存储。

7、其中，在所述对实验数据进行存储之后，所述方法还包括对不同参数的mos管的验证结果进行预测。

8、其中，所述对mos管的漏电流进行测试的具体步骤包括：

9、将测试部件与mos管连接，加载测试电压，测得mos管漏电流的值；

10、测得mos管漏电流值后，断开所述测试部件与mos管；

11、判定测试的次数是否等于预设次数，如果是，预设次数测试的mos管最小漏电流值为测试mos管漏电流值，并停止测试。

12、其中，所述基于测试结果对mos管的结构进行改进，得到改进mos管的具体方式是：

13、基于测试结果生成加工等级；

14、基于加工等级在mos管的硅衬底上分别形成栅极介质层、掺杂多晶硅层、一层硅化钨层；

15、在对mos管的源极和漏极进行离子注入时，源极和漏极的掺杂注入方向在垂直于硅片的方向的基础上朝着源极的一侧倾斜预设锐角。

16、其中，所述基于加工等级在硅衬底上分别形成栅极介质层、掺杂多晶硅层、一层硅化钨层的具体方式是：

17、s1获取加工等级；

18、s2在硅衬底上形成一层栅极介质层；

19、s3在栅极介质层上形成一层掺杂多晶硅层；

20、s4在掺杂多晶硅层上形成一层硅化钨层；

21、s5在硅化钨层上形成一层低阻金属层；

22、s6基于加工等级重复步骤s2~s5。

23、其中，所述在mos管的栅极和源极之间添加一个电容器，得到改进mos管的具体步骤包括：

24、在mos管的栅极和源极之间添加一个电容器；

25、调整电容器的阻值，将门级电压偏离零点到预设值，使mos管处于半开状态；

26、对mos管进行温度补偿。

27、本发明的利用软门级偏压防止mos泄漏的方法，包括对mos管的漏电流进行测试；基于测试结果对mos管的结构进行改进，得到改进mos管；在改进mos管的门级和源极之间添加一个电容器，得到第二mos管；对第二mos管的结构进行实验验证。从而可以很好地对mos管的结构进行改进，提高测试开发效率，以防止mos管泄漏，从而可以提高mos管的使用寿命。

技术特征：

1.利用软门级偏压防止mos泄漏的方法，其特征在于，

2.如权利要求1所述的利用软门级偏压防止mos泄漏的方法，其特征在于，

3.如权利要求2所述的利用软门级偏压防止mos泄漏的方法，其特征在于，

4.如权利要求3所述的利用软门级偏压防止mos泄漏的方法，其特征在于，

5.如权利要求4所述的利用软门级偏压防止mos泄漏的方法，其特征在于，

6.如权利要求5所述的利用软门级偏压防止mos泄漏的方法，其特征在于，

7.如权利要求6所述的利用软门级偏压防止mos泄漏的方法，其特征在于，

技术总结
本发明涉及稳压装置技术领域，具体涉及利用软门级偏压防止MOS泄漏的方法，包括对MOS管的漏电流进行测试；基于测试结果对MOS管的结构进行改进，得到改进MOS管；在改进MOS管的门级和源极之间添加一个电容器，得到第二MOS管；对第二MOS管的结构进行实验验证。从而可以很好地对MOS管的结构进行改进，提高测试开发效率，以防止MOS管泄漏，从而可以提高MOS管的使用寿命。

技术研发人员：蔡颖昭,王彭樑,邵伟,姜亚荣,凯利·麦克·西蒙
受保护的技术使用者：安普德（天津）科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13