一种高密连接器连接状态的检测系统的制作方法

本发明属于服务器，尤其涉及一种高密连接器连接状态的检测系统。

背景技术：

1、高密连接器的检测需要机械臂将待检测的高密连接器从料盘或传送带上取下，并将检测合格或不合格的高密连接器分类放置，通过镜头和光源等组成的视觉系统，对高密连接器进行外观、尺寸和颜色等方面的检测，还需要通过测试夹具和测试仪器等对高密连接器的电气性能进行测试，如接触阻抗、绝缘电阻等，将采集到的数据进行处理和分析，判断高密连接器是否合格，并将检测结果反馈给机械臂控制系统。

2、高密连接器检测系统，由于时钟信号的波动频差范围较大、容错率高，不需要设置电压注入、精密分压电路、比较器电路，如图1所示，比较是通过译码器直接进行对比输出，例如连接器引脚为16位，则将两个连接端经耦合采集控制后接入到译码器，连接器引脚无误时一致，以此判断。

3、公告号cn111966033b的中国专利，其检测的方法是通过对高连接器一端的每一个引脚发送检测数据，另一端接收后进行数据对比，支持引脚全覆盖检测场景和相邻检测场景。该方案的检测要通过控制器轮流输入对比的方式进行检测，将控制器的时钟进行分离。

4、该方案在测试期间的高密连接器引脚全部被占用，测试完成才可以继续使用，此外，出现时钟信号和采集控制的频率不一致、数据错位问题时，会产生直接报警。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明提出了一种检测高密连接器连接状态的检测电路，测试期间的高密连接器引脚不需要占用全部引脚，且时钟信号和采集控制的频率不一致、数据错位问题时，不会产生报警。

2、本发明公开的高密连接器连接状态的检测系统，包括控制器、nmos管q3、nmos管q6、电阻r1、光耦模块u1、三极管q2、电阻r4、电阻r5、三极管q5、三极管q4、二极管d4和电阻r9；

3、nmos管q3的栅极分别连接nmos管q6的栅极、接口p1，漏极连接接口pa_1，源极连接三极管q2的基极，三极管q2的发射极分别连接电阻r1的一端、光耦模块u1的正极，光耦模块u1的负极接地；nmos管q6的漏极分别连接接口pa_2、二极管d4的正极，源极分别连接电阻r5的一端、三极管q4的集电极、三极管q5的基极；二极管d4的负极连接电阻r9的一端，电阻r9的另一端接地。

4、进一步地，检测系统还包括电阻r3、二极管d1；电阻r3的一端分别连接三极管q2的集电极、三极管q1的基极，电阻r3的另一端连接二极管d1的负极，二极管d1的正极连接接口p2。

5、进一步地，检测系统还包括电阻r6、光耦模块u2；电阻r6的一端分别连接电源、电阻r1的另一端，电阻r6的另一端分别连接电阻r5的另一端、三极管q5的发射极、光耦模块u2的正极，光耦模块u2的负极接地。

6、进一步地，检测系统还包括二极管d2、电阻r7；二极管d2的正极连接二极管d1的正极，二极管d2的负极连接电阻r7的一端，电阻r7的另一端分别连接三极管q5的集电极、三极管q4的基极。

7、进一步地，检测系统还包括电阻r2，三极管q1；电阻r2的一端分别连接三极管q2的发射极、电阻r1的一端、光耦模块u1的正极，电阻r2的另一端分别连接三极管q2的基极、nmos管q3的源极、三极管q1的集电极，三极管q1的发射极分别连接三极管q4的发射极、地。

8、进一步地，检测系统还包括二极管d3、电阻r8；二极管d3的正极连接nmos管q3的漏极，负极连接电阻r8的一端，电阻r8的另一端接地。

9、本发明的有益效果如下：

10、对高密连接器的两个连接端在传输时检测，不占用连接器引脚，且时钟信号和采集控制的频率不一致、数据错位问题时，不会产生报警。

技术特征：

1.一种高密连接器连接状态的检测系统，其特征在于，包括控制器、nmos管q3、nmos管q6、电阻r1、光耦模块u1、三极管q2、电阻r4、电阻r5、三极管q5、三极管q4、二极管d4和电阻r9；

2.根据权利要求1所述的高密连接器连接状态的检测系统，其特征在于，检测系统还包括电阻r3、二极管d1；电阻r3用于限流，二极管d1用于后级电路防反；电阻r3的一端分别连接三极管q2的集电极、三极管q1的基极，电阻r3的另一端连接二极管d1的负极，二极管d1的正极连接接口p2。

3. 根据权利要求2所述的高密连接器连接状态的检测系统，其特征在于，检测系统还包括电阻r6、光耦模块u2；电阻r6用于限流，光耦模块 u2用于耦合信号；电阻r6的一端分别连接电源、电阻r1的另一端，电阻r6的另一端分别连接电阻r5的另一端、三极管q5的发射极、光耦模块u2的正极，光耦模块u2的负极接地。

4.根据权利要求3所述的高密连接器连接状态的检测系统，其特征在于，检测系统还包括二极管d2、电阻r7；二极管d2用于后级电路防反，电阻r7用于采集时序的控制；二极管d2的正极连接二极管d1的正极，二极管d2的负极连接电阻r7的一端，电阻r7的另一端分别连接三极管q5的集电极、三极管q4的基极。

5.根据权利要求4所述的高密连接器连接状态的检测系统，其特征在于，检测系统还包括电阻r2，三极管q1；电阻r2的一端分别连接三极管q2的发射极、电阻r1的一端、光耦模块u1的正极，电阻r2的另一端分别连接三极管q2的基极、nmos管q3的源极、三极管q1的集电极，三极管q1的发射极分别连接三极管q4的发射极、地；电阻r2下拉三极管q1电位，并和电阻r1串联给三极管q2供电，三极管q1用于在接口p2不唤醒、接口p1高电平时释放nmos管q3输出的信号。

6.根据权利要求5所述的高密连接器连接状态的检测系统，其特征在于，检测系统还包括二极管d3、电阻r8；二极管d3用于钳位nmos管q3漏电流，电阻r8用于限流；二极管d3的正极连接nmos管q3的漏极，负极连接电阻r8的一端，电阻r8的另一端接地。

技术总结
本发明公开了一种高密连接器连接状态的检测系统，包括控制器、NMOS管Q3、NMOS管Q6、电阻R1、光耦模块U1、三极管Q2、电阻R4、电阻R5、三极管Q5、三极管Q4、二极管D4和电阻R9；NMOS管Q3的栅极分别连接NMOS管Q6的栅极、接口P1，漏极连接接口PA_1，源极连接三极管Q2的基极，三极管Q2的发射极分别连接电阻R1的一端、光耦模块U1的正极，光耦模块U1的负极接地；NMOS管Q6的漏极分别连接接口PA_2、二极管D4的正极，源极分别连接电阻R5的一端、三极管Q4的集电极、三极管Q5的基极。本发明对高密连接器的两个连接端在传输时检测，不占用连接器引脚。

技术研发人员：刘聃,刘江舟,何志坚
受保护的技术使用者：湖南腾方中科科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13