测试设备、测试系统,以及测试方法与流程

文档序号:36234101发布日期:2023-12-01 14:08阅读:35来源:国知局
测试设备、测试系统,以及测试方法与流程

本揭露是关于一种测试设备、测试系统,以及测试方法。


背景技术:

1、半导体集成电路(semiconductor integrated circuit,ic)工业已经历指数增长。ic材料及设计中的技术进步已产生每一世代具有相较于先前世代的较小及较复杂电路的ic的世代。在ic进化的过程中,功能密度(亦即,每晶片面积互连装置的数目)已大体上增加,而几何形状大小(亦即,可使用制造工艺创造的最小组件(或接线)已减小。此按比例缩小工艺通常通过提高生产效率及降低相关成本来提供效益。

2、然而,在按比例缩小工艺继续时,该按比例缩小工艺已引起某些制造挑战。例如,可作为除错工艺的一部分而测试已经历故障或其他效能问题的ic晶片以识别故障或效能问题的来源。然而,因为ic晶片是在愈来愈小的技术节点下制造,所以ic晶片的除错可变得日益困难。通常,ic晶片上的现有电路组件(例如,现有金属化组件)可阻挡或以其他方式干扰除错工艺。因此,尽管现有ic晶片除错工艺已大体上适用于这些现有ic晶片除错工艺的预期目的,但这些现有ic晶片除错工艺尚未在每一方面完全令人满意。


技术实现思路

1、本揭露的一个态样涉及测试设备,包含测试工具的插座用以提供测试信号。受测装置(device-under-test,dut)板用以提供电气路由。集成电路(integrated circuit,ic)晶粒安置在插座与dut板之间。测试信号通过dut板电气地路由至ic晶粒。ic晶粒包括基板,多个晶体管形成在基板中。第一结构含有多个第一金属化组件。第二结构含有多个第二金属化组件。第一结构安置在基板的第一侧之上。第二结构安置在与第一侧相反的基板的第二侧之上。

2、本揭露的另一态样涉及测试系统,包含集成电路(integrated circuit,ic)封装组件包括ic晶粒及接合至ic晶粒的印刷电路板(printed circuit board,pcb)基板。测试工具的插座安置在ic封装组件的第一侧之上。受测装置(device-under-test,dut)板安置在ic封装组件的第二侧之上。dut板用以将通过测试工具提供的测试信号自插座路由至ic封装组件。ic封装组件回应于接收测试信号而产生电气信号或光学信号。沟槽延伸穿过dut板、穿过pcb基板,且自第二侧部分地延伸至ic晶粒中。信号侦测工具安置在ic封装组件的第二侧之上。信号侦测工具用以侦测通过ic封装产生的电气信号或光学信号。电气信号或光学信号经由沟槽朝向第二侧传播。

3、本揭露的又一态样涉及测试方法,包含提供集成电路(integrated circuit,ic)封装组件。集成电路封装件包括ic晶粒。ic晶粒包括半导体基板、安置在半导体基板的第一侧之上的第一金属化结构,及安置在与第一侧相反的半导体基板的第二侧之上的第二金属化结构。ic封装组件进一步包括自第二侧接合至ic晶粒的印刷电路板(printed circuitboard,pcb)基板。ic封装组件耦接至受测装置(device-under-test,dut)板。dut板通过pcb基板耦接至ic封装组件。形成沟槽,沟槽延伸穿过dut板、穿过pcb基板,且部分地延伸至ic晶粒中。沟槽自第二侧朝向第一侧延伸。在形成沟槽之后,将测试工具的插座耦接至dut板。执行插座的耦接,使得在插座耦接之后,ic封装组件定位于dut板与插座之间。



技术特征:

1.一种测试设备,其特征在于,包含:

2.如权利要求1所述的测试设备,其特征在于,其中:

3.如权利要求2所述的测试设备,其特征在于,其中一沟槽延伸穿过该受测装置板且自该第二侧部分地延伸至该集成电路晶粒中。

4.如权利要求1所述的测试设备,其特征在于,进一步包含一印刷电路板基板,该印刷电路板基板接合在该集成电路晶粒与该受测装置板之间。

5.一种测试系统,其特征在于,包含:

6.如权利要求5所述的测试系统,其特征在于,其中该集成电路晶粒包括:

7.如权利要求5所述的测试系统,其特征在于,其中:

8.一种测试方法,其特征在于,包含以下步骤:

9.如权利要求8所述的测试方法,其特征在于,进一步包含以下步骤:

10.如权利要求8所述的测试方法,其特征在于,其中该形成该沟槽经执行,使得该沟槽至少部分地穿过该第二金属化结构延伸。


技术总结
一种测试设备、测试系统,以及测试方法。测试设备包含测试工具的插座用以提供测试信号。受测装置(DUT)板用以提供电气路由。集成电路(IC)晶粒安置在该插座与该DUT板之间。该些测试信号通过该DUT板电气地路由至该IC晶粒。该IC晶粒包括基板,多个晶体管形成在该基板中。第一结构含有多个第一金属化组件。第二结构含有多个第二金属化组件。该第一结构安置在该基板的第一侧之上。该第二结构安置在与该第一侧相反的该基板的第二侧之上。沟槽延伸穿过该DUT板且自该第二侧部分地延伸至该IC晶粒中。信号侦测工具用以侦测通过该IC晶粒产生的电气信号或光学信号。

技术研发人员:陈建宜,刘高志,林家弘,林裕庭,顾旻峰
受保护的技术使用者:台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/16
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