一种导流筒水平检测的方法和结构与流程

文档序号:35832432发布日期:2023-10-25 08:49阅读:33来源:国知局
一种导流筒水平检测的方法和结构与流程

本发明涉及太阳能光伏,特别涉及一种导流筒水平检测的方法和结构。


背景技术:

1、太阳能在现今社会得到了广泛的应用,其不仅改善了环境,而且也解决了部分能源问题。在太阳能的利用中,光电转换利用最为广泛,在光电转换中,需要大量使用硅电池,由此导致光伏级别单晶硅的大量需求。

2、目前,直拉法生长单晶硅是目前生产单晶硅最广泛的应用技术,随着市场竞争加剧,成本压力增加,因此,现单晶硅制造商通过降低热场件价格来降低成本,而为了维持单晶正常生长需要增加导流筒,因此导流筒成为当前直拉单晶炉的重要系统之一。

3、目前在单晶炉中,因为炉盖形状及观察窗角度均无法准确判断导流筒水平度,导流筒是否水平主要通过人员肉眼查看来,且判断存在盲区导致准确率不高。


技术实现思路

1、有鉴于此,本发明提供了一种导流筒水平检测的方法,提高检测准确率,降低成本,提高工作效率。

2、为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

3、一种导流筒水平检测的方法,包括步骤:

4、s1、获取不同图像采集装置的采集的液口距像素值;

5、s2、根据所述液口距像素值与实际导流筒口径值进行计算得出转换系数;

6、s3、然后将测量点移动至x轴测量区间以及y轴测量区间,分别测量四个区间像素值;

7、s4、然后将其像素值利用转换系数得出检测物实际距离;

8、s5、对比实际距离的差异判断出导流筒是否水平。

9、优选地,在所述步骤s1中,所述不同图像采集装置包括垂直方向分布的第一图像采集装置和第二图像采集装置。

10、优选地,在所述步骤s2中,所述转换系数为所述实际导流筒口径值和所述液口距像素值的比值。

11、优选地,在所述步骤s4中,根据倒影边缘与所述导流筒口之间的像素值之差可以确认所述液口距的像素值,根据所述像素值及转换系数得出真实的距离值。

12、优选地,在所述步骤s4中,通过液面像素值与转换系数的比值,得出实际距离,通过x轴两个区间的实际距离数值和y轴两个区间的实际距离数值进行判断。

13、优选地,在所述步骤s5中,若偏差≤1mm则导流筒为水平,若偏差>1mm则导流筒水平度较差,偏差量越大则说明导流筒水平度越差。

14、一种导流筒水平检测的结构,采用上述的导流筒水平检测的方法,包括:第一图像采集装置和第二图像采集装置;

15、所述第一图像采集装置和所述第二图像采集装置设置于炉盖。

16、优选地,所述第一图像采集装置和所述第二图像采集装置沿单晶炉的周向间隔90°排布。

17、优选地,所述第一图像采集装置和所述第二图像采集装置的均为腰形结构。

18、优选地,所述第一图像采集装置和所述第二图像采集装置为ccd相机。

19、从上述的技术方案可以看出,本发明提供的导流筒水平检测的方法,该检测方法通过图像采集装置,采集的液口距像素值,和实际导流筒口径转换得出转换系数;然后通过采集的x轴测量区间和y轴测量区间,通过转换系数得出实际值,得出的实际值和检测物实际距离进行比较,进而判断出导流筒是否水平。

20、本发明还提供了一种导流筒水平检测的结构由于采用了上述的导流筒水平检测的方法,因此其也就具有相应的有益效果,具体可以参考前面说明,在此不再赘述。



技术特征:

1.一种导流筒水平检测的方法,其特征在于,包括步骤:

2.根据权利要求1所述的导流筒水平检测的方法,其特征在于,在所述步骤s1中,所述不同图像采集装置包括垂直方向分布的第一图像采集装置(11)和第二图像采集装置(12)。

3.根据权利要求1所述的导流筒水平检测的方法,其特征在于,在所述步骤s2中,所述转换系数为所述实际导流筒口径值和所述液口距像素值的比值。

4.根据权利要求1所述的导流筒水平检测的方法,其特征在于,在所述步骤s3中,将x轴和y轴的原点移动至所述图像采集装置对籽晶的捕捉光圈的圆心。

5.根据权利要求1所述的导流筒水平检测的方法,其特征在于,在所述步骤s4中,根据导流筒下口的倒影边缘与所述导流筒下口之间的像素值之差确认所述液口距的像素值,根据所述像素值及转换系数得出真实的距离值。

6.根据权利要求1所述的导流筒水平检测的方法,其特征在于,在所述步骤s4中,通过液面像素值与转换系数的比值,得出实际距离,通过x轴两个区间的实际距离数值和y轴两个区间的实际距离数值进行判断。

7.根据权利要求1所述的导流筒水平检测的方法,其特征在于,在所述步骤s5中,若偏差≤1mm则导流筒为水平,若偏差>1mm则导流筒水平度较差,偏差量越大则说明导流筒水平度越差。

8.一种导流筒水平检测的结构,其特征在于,采用如权利要求1-7任意任意一项所述的导流筒水平检测的方法,包括:第一图像采集装置(11)和第二图像采集装置(12);

9.根据权利要求8所述的导流筒水平检测的结构,其特征在于,所述第一图像采集装置(11)和所述第二图像采集装置(12)沿单晶炉的周向间隔90°排布。

10.根据权利要求8所述的导流筒水平检测的结构,其特征在于,所述第一图像采集装置(11)和所述第二图像采集装置(12)的均为腰形结构。

11.根据权利要求8所述的导流筒水平检测的结构,其特征在于,所述第一图像采集装置(11)和所述第二图像采集装置(12)为ccd相机。


技术总结
本发明公开了一种导流筒水平检测的方法,包括步骤:S1、获取不同图像采集装置的采集的液口距像素值;S2、根据液口距像素值与实际导流筒口径值进行计算得出转换系数;S3、然后将测量点移动至X轴测量区间以及Y轴测量区间,分别测量四个区间像素值;S4、然后将其像素值利用转换系数得出检测物实际距离;S5、对比实际距离的差异判断出导流筒是否水平;该方案通过图像采集装置,采集的液口距像素值,和实际导流筒口径转换得出转换系数;然后通过采集的X轴测量区间和Y轴测量区间,通过转换系数得出实际值,得出的实际值和检测物实际距离进行比较,进而判断出导流筒是否水平。本发明还公开了一种应用上述方法的导流筒水平检测的结构。

技术研发人员:周涛,王新强,杨政
受保护的技术使用者:双良硅材料(包头)有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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