一种检测片式多层陶瓷电容器端部角裂的方法与流程

文档序号:36162149发布日期:2023-11-23 10:40阅读:44来源:国知局
一种检测片式多层陶瓷电容器端部角裂的方法与流程

本申请涉及片式多层陶瓷电容器,具体涉及一种检测片式多层陶瓷电容器的端部角裂的方法。


背景技术:

1、随着电子技术的飞速发展,片式多层陶瓷电容器(multi-layer ceramic chipcapacitors,mlcc)等陶瓷元器件在网络、5g通信、家电、汽车电子、消费电子等领域发挥着重要作用。同时片式多层陶瓷电容器性能的好坏会直接影响到整个电路的运行情况。

2、在产品开发过程中,越早发现产品缺陷越好。目前,在片式多层陶瓷电容器的制备过程中,通常存在的问题是陶瓷本体因烧结收缩率的差异,致使陶瓷本体在烧结的过程积累了大量内应力,而该内应力在烧附端电极的过程中会释放,导致电容器的陶瓷本体出现对半裂和端部角裂等问题。陶瓷本体的对半裂很容易发现,但因陶瓷本体的端部角裂的位置被端电极所包裹,导致陶瓷本体的端部角裂不容易被发现,若要分析是否存在陶瓷本体的端部角裂,需要借助破坏性物理切片分析(dpa),采用该种方式检测陶瓷本体的端部角裂,需要耗费大半天的时间制样,导致检测陶瓷本体的端部角裂的效率不佳,进而导致产品缺陷分析时间延长,严重的话,会延误生产进度。


技术实现思路

1、鉴于此,本申请提供一种检测片式多层陶瓷电容器端部角裂的方法,以提高端部角裂的检测效率。

2、本申请提供一种检测片式多层陶瓷电容器端部角裂的方法,包括:

3、提供片式多层陶瓷电容器,所述片式多层陶瓷电容器包括陶瓷本体以及包覆于所述陶瓷本体的端部的端电极;

4、通过化学溶液溶解所述片式多层陶瓷电容器的端电极,以暴露所述片式多层陶瓷电容器的陶瓷本体的端部;

5、通过显微镜拍摄得到所述陶瓷本体的显微镜图像;

6、根据所述显微镜图像对所述陶瓷本体的端部进行分析。

7、在一些实施例中,所述端电极为铜电极,所述化学溶液与所述端电极发生氧化还原反应以溶解所述端电极。

8、在一些实施例中,所述化学溶液包括氯化铁溶液、稀硝酸溶液、浓硝酸溶液、浓硫酸溶液中的至少一种。

9、在一些实施例中,所述端电极为铜电极,所述化学溶液与所述端电极发生置换反应以溶解所述端电极,所述化学溶液为金属的盐溶液,所述金属的活动性大于所述铜电极的活动性。

10、在一些实施例中,所述金属的盐溶液包括钋(po)、汞(hg)、银(ag)、钯(pd)、铂(pt)和金(au)的盐溶液中的至少一种。

11、在一些实施例中,通过化学溶液溶解所述片式多层陶瓷电容器的端电极的溶解时间为5-30min。

12、在一些实施例中,通过化学溶液溶解所述片式多层陶瓷电容器的端电极的溶解温度为20-40℃。

13、在一些实施例中,所述端电极与所述反应溶液的摩尔比为1:1.5-3。

14、在一些实施例中,通过化学溶液溶解所述片式多层陶瓷电容器的端电极,以暴露所述片式多层陶瓷电容器的陶瓷本体的端部之后,还包括:

15、采用去离子水清洗所述陶瓷本体。

16、在一些实施例中,所述显微镜为金相显微镜或电子显微镜。

17、本申请提供一种检测片式多层陶瓷电容器端部角裂的方法,包括:提供片式多层陶瓷电容器,片式多层陶瓷电容器包括陶瓷本体以及包覆于陶瓷本体的端部的端电极;通过化学溶液溶解片式多层陶瓷电容器的端电极,以暴露片式多层陶瓷电容器的陶瓷本体的端部;通过显微镜拍摄得到陶瓷本体的显微镜图像;根据显微镜图像对陶瓷本体的端部进行分析,以提高片式多层陶瓷电容器的端部角裂的检测效率。



技术特征:

1.一种检测片式多层陶瓷电容器端部角裂的方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的检测片式多层陶瓷电容器端部角裂的方法,其特征在于,所述端电极为铜电极,所述化学溶液与所述端电极发生氧化还原反应以溶解所述端电极。

3.根据权利要求2所述的检测片式多层陶瓷电容器端部角裂的方法,其特征在于,所述化学溶液包括氯化铁溶液、稀硝酸溶液、浓硝酸溶液、浓硫酸溶液中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的检测片式多层陶瓷电容器端部角裂的方法,其特征在于,所述端电极为铜电极,所述化学溶液与所述端电极发生置换反应以溶解所述端电极,所述化学溶液为金属的盐溶液,所述金属的活动性大于所述铜电极的活动性。

5.根据权利要求4所述的检测片式多层陶瓷电容器端部角裂的方法,其特征在于,所述金属的盐溶液包括钋(po)、汞(hg)、银(ag)、钯(pd)、铂(pt)和金(au)的盐溶液中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的检测片式多层陶瓷电容器端部角裂的方法,其特征在于,通过化学溶液溶解所述片式多层陶瓷电容器的端电极的溶解时间为5-30min。

7.根据权利要求1所述的检测片式多层陶瓷电容器端部角裂的方法,其特征在于,通过化学溶液溶解所述片式多层陶瓷电容器的端电极的溶解温度为20-40℃。

8.根据权利要求1所述的检测片式多层陶瓷电容器端部角裂的方法,其特征在于,所述端电极与所述反应溶液的摩尔比为1:1.5-3。

9.根据权利要求1所述的检测片式多层陶瓷电容器端部角裂的方法,其特征在于,通过化学溶液溶解所述片式多层陶瓷电容器的端电极,以暴露所述片式多层陶瓷电容器的陶瓷本体的端部之后,还包括:

10.根据权利要求1所述的检测片式多层陶瓷电容器端部角裂的方法,其特征在于,所述显微镜为金相显微镜或电子显微镜。


技术总结
本申请提供一种检测片式多层陶瓷电容器端部角裂的方法,包括:提供片式多层陶瓷电容器,片式多层陶瓷电容器包括陶瓷本体以及包覆于陶瓷本体的端部的端电极;通过化学溶液溶解片式多层陶瓷电容器的端电极,以暴露片式多层陶瓷电容器的陶瓷本体的端部;通过显微镜拍摄得到陶瓷本体的显微镜图像;根据显微镜图像对陶瓷本体的端部进行分析,以提高检测片式多层陶瓷电容器的端部是否存在角裂的效率。

技术研发人员:黄木生,李冬梅,朱琪,林显竣
受保护的技术使用者:广东微容电子科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/16
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